3 【。工艺:设计
【
3.1 ! 一般规《定
《
3.1.!1 生《产环境宜符合表3.!1,。.1的要求
【。
表3.1】.1 生》产环境需求表
【
】
3.1—.2: 生产过程—所使用纯水的—。电阻率应符合—下列规?定
《。
? 1 用于!硅片:清洗的?。纯水电阻率不宜低于!15MΩ·cm;
!。
【 2 用于硅】片划片的纯水—电阻率?宜在0.《5MΩ·cm~【1M:Ω·cm范》围内;
】
《 3: 用于电镀工【艺的纯水电阻率不】宜低于2MΩ·cm!
,
3.1.!3 ?生,产过程所《。。使用气体的品质应符!合下列规定》
《
》 1 ?。 用于通孔、凸块工!序,的气体纯度不—。。宜低于99.9【999%、露点不宜!。低于60℃;
【
,
》 , 2 》用于中测《、,磨,片、:划,片、粘片、焊—线,、塑封等《工序的气体纯度【宜在9?。9.99%~99.!9999《%范围内、露点宜在!40℃~60℃范围!内
?