3.—。2  技《术设备？ 《 《3.2.1  集】成电路封装》技术发？展十分迅速封装【不仅起到《集成电路芯片内键合！点与外？部进行电气连接的】作用也为集成电路芯！片起到机械或环【境保护的作》用从而集成电—路芯片能够》发挥正常的功—能并保证其具有【高稳：。定性：和，。可，靠性  ！。   由于集成【电路的集成》度越来越高》功能越来越复杂相应！地要：求集成电路封—装，密度越来越大引线数！越来越多而体—。积越来？越小重量越来—。越轻更新换代—越来越快封装结构】类型的合理性和【。科学：性，将直接影响集—成电路的《质，量 —     2—0世纪80年代之前！主要封装形式为通孔！插装以T《O型封装和双列直插！封，装为：代表集成《电路：的功能数不高引线】脚数较小《不多于648—0，年代后进入表面贴】。装，时，代以小外形封装(】SOP)和四边【引脚扁平封装(QF！P)为代表大—大提：高了引脚数和组装密！度最大引脚数达【300同时》塑封：外形也分为》。方形扁平型和小【。型外壳？型90年代》后球栅阵列》(BGA)封装和】芯片尺寸封装(C】SP)发展迅速这一！阶段：主要：封，装类型有BGA【、CSP《、WLCS》。P和SIP等主要】特点是加宽》。了引脚间距并—采用底部安装引脚的！。。形式大大促进了安装！技术的进步和生产】效率的提高通常【CS：。P都是将《。晶圆：切割成单个IC芯】片后再实施后道【封装而WLC—S，P的工序基本—上完：全在已完成》前工序的晶圆上完成！。最后才？将晶圆切割成分离的！。独立电路90年代末！进入了三维堆叠(3！D)封装时代通【过在垂直方向上将多！层平面器《。件，。堆叠：起来并采用》硅通孔技术》在垂直方向实—。现通孔互连的系【。统级集成《这样可以减少封装】的尺：寸和重量并可以将】不同技术《集成在同一封装中缩！。短了互连《从而加？快，了信：号传递速度降低了】寄生效应和功耗【 ？   》  据国际半导体技！术路线？图ITRS 201！2版的预测TSV及！3，。D，集成在晶圆厚度【、硅通孔直径、【对准精度等继续向微！细化方？向发展详见下表 ！ 表1  T！SV：及3：。D，集成晶圆技术规格预！测表：。 ， 】 《 》3，.2.3  集成电！路封装测《试工厂？的产品的品种较多】产能：需求：各不相？同而且变化较快【因此在设备种—类及数量上》需，综合考虑并具—。有一定的灵》活性对于产能较大的！封装测？。试厂生产《设备需要较高的自动！化，程度以及较高的运行！。稳，定，性， ， ，