《3.2  技—术设备 》 《 3.2》.1 ？ 集成电路封装【。技术发展十分迅速封！装不仅起到集成【。电路：芯，片内键合点与外部】进行电气连接的作】用也为？。集，成电路芯片》起到机械或》环境保护《的作用从而集—成电路芯片能够发】挥正常的功能并保证！其具有？高稳定性和可靠性】   】。。 ， 由：于集成电路的集成度！越来越高《功，能越来越复杂相【应地要求集》成电：路封装密度越来越大！引线数越来越多而】体积：越来越小重量越来】越轻更新换代越来】越快封装结构—类型的合理》性，和科学？。。性将直接影响—。集成电路的质量 】 ：     【20世纪《80年代之前主要】封装形式为通孔【插装以TO型封【装和双列直》。插封装为代表—集成电路的》功能数不高引—。线脚数较小不多于】6480《。年代后进入表面【。贴，装时代？。以，小外：形封装？(SOP)和—四边引脚扁平—。封装(？QFP)为代表大】。大提高了引脚数和】组装密度最大引脚】数达3？00同时塑封外形也！分为：。方形：。扁平：。型和小型外壳型【90年代后球栅【阵列(BGA)封】装和：芯片尺寸封装(【CS：P)发展迅速这【一阶段主要封装【。类，型有BGA》。、CSP、WLC】SP和？。SIP等主要—特点是加宽了引脚间！距并采用《底部安装引脚的【形式：大大促进了安装【技术的？进步和生产效率【。的提高通常CS【P都是将晶圆切【割成单？。个IC芯片后—再实施后《道封装而WLC【SP的工序基本【上完全在已完成【前，工序的晶圆》上完成？最后：才将晶圆切割成分离！的独立电路9—0年代末《进入了三维堆叠(】3D：)封装？时代通过在垂直【方向上将《多层平面器件堆叠】起来并采用硅通孔技！术在垂直方向实现通！孔互连的系统级集成！这样可以减》。少封装的尺寸和重】量并：。可以：将不同？。技术集成在同一封】装中缩短了》。互连从而加快了信】号传递速度降低【了，寄生效应和》功耗 ？    】 据：国际半导体技术【路线图ITRS 】2012版的预【测TS？。V及3D集成在【晶圆厚？度、硅通《孔直径、《。。对准精度等继—续向微细化方向发】展详见下表 【 ？。。 表1 《 TSV及3D集成！晶圆技术规》格预测表 — 】 ， ？ 《3.2？.3  集》成电路封装测—。。试工厂的产品的【品种较？多产能需求》各不相同而》且，。变化：较，。。快因此在设备种类及！数量上需综合—考虑并具有一定的】灵活性？。对于：产能较大的封—装测：试厂生产《设备需要较高—的，自，动化程？度以及？较高的运行》稳定性 》