3  【工艺设计 】 ？ 3.1 【。 一：般规定 【 ， 3.1.1 ！ 生产环境》宜符合表《3.1.1的—要求： 表3.！1.：1，  生产环》境需求？表 ： ！ 3.1.2 】 生产过《程所使用《纯水：的电阻率《。。应符合下列规—定 》     1  ！用于硅片清洗的纯水！电阻率不宜》低于：15MΩ·c—m；：。  【   2  用【于硅片划片的纯水】电，阻，率宜在0《.5MΩ·cm～1！MΩ：·cm范《围内；？    ！ 3  《用，于电：镀工艺？的，纯，。水电阻率不宜低于2！MΩ·？cm 《 ， ： 3.1.3  生！产过：程，所使用气体的—品质应符合下列规定！ 》     1  用！于通孔？、凸块工序的—气体纯度不宜低【于，99.？9999％、露【点不宜低于》6，0℃； 【  ？   2 》 用：于中测、磨片、【划，片，、粘片、焊线—、塑封等《工序：的气体纯度宜—在99.99％～】99.？99：99％范围内—、露点宜在40℃～！60℃范围》内 ？