。 3》。  工艺设计— ： 】3.1  一般【规定 ？ ： 3.1】.1  生产环境宜！符合表3.1.1的！要求： 表【3.1？.1  生产环【境需：求表 》 — ： 3.1.2—  生产过》程所使用纯水的【电阻率应符合下列】规，。定 《  《   1  用【于硅片清洗的纯【水电阻率不宜—低于15MΩ—·cm； 【     2 ！ 用于硅片划片的】。纯水电阻率宜在【0.5MΩ》·cm～《1MΩ·cm范围内！； ？     3！  用于电镀工艺】的纯水？电，阻率不宜《低于2MΩ·c【m 3.！1，.3  生产—过程：所使用气体的品质应！符合下列规定 ！   》  ：1  用《于通孔、凸块工序】的，气体纯度不》宜低：于99.《999？9％、露点不—宜低于60》℃，； ： ： ：     2  】用于中？测、磨片、划片、粘！片、焊线、塑—封，等工序的气体—纯度宜在99.9】9％～99.—9999％范围【内、露？点宜在40℃～【60℃范围内— ：