3.2【。  技术《设备 【 ： 3：.，2.1  》集成电路封装技术发！展十分迅速封装【不仅起？到集成电《路芯片内键》合点：与外：部进行电气连接【的作：用也为集《成电路芯片》起到：机械或环境保护的】作用从？。而集成电路芯片【能够发挥《正常的功能并—保证其具有高—稳定性和可靠—性  】  ： ，由于集成电路的集成！度越来越高功—能越来越复杂相应】地要求集《成电路封装》密度越来《越大引线数越来越】多，而体积越来》越小重量越来越轻更！新换代越《。来越快封装结构【类型的？合理性和科学性将】直接影响集成电路】的质量 》    【 ，20世纪80年【代之：前主要封装形式【为通孔插《装以TO型封装【和双列直《。插封装为代表—集成：电路的功能数—不高引线脚数—较小不多于》6480年代—后进入表面贴—装时代以小外—形封装？(SOP)和四【边引脚扁平封装【(QFP)为代表】大大提高了引—脚数和？组装密度《最大：。引脚：数达3？00：同时塑？封外形也《分为方形扁平—型和小型外壳型9】0，年代后球栅阵列(B！GA)封装和芯【片尺寸封装》(CSP)发展迅速！这一：阶，段，主要封装类型有BG！A、CSP》、WLCSP和【SIP等主》要特点是加》宽了引脚间距并采】用底部安《装引脚的形式大大】促进了安《装，技术的进步和生产效！。率，的提高通常C—。SP都是将晶圆切】割成单？个IC芯片后再实施！后道封装而W—L，CSP？的，工序基本上完—全在：已完成前工序—的晶圆上完成最【后才将晶《圆切割成分离—的独立电路90年】。代末进入了三—维，堆叠(3D)—封装时代通》过在垂直方向上将】。多层平面器》件堆叠起来并采用】硅通孔技术在垂【直，方向实现通孔互连】的系统级集》成这样可以减少封】装，的尺寸和《重量并可以》将不同技术集成【在同一封《装中缩短了互连从】而加快了信号传递】速度：降低了寄生效应和功！耗 》     据国际！半导体技术路线【图ITRS 20】12版的预测TS】V及3D《集成在晶圆厚度、硅！通孔直径、对准【精度等继《续向微细化方向发】展详见下表 ！ 表？1  T《SV及3D集成晶】圆技术规《格预测表 》 】。 ： 《 ： 3.2.》3  ？集成电路封装测试】工厂的？产品的品种》较多产能需求各【。。不相同而且变化较快！因此在设备种类及】数量上需综合考虑并！具有一定的灵活性】对于产能较大的【封装测试厂生—产设备需要较—高的自动化程度以】。及较：高，的运行稳定性 】