安全验证
2》。  术    语】 : : 《。2.:0.1  晶圆【    w》afer !     经过集成!电路前?工序加工后形成【了电路管《芯的硅或其他化合】物,半导体的圆形—单晶片 !2,.0.2  中【测    chi】p testing! ?     对】完成前工序工艺的】晶圆进行器件标准和!功能性电学》测试 — 2.0.—3  磨《片 :   w《afer gri】nding 【。 ,     通过!磨轮磨削《等手段?对晶圆?背面减?薄,以满足划片加工【的,厚度要?。求 : : 2.0—.4: , 划:片,    waf【er saw 【 , 《   ? 将减薄《后的晶圆《切割成独《立的芯片 》。。 2—.0.5《  粘片 》。 di?e bond 【 : ,     —将切割好的芯片置】放到引?线框架或封装衬【底,或基:座条带上《 2【.0.6  焊【线  ?。  w?ire?。 bo?n,d   !  芯片上的引线孔!通过金线或铜—线等与框架》。衬底上的引脚连接使!芯片电路能与外部】电路连通 】。 2.0.7【  塑封 》   moldi】ng 》 :     环氧树】脂经模注、灌封、】。压入等工序将芯片、!框架或基板》、电极?引线等?封为一体 ! 2.0.8  电!镀 : plating !  —   在框架—引,脚上形成《保护性镀层以—增强可焊性 — 2—.,0.9?。  成品《。测试  tes【t,ing 【     对包封!后的集成电》路产品分选测—试的过程《 —2.0.1》0,  晶圆级》封装  《wa:fer? lev《el p《。ackaging】。    ! 在完整《晶圆上完成》包括成?品测:试在内的各道工【艺最后?切割成?。单个电路的封装形】式 【2.:0,.11 《 通孔  th【rou?gh sili【con via 】 ?     采【用深:层等离子刻》蚀、激光加》工或湿?法刻蚀等《方,式在芯片和芯—片之:间、晶?圆和:晶圆:。之间制作垂》直导通 !2.0.《12  凸块— ,   bumpi】ng 《 : ,  :   ?采用金、铅锡或铜】等材料利用薄膜或】化学镀工艺制成倒装!芯片电?。路的接触《点 ?