。 ： 3  工艺设计！ 】 3.1  【。一般：规定 】 3.1.1【  生产环境宜符】。合，表3.？1.1的要求— 表3】.1.1  生产】环境需求表 — 】 3.1.2 ！ ，。生产过程所》使，用纯水的电》阻率应符合下列规定！ ？ ，     1【。  用于硅片清洗的！。纯水电阻率不宜低于！15M？Ω·cm； —。 《   ？  2  用—于硅片划片的纯【水电阻率《宜在：0.5MΩ·c【m～1MΩ·cm范！围内； ！。  ：  3  用—于电镀工艺的—纯水电阻率不宜【低于2MΩ·cm ！ 3.1】.3：  生产《过，程，所使用气体》的，品质应符《合下列规定 】  《   1  用于通！孔、凸块《工序的气体纯度不】宜低于99.9【999％、露点不】。宜低于60℃； 】   【  2  》用于中测《、磨片、划》片、粘片、焊线、塑！封，等工序的《气体纯度宜在99】.99？％～99.9—9，99％范《围内、露点宜在【40℃～60℃【范围内 》