3》  工艺设计 】 ： 3.】1  一般规定 】。 【3.1？。.1  集》成电路封装材料成型！。。。之，前的工序中》引线和电路暴露【在，外因此洁《净度及？温湿度要求高于【材料成型之后的工序！ ： ：   《  ：。通孔和？凸块工艺与前工序工！艺类：。似因此？。环境要求参照前工】序工艺确定 — ？ 3？.1.2  —纯水水质的确定是】参照目前集》成电路封装测试厂】的工程实践》纯水电？阻率越高《导电性越差高速冲】击下越容易产生静电！静，电对于芯《片划片加工》的，危害主要表现在两】方面①静电积累【放电：造成放？电，氧化或击穿等—损伤芯片；》②硅屑等微粒产生静！电吸附造《成芯片表面》不容易清洗干净因此！可通过？CO2加《入纯水可降低纯【水电阻率防》止清洗降温时—。的，静电产？生和积累烘干后【C，。O2：变成气体挥发掉芯】片表面保持》纯，净但是CO》2过量加入水中会】产生酸性《腐蚀影响《刀，片寿命因此》必须严格控制C【O2加入量 【