《3.2  技术【设备 — 3.2【.1  集成电路】。。封装技术发》展十分迅《。速封装不仅起—到集成电路芯片【。内键合点与外—部进行？电气连接的》作用也为集成—电路芯片起到机【械或环？境保护的作》用从而集成电路芯】片能够发《挥正常的功能并保证！其具有高稳定性和可！靠性  ！   由于集成电】路的集成度越来越】高功能越来越复杂】相应地？要求集成电》路，。封装密度越来越大】引线数越来》越，多，而体积越来越小重】量越来越轻》更新换代越来越快封！装结构？类型的合理性和科学！性将直接影响—集成电路的》。。质量 ？ ？   《。  ：20世纪80年代】之前：主要封装形式为通】孔，插装以TO》。型封装和双列直【插封装为代表集【成电路的功能数不】高引线脚数较小不多！于6：4，80：年代后进入表面贴】装时代以小外形封】装(SOP)—和四边引脚扁平封装！(QFP)》为代表大大》提高：了引脚数和组—装，密度最大引脚数【。达300同》时塑：封外形也分为方形】扁平型和小型外壳】型90年代后球栅】阵列(BG》A)封装《和芯片尺《寸封装(CSP)】。发展迅速这一阶【段主要封装类型有B！G，A、CSP、—WLCSP和SIP！。等主要？特，点是加宽了引脚【。间，距并采用底部安装】引脚的形《式大大促进了—安装：技术的？进步和生《产效率的提高通常】CSP都是将晶圆】切割成单个IC【芯片后再实》施后道封装而W【LCSP的》工序基本上完全【在已完成前工—序的晶？圆，上完成最后才将晶圆！切割成分离的独立】电路：90年代《末进入了三维堆【叠(3？D，)，封装时代通过在垂】直方向上《将多：层平面器件》堆叠起来《并采用硅通孔技术在！垂直方向实》现通孔？互连的系统级—集成这样可以减少封！装的尺寸和重量【并可以将不同技【术集：成在同一封装—中缩短了《互，连从而加快了—信号传递速》。度降低了寄》。生效应和《功耗 《。   —  据国际半导体技！术路线图《IT：RS 20》12版的预》测TS？V及3D《集成：在晶圆厚度》、硅通？孔直径、对准精度等！继，续向：微细化方《向发展详见下表【 表1 ！ TS？V及3D集成晶圆】技术规格预测表 】 】 》 3.2.3！  ：集成电路《。封装测试工厂的产】品，的品：种较多产能》需，求各不相《。同而：且变化较快因此在设！备种类及《数量上需综》合考虑？并具有一定的灵活】性，对于产能较》大的：封装测试厂》生产设备需要—较高的？自动化程度》以及较高的运行稳定！性 ？