。 3 — 工艺设《计 【 3.—1  一般规—定 【 3.1.1  ！。生产环境宜》符合表3.1.1的！。要求 表！3.1.1  【生产环境《需求表 》 — ， 3.1.【2  生《产过程？。所，使用纯水《的，电阻率？应符合下《列规定 【     1【  ：用于硅片清洗的纯】水电：阻率不宜低于15M！Ω·cm； 【 ：    》 2  用于—硅，片划：。片的纯水电阻率宜在！0.5MΩ·c【m～1？MΩ·cm范围内；！ ， 《     》3  用于电镀工】艺，的，纯，水电阻率不宜低【于2MΩ·cm【 3.1！.3  生产过【程所使用气体的品质！应符合下列》规定  ！   1 》 用于？通孔：、凸块工序的气体纯！度不：宜低于99.99】99％、露点—不宜低于60—℃，；， 》     2  用！于中测、磨片、划】片、粘片、》焊线、塑封等工序的！气体纯度宜在9【9.99％》～99.99—99％范围内、【露点：宜在4？0℃～60℃范【围内 《