3  【工艺设计 】。 》 3.1《  一般《规定 ！ 3.1.1  生！产环境？宜，符合表？3，.1.？1的要？求 【表3.1.1  生！产环境需求表 】 ： 3！.1.2《。  生产过》程所使用《纯水的电阻》率应符？合下列规定 【     】1  用于》硅片：清洗的纯水电阻率】不宜低于15MΩ】·cm； 》 ？。 ：   ？ 2  用于硅【。片划片？的纯水电《。阻率宜在0.5【MΩ·cm～—1MΩ·cm—范围内； —     】。3  用于电镀【。工艺的纯水电—阻率：不宜低于《2MΩ·cm—。 《 ， 3.？1.3  》生产：过程所使用气体【的品质应符合—下列规？定 【    1》  用？于通孔、凸块工序】的气体纯度不宜低】于9：。9.99《9，9％、露点不宜低】于60℃； 】  《   ？2 ： 用于中测、磨片、！划片、粘片、焊线】、塑封等工序的气】体纯度宜《在99.99—％，～99.《9999％》范围内、露》点宜在？40℃～60℃范围！内 ： ，