： ， 2  术 —   语 】 2.—0.1  晶圆  ！ ，。 waf《er 【     经—过集成电《路前工序加工后形】成了电路管》芯的硅？或其他化合物半导体！。的圆形单晶片 ！ 2.0.2 ！ 中测    c】h，ip testin！g —   ？  对完《成前工序工艺的【晶圆进行器件—标准和功《能性：电学测试 ！ 2.0.3  磨！片    wa【fer g》rindi》ng ？   【  通？过磨：轮磨削等手段对晶】圆，。背，面，减薄以满足划片【。加工的厚度要求 】 ： 2.0.【4  ？划片    w【afer《。 s：aw  ！   将减薄—后的晶？圆切割成独》立的芯？片 《 2.0.5 ！ 粘：片  die— bond 【 《    将切割【好的芯片置放到引】线框架或封装衬底】或基座？条带：上 》 2.0》.6  焊线 【。   wire 】bond 】     芯片上！的引线孔通过金线】或铜线等与框架衬底！上的：引脚连接使》芯片电路《能与外部电路连通】 ， 》2.0.7》  塑封    m！oldin》g 》     环氧】。树脂：。经模注、灌封、压】入等工序将芯片、框！架或基板、电极引】线等封？为一体 《 2—.0.8  电镀 ！ p：。lating ！   》  在框架引脚上】形，成保护性镀层以【增强可焊性 ！ 2.《0，.9  成品测【试  te》sting》。   】  对包《封后的集《成电路产品》分，选测试的过程 ！ 2.0.【10 ？ 晶：圆级封装《 ， w：afer 》level pa】c，kaging ！  《   在完》整，晶圆上完成包括成品！。测试在内的》各道工艺最》后切割？成单：个电路？的封装形式 【。 ， ？2，.0.1《1  通孔 —。。 thr《ough《 silico【n ：via 【 ，     采用深】层等离子刻蚀、【激光加工《或湿法？刻蚀等方式》在芯片和芯片—之间、晶圆和晶圆】之间制作垂直导【通 《 2.0.【12：  凸块《    b》umping ！ ？    采用金、铅！。锡或铜？等材料利用薄膜【或，化学镀工艺制成【倒，装芯片电路的接触点！ ：