3》。。  工艺设》计， ： 】3.1  一—般，规定： 》 3《。.1.1  生【产环境宜符合—。表3.1.1—的，要求 —。 表3.1—.1  生产—。环境需？求表 — ？ 3.1.！2  生产过—程所使用纯水的【电阻率应符合下【列规：定  】   1  用于】硅片清洗的纯水电阻！率不宜低于》1，5MΩ？·c：m； ？   【  2  用于【硅片划片的纯—水电阻？率宜在0.5MΩ】·cm？～1MΩ·cm范围！内；：    ！ 3  用》于电镀？。工艺的纯水电—阻率不宜低于—2M：。Ω·cm 】 3.1.3  ！生产过程所使用【气体的品质应符合下！列规定 】  ： ，  1  用于通孔！、凸块？工序的气体纯度不宜！低于99.99【99％、露》。点，不宜低于6》0℃； 【  ？   2  用于】中测、磨片、划片、！粘片：。、焊线？、塑：封等工序的气体纯度！宜在99.99【％，～99.9999％！范，围内、？露点宜在40—℃～60℃范—围，内 ？