《3  工艺设计【 ！。 3.？1，  一般规定 【 ： ？ 3.1.—1  集成电路封】装材料成型之—前的：工序中引线和—。电路暴？露，在外因此洁净度【及温湿度要求高于】材料成型之后的【工序 】  ：。  通孔《和凸块工艺与前工序！工，艺类似因此》环境要求参照前工】序工艺确定 【 3》.1.2 》 纯水？水质的确定是参照】目前集？成，电，路封装？测试厂的工程实【践纯水电阻率越高导！。电性越差高速冲【击下越容易产生【静电静电对于芯【片划片加工的危害主！要表现在两方面①】静电积？累放电？造成：放电氧化或》击穿：等损伤芯片；②【硅屑等微《粒产生静《电吸附造成芯片表】面不容？易，清洗干净因此—可通过CO》2，加，入纯水可降低—纯水电阻率防止清】洗降温时的》静电产生和积累烘】。干后CO2》变成气体挥发掉芯】片表面保持纯净但】是CO2过》量加入水中会产生】。酸性腐？蚀影响刀片寿命因】此必须严格控制【CO2加入量 】