2 术】 , 语
》。
2】.0.?1 : 晶圆 wa!fer?
】。 经过《集成电路前》工,序加工后形成—了电路管芯的硅或其!他化合物半导—体的圆形单晶片【
》
2.0.2 中!。测 ?。 c?hip t》。e,sting
—
【 对完成前工序工!艺的晶圆进》行器件标准和功能】性电学测试》
2【.0.?3 磨片 !wafer —grin《ding
!
通—过磨轮?磨削等手段》对,晶圆背面《。减薄以满足划—片加工?。的厚度?要求
【
,2.0.4 — 划片 《 ?w,afer 》。s,aw
》
【将,减薄后的晶》圆,切割成?独立的?芯片:
2.0!.5 粘片 【 die bo【nd
—
: : 将切割好的【芯片置放到引线框】架或封装衬》底或基座《条带:上
—
2:.0.6 焊线】 wir【。e b?。ond
】
芯片上】的引线?孔,通过金线或铜—线等与框架衬底【上的引脚连接使芯片!电路能与《外部电路连通
】
,
2.》0.7 塑封 】 ?molding【。
】 环氧树脂经【模注、灌封》、压:入等工序将芯—片、框架《或基板、电极引线等!封为一体
】
2.0.—8 电镀 【platin—g
:
《
在框架引!脚上形成保护—。。性,镀,层以增强可》焊性
《
2.0.】9 成品测试【 ,。 testin【g
【 ? 对包封后的—集成电?路产品分选测—试,的过程
》
2》.0.1《0, :晶圆级封装 w】afer le【vel p》ackaging
!。
— ?在完整晶圆上完成包!括成品测《试在内的《各道工艺最》后,切,割成单个《电路的封装形—式,
,
2—.0.11 通孔! through! si?li:con via
!
— 采用深》层等:离子刻?蚀,、激光加工》或湿法刻蚀等方【式在芯片和芯片之间!、晶圆和《晶圆之间制》作垂直导通
】
:
2.0《.12 凸—块 b—umpi《n,g
?
,
》 :采用:金,、铅锡或《铜等材料利用薄膜】。或化学镀工艺制成倒!装芯片?电路的接触点
】