？ 3  《工艺设计 【 3.！1  一般规—定 】 ，3.1.1  生产！环境宜符《合表3.1》.1的要求 【 ？ 表3.1.1 】 生产环境》需求表 】。。 3.！1.：2 ： 生产过程所使【。用纯水的电阻—率应符合下列—。规定 【。     1 【 用于硅片清—洗的纯水电阻率【不宜低于15M【。Ω·cm； — ？     2【  用于硅片划片】的纯水电阻率宜在0！。。。.5：M，Ω·cm～1M【Ω·cm范围内【； — ，   ？ ，3  用于电镀【工艺的纯水电阻【率不宜低于2MΩ】·c：m 》 3.1.—3  生产过—程所使？用气体的品质应符】合，下列规定 】     1 】 用于通孔、凸块】工序的气《体纯度？不宜低于99—.9999％、露】点不宜低于6—0℃； —  《   2  用于】中测、磨片、划片、！。粘片、焊线、塑封等！工序的气体纯度宜】在，99.99％～99！.9999》％范：围内、露点宜在40！。℃～60℃范围内 ！ ，