安全验证
3  【工艺设计 】。 》 3.1《  一般《规定 ! 3.1.1  生!产环境?宜,符合表?3,.1.?1的要?求 【表3.1.1  生!产环境需求表 】 : 3!.1.2《。  生产过》程所使用《纯水的电阻》率应符?合下列规定 【     】1  用于》硅片:清洗的纯水电阻率】不宜低于15MΩ】·cm; 》 ?。 :   ? 2  用于硅【。片划片?的纯水电《。阻率宜在0.5【MΩ·cm~—1MΩ·cm—范围内; —     】。3  用于电镀【。工艺的纯水电—阻率:不宜低于《2MΩ·cm—。 《 , 3.?1.3  》生产:过程所使用气体【的品质应符合—下列规?定 【    1》  用?于通孔、凸块工序】的气体纯度不宜低】于9:。9.99《9,9%、露点不宜低】于60℃; 】  《   ?2 : 用于中测、磨片、!划片、粘片、焊线】、塑封等工序的气】体纯度宜《在99.99—%,~99.《9999%》范围内、露》点宜在?40℃~60℃范围!内 : ,