。 3  工艺！设计 》 【。3.1  一—般规定 ！ 3？.1.1  —生产环境《。宜符合表3.1.1！的要求 》 表》3，.，1.1  生—产环境需求表 ！。 ！3.1.2  生】产过程所使》用纯水的电阻—率应符合下列规定】 ？    — 1  用于硅片清！洗的纯水电阻率不宜！低于15MΩ·【cm； ！    2  用于！硅片划片《的纯水电《阻率宜在《0.5MΩ·—cm～1MΩ—·，c，m，范，围内； 》     3！。  用？于电镀工艺的纯水】电，阻，率不宜低于2MΩ·！cm 3！.1.？3  生产过程【所使用气《体的：品质应符合下—列规定 《 《   ？  1  用—于通孔？、凸块？工序的气体纯—。度不宜低于》99.9999【％、露点不》宜低于60℃—； 《。     2】  用于《中测、磨片、划片、！粘片、焊《线、塑封等工序【的气体纯度宜在99！.99％《～99.9999】％范围内《、露：点宜在40℃～60！℃范：围内 《