《3  工艺设—。计 ？ 》。 3.1  】一般规定 】。 《3.1.1  集成！电，。路封装材《料成型？之前的工序中—引，线和电路暴露—在外因此洁净—度及温湿度要—。求高：于材料成型之后的】工序 ？     ！通孔和凸《块工艺？与前工序工艺类似因！此环境要求参照【前工序工艺确定【。 《 3？.，1.2  纯水水】质的确定是参照【目前集成电路封【装，测试厂的《工程实践纯水电【阻，率越高导电性—越，。差，高速冲击《下越容易产》生静电静电对—。于芯片划《片加工的危害主要】表，现在两方面①—。静，电，积累放电造成放【电氧化或击穿等【损伤芯？。片；②硅屑等微【粒产生静电吸附造成！芯，片表：面不容易《清洗干净因》此可通过CO2【加入纯水可降低纯】水电阻率防止—清洗降温时》的静电产生和积累烘！干后CO2变成气体！挥，发掉芯片表面保持纯！净但是C《O2过量《加，入水中会产生酸性】腐，蚀影响刀片》寿命因此必须严格控！制CO2加入—量 ？