2  术】 ，   语 》。 2】.0.？1 ： 晶圆    wa！fer？   】。  经过《集成电路前》工，序加工后形成—了电路管芯的硅或其！他化合物半导—体的圆形单晶片【 》 2.0.2  中！。测  ？。  c？hip t》。e，sting —   【  对完成前工序工！艺的晶圆进》行器件标准和功能】性电学测试》 2【.0.？3  磨片    ！wafer —grin《ding ！     通—过磨轮？磨削等手段》对，晶圆背面《。减薄以满足划—片加工？。的厚度？要求 【 ，2.0.4 — 划片 《   ？w，afer 》。s，aw 》     【将，减薄后的晶》圆，切割成？独立的？芯片： 2.0！.5  粘片 【 die bo【nd — ：  ：  将切割好的【芯片置放到引线框】架或封装衬》底或基座《条带：上 — 2：.0.6  焊线】    wir【。e b？。ond 】     芯片上】的引线？孔，通过金线或铜—线等与框架衬底【上的引脚连接使芯片！电路能与《外部电路连通 】 ， 2.》0.7  塑封 】   ？molding【。   】  环氧树脂经【模注、灌封》、压：入等工序将芯—片、框架《或基板、电极引线等！封为一体 】 2.0.—8  电镀  【platin—g ： 《     在框架引！脚上形成保护—。。性，镀，层以增强可》焊性 《 2.0.】9  成品测试【 ，。 testin【g 【   ？ 对包封后的—集成电？路产品分选测—试，的过程 》 2》.0.1《0，  ：晶圆级封装  w】afer le【vel p》ackaging ！。  —   ？在完整晶圆上完成包！括成品测《试在内的《各道工艺最》后，切，割成单个《电路的封装形—式， ， 2—.0.11  通孔！  through！ si？li：con via ！   —  采用深》层等：离子刻？蚀，、激光加工》或湿法刻蚀等方【式在芯片和芯片之间！、晶圆和《晶圆之间制》作垂直导通 】 ： 2.0《.12  凸—块    b—umpi《n，g ？ ，   》  ：采用：金，、铅锡或《铜等材料利用薄膜】。或化学镀工艺制成倒！装芯片？电路的接触点 】