3  工】。艺设计 【 —3.1？  一般规定 【 ？ 3.1.1！  集成电路封【装材料成型之前的】工序中引线和电【路暴露？在，。。外，因此洁净《度，及温湿度要》求高于材料成型之】后的工序 【  《   通孔和凸块工！艺与前工《序工艺类似》因，此环境要《求参照前工序工【艺确定 【 3.1.2  ！纯水水质的确—定是参？照目：前集成电路》。封装测？试厂的？工程：实践纯？水电阻？率越高导电》性越：差高速冲《击下越容易产—生静电静电对于芯片！划片：加工的危害主要表现！在两方面①静电积】累放电造成放电氧化！或击穿等损》伤芯片？；，②硅屑等微粒产生】静电吸？附，造成芯？片，表面不？。容，易清洗？干净因此可通—过C：O2加入纯水可【降低：纯水电？阻，率防止清洗》降温时的静电产生和！积累烘干后CO【2变成气体挥发【掉，芯片表面保持纯【净但：是C：O2过量《。加入水？中会产生酸》性腐蚀？影响：刀片寿命因此—必须严格控制C【O，2加入量 —