《3  工艺》设计： 《。 3.1！。  一般规定 ！ 3.1.！1，  ：。集成电路《封装材料成型之前的！工，序中引线和电—。路暴：露在外？因此洁净度》及温湿度要求高于】材料成型之后的工】序  】   通孔和凸块工！艺与前工序工艺【类似因此环境要求参！照前：工序工艺确定 【 ， 3.—1.2  》纯水水质的》确定是参照》目前：集成电路《封装测试《厂的工程实践纯水】电阻率越《高导电性越差高速冲！击下越容易产—。生静电静电对于芯】片划片加工的危【害主要？表现在两方》面①静电积累放【电造成放电氧—化或击穿等》损伤芯片《；②硅屑等微粒产】。生静电吸附造—成芯片表面》不容易清洗》干净因此可通过CO！2加入纯水可—降低纯水电阻率【防止清？洗降温时的静—电，产生和积累烘干【后CO？2变成气体挥发掉】芯片表？面保持纯净但—是CO2过量—加入水中会》产生：酸性腐蚀影》响刀片寿命因—此必须严格控制【CO2加入》量 ： ，