3》.2  技术设备 ！ 3】.2.1 》 集成电《路封装技术发展十】分，。迅速封装不》。。仅起到集成电—路芯片内键合点与外！部进行电气》连接的？作用也为集成电【路芯片起到机—械或环境《保护的作《用从而集《成电：路芯片？能够发挥正常的功能！并保证？其具有高稳定性【和可靠性 —。    【 由：于集成电路的集成度！越来越高功能越来】越复杂相应地要求集！。成电路封装密度越】。来，越大引线数越来越】多，而体积越来越小重量！越来越轻更新换【代，。越来越快封装结【构类型的合理—性和科？学性将直《接影响集成》电路的质量 】     20！世纪80年代之前】主要封装形式为通孔！插装以TO型封装和！双列直插封装—为，代表集成电路—的，。功能数不《高引线脚数较小不】多于6480年代】后进入表面贴装时】代以小？外形封装(SOP】)和四边引脚—扁，平，封装(QFP—。)为代表大》大，提高了引脚数和组】装密度最大》引脚数达《300同时塑封【外形也？分为：方形扁平型和—小型：外壳型90年代后球！栅阵：列，(B：GA)封装和芯片】尺寸封？。装(CSP)发展迅！速这：一阶段主要封装类】型，有BGA、CSP、！W，LCS？P和S？I，P等主要特点是加宽！了引脚间距并采用】底部：安，装引脚的形》式大：大促进了安装技术】的进步和《生产效？率的提高通常C【SP都是将晶圆切割！成单个I《C芯片后《再实施后道封装而W！LCSP的工序基】本上完全《在已完成前》工序的晶圆上完【成最后才《将晶圆切割成—分离的独立电路【90年代末进—入了三维《堆叠(3《D)封装时》代通：过在垂直方向上将】多层平面器件堆叠】起来并采用硅通孔技！术在垂直方向—实现通孔互连的系统！级集成这样》可，以减少？封装的尺寸和重量】并可以将不》。同技术集《成在同一封装中【缩短了互连从而【加快了信《号传递速度降—低了寄生效应和功】耗， ？    — 据国际半》导体：技术路线图ITRS！ 2012版的【预测T？SV及？3D集成在晶圆厚度！、硅通孔直径、【对准精？度等继？续向微？细化方向发展详【见下表 》 ： 表1《  TSV及3D集！成晶圆技术》规格预测表 【 【 《 ：。 ， 3？.2.？。。3  集成电路【封，。装测试工厂的产【品的品？。种较多产能需求各不！相同而且变化较【快因此在设》备种类及数量上需综！合，考虑：并具有一定》的灵活性对于—产能较大《。的封装测《试，厂生：产设备需要较高的自！动化程度《以及较？高的运行《稳，定，性 ？