3  【。工艺：设计 【 3.1 ！ 一般规《定 《 3.1.！1  生《产环境宜符合表3.！1，。.1的要求 【。 表3.1】.1  生》产环境需求表 【 】 3.1—.2：  生产过程—所使用纯水的—。电阻率应符合—下列规？定 《。 ？    1  用于！硅片：清洗的？。纯水电阻率不宜低于！15MΩ·cm； ！。   【  2  用于硅】片划片的纯水—电阻率？宜在0.《5MΩ·cm～【1M：Ω·cm范》围内； 】    《 3：  用于电镀工【艺的纯水电阻率不】宜低于2MΩ·cm！ ， 3.1.！3  ？生，产过程所《。。使用气体的品质应符！合下列规定》 《    》 1 ？。 用于通孔、凸块工！序，的气体纯度不—。。宜低于99.9【999％、露点不宜！。低于60℃； 【 ，  》 ，  2  》用于中测《、，磨，片、：划，片、粘片、焊—线，、塑封等《工序的气体纯度【宜在9？。9.99％～99.！9999《％范围内、露点宜在！40℃～60℃范围！内 ？