？ 3 ？ 工艺设计 【 】3.1  一般规定！ 【 3.1.1 【 生产环境宜符合表！。3.1.1》的要求 》 表3.1】.1  生》产环境需求》。表 ！ ， 3.1.【2，  生产过程所【使用纯水的电阻率】应符合下列规定 ！。 ， ，     1  ！用于硅？片清洗的《纯水电阻率不—宜低于1《5MΩ？·cm； 【     2 ！ 用于硅片划片的纯！水电：阻率宜在0》.5M？Ω·cm～1—MΩ·c《m，范围内； ！     3  用！于电镀工《艺的纯水电阻—率不宜？低，于2MΩ·cm ！。 3.—1.3  生—产过程所使用气体的！品质应符合》下列规定 】     —1  用《于通孔、《凸块：工序的气体》纯度不宜低于9【。9.9？99：9％：、露点不宜》低，于60℃； 【     】2  用于》中测、？磨片、划片》、粘片、焊线—、塑封等工》序的气？。体纯度宜在99.】99％～99.99！99％范围》内、露点《宜在40℃～60】。。℃范围？内 ？