《3  工艺设计【。 — 3》.，1  一般规定 ！ 《 3.《1，.1  生产—环境宜符合表—。3.1.《1的：要求 ？ 表—3.1？.1 ？ 生产环境需求【表 ： ： 】 3：.1.2  生【产过程所使用纯【水的电阻率应—符，合下列规定 【 ？    《 1  用于—硅，。片，清，洗的纯水电阻率【不宜低于15—MΩ·cm； ！  《   2《 ， 用于硅片划片的纯！。水电阻率宜在0【.5M？。Ω·cm～1MΩ】·cm范《围内：； 《     3】  用于电》。镀工艺？的，纯水电阻率不宜低于！2MΩ·cm 】 3.1.3！  生产过程所使】用气体的《品质应符合下列【规定 【。     1 【。 用于通孔》、凸块工序的气体纯！度不：宜，低于99.》。999？9％、露点不宜低】于60？。℃； ？   【  2  》用于中测《、磨片、划片—、粘片、焊线、塑】封等工序的气体【纯度宜在9》9.99％～99.！9999％范—。围，内、露点宜在—40℃～60℃范围！内 ： ，