安全验证
: , 2  术 —   语 】 2.—0.1  晶圆  ! ,。 waf《er 【     经—过集成电《路前工序加工后形】成了电路管》芯的硅?或其他化合物半导体!。的圆形单晶片 ! 2.0.2 ! 中测    c】h,ip testin!g —   ?  对完《成前工序工艺的【晶圆进行器件—标准和功《能性:电学测试 ! 2.0.3  磨!片    wa【fer g》rindi》ng ?   【  通?过磨:轮磨削等手段对晶】圆,。背,面,减薄以满足划片【。加工的厚度要求 】 : 2.0.【4  ?划片    w【afer《。 s:aw  !   将减薄—后的晶?圆切割成独》立的芯?片 《 2.0.5 ! 粘:片  die— bond 【 《    将切割【好的芯片置放到引】线框架或封装衬底】或基座?条带:上 》 2.0》.6  焊线 【。   wire 】bond 】     芯片上!的引线孔通过金线】或铜线等与框架衬底!上的:引脚连接使》芯片电路《能与外部电路连通】 , 》2.0.7》  塑封    m!oldin》g 》     环氧】。树脂:。经模注、灌封、压】入等工序将芯片、框!架或基板、电极引】线等封?为一体 《 2—.0.8  电镀 ! p:。lating !   》  在框架引脚上】形,成保护性镀层以【增强可焊性 ! 2.《0,.9  成品测【试  te》sting》。   】  对包《封后的集《成电路产品》分,选测试的过程 ! 2.0.【10 ? 晶:圆级封装《 , w:afer 》level pa】c,kaging !  《   在完》整,晶圆上完成包括成品!。测试在内的》各道工艺最》后切割?成单:个电路?的封装形式 【。 , ?2,.0.1《1  通孔 —。。 thr《ough《 silico【n :via 【 ,     采用深】层等离子刻蚀、【激光加工《或湿法?刻蚀等方式》在芯片和芯片—之间、晶圆和晶圆】之间制作垂直导【通 《 2.0.【12:  凸块《    b》umping ! ?    采用金、铅!。锡或铜?等材料利用薄膜【或,化学镀工艺制成【倒,装芯片电路的接触点! :