？ 3 ？ 工艺设计 — 《 3.1】  一般规定 ！ 3.1】.1  集》成电路封装材料成型！之前的工序中引线和！电，路暴露在《外因此洁《净度及？温湿度？要求高于材》料成型之后的—工序 —    》 通孔和凸》块工艺？与前工序《工艺：。类似因此环》境要求参照前—工序：工艺确定 】 3.1.2【  纯水水质的确】定是参照目》前集成电路封装【测试厂的《工程：。实，践纯水电阻》率，越高导电性》越差高？速冲击下越容易产生！静电静电对于芯片】划片加工的危害主要！表现在？两方面？①静：电积累放电》造成放电氧》化或：击穿等损伤芯片；】②硅屑等微》粒产：生，静电吸附《造成芯片表面—不容易清洗干净因此！。可通过CO2—加入纯水可降低纯水！电阻：率防止清洗降—。温时的静电产生和】积，累烘干后《CO2？。变，成气：体挥：发掉芯片表面保持纯！净但是C《O，2，过量加入水》中会产生酸》性腐蚀影响》刀片寿命因此必须】严格控制CO—2加：。入量 《