3.2  ！技术：设备： ： —3，.，2.1 《 ，集，。成电路封装》技术发展十分—迅速封装不仅起到】。集成电路芯片内键合！点与外部进行—电，气连接的作》。用也为集成电—路芯片起到机械或环！境保护的作》用从：。。而集成？电路芯片能够发挥正！常的功？能并保证其》具有高稳定性和【可靠性？ ， ， ，     由于！集成：电路的集成度—越，来越高功能越来越】复，杂相应地要求集成电！路封装？密度越来越大引线】数越来越多而体积越！来越小重量越来越】轻更新？换代越来越快封装】结构类型的合理性和！科学性将直接影响集！成电路的《质量 】    20—世纪80年代之【前主要封装形式【。为通孔插装以T【O型封装和双列直插！封装：为代表集成》电路的功能数不高】引线：脚，数较小不多于—648？0年代后进入—表面贴？装时代以《小外形封装(S【。OP)和四边引【。。脚扁平封装(—QFP)为代表大大！提高了引脚数—和组装密度》最大引脚数达—300？同，时塑封外形也—分为方形《扁平型和小型外壳型！90年？代，后球栅阵列(BG】A)封装和芯片【尺寸封？装(CS《P，)，发展：迅速这一《阶段主要封》装类型有BGA、C！SP、WLCSP】和SIP等主要特】点是加宽了引脚【间距并采用》底部：安装引脚的》形式大大促进了安】装，技术的进步和生产效！率的：提高通？常CSP都是将晶】圆切割成单个IC芯！片后再实施后道封】。装而WL《C，SP的工序基—本，上完全在已完成前】工序的？晶圆上？完成最后才将晶【圆切割成《分离的独立》电路90年代末进】入了三维堆叠(3D！。)封装时代通—过在垂直方向上将】多层平面《器件堆叠起来—并采用硅《通孔技术在垂直【方，向实现通孔互连的】系统级集成这样可】以，减，少封装的尺寸—和重量并可以将【不同技？。。术集成在同一封【。装中缩短了互连从】而加快了信》号传递？速度降低了寄—。生效应和功耗— ：    【 据国际半导—体技术路线》。图I：TRS 2012版！的预测？TSV及3》D集成在晶圆厚度】、硅通孔《。直径、对准精度【等继续向微细化【方向发展《详见：下表 【 表：1  TS》。V及3D集》成晶圆技《。。术规：格预测表 【 【 》。 3《.2.3  —集成电路封装测试工！厂的产品的品种【较多产能需求各不】相同而？且变化较快因此【。在设备种类》及数量上需综合【考虑并具有一—定，的灵活性对于产【能，较大的封装测试厂生！产设备需要较高的】自动化程度以及较高！的运行？稳定性 》