？ 3 ？ 工艺设计》 》 ： 3《.1  一般规【定 》 3.—1，.1  生》产环境宜符合表【。3.1.1的要求 ！ 表3.1！.，1  生产》环境需求表 】 《 3.1】.2  生产过程】所使用纯水的电阻】。率应：符合：下列规？定  】   ？。1  用于》硅片清洗的纯水【电阻率不《宜低于15MΩ·】cm； 》。 ：  ？   2 》 用于硅片划片的纯！水电阻率宜在0【.5MΩ·cm～】1MΩ·《cm范？围，内； ？   【  3？  用于《电镀工艺《的纯水电阻》率不宜？低于2MΩ》·cm ！3.1.3  【生产过程《所使用气《体的品？质应：符合：下列规定 】    》 1 ？ 用于通《孔，、凸块？。工序的气体纯度不】宜低于99》.9999％、露点！不宜低于60—℃； 】    2  用于！中测、磨片、划片】、粘片、焊线、【塑封等工序的气体纯！度宜在9《9.99％》～99.9999】％范围内、露点宜在！40℃～《。60℃？范围内 》