3》  工艺设计— — 3.1【  一般规》定 ！3.：1.1  集成【电路：封装：材料成型之前的工序！中引线和电路暴【露在外因此洁—净度及？温湿度？要求高于材料成型】之后的？工序 ？  —   通孔和凸【块，工艺：与前工序工》艺类似因此环境【要求参照前工序工艺！确定 》 3《.1：.，2  纯水水质【的确定是参》照目前集《成电路封装测试厂的！工程实？践，纯水电阻率越高【导电性越差高速冲击！。下越容易产生静电静！。电对于芯片》划片加工的危害【主要表现在两—方面：①静电积累放电造成！放电氧化或击穿等】损伤芯？片；②硅《屑等微粒《产生静电《。吸附造成芯片表【面不容？易清洗干净因此【可，通过C？O，2加入纯水可降低纯！水电阻率防止清洗】降温时的静电产生和！积累烘干后》。CO2变成气—体挥发掉《芯片表面保持—纯净但是C》O2过量加入水中】会产：生酸：性腐蚀影响刀—片寿命因此必须严】格控：制CO2《加入量 》