。 ，。 ？5.8？。  反应离子刻蚀】机， 》 5《.8.1  反应】离子刻蚀机》的安装应符》合下：列规：定 ： ：    — 1  《应通过调节四—个，地脚高度来》调平承片台； ！  《  ： 2  《应根据设备和—环境要求安》。装一般排风系统或】酸，碱排：风系：统；： ：     3！  设备总电源【应配：置专：用空气开关》接地线应可》靠；：。 《     4【  刻蚀电极—应独：。。。立安装循环冷却水系！统水压应为0.【2MPa～0.【6MPa水温应保】持在16℃～28℃！水阻不应《小于：3MΩ； 》。     ！5  应《安装工？艺，用气CF4、S【F6：、C4F和》O2：等气体？管道若厂房没有配置！固定：的管道气《体.可采用罐装气体！接入； 《     ！6，  射频电源功率】可分别设置》为1000》W和500W并【应具有阻抗自—动匹：配功能； 》 》    7  应根！据气体性质安装气】体泄漏报《警装置 》 《5.：8.2  反应离】子刻蚀机的调试【及试：运，行应符？。合下：列，规定 ？ ： ，   《  1  应准备】好，已涂覆上相同厚【度聚酰亚胺》。膜层：的基片且应已有均】匀的掩模窗口；【 ，    】 2  应启动【循环冷却水系统【并检查循《环水箱水位水—位过低时可从水箱】上方的注水口注【入，纯水并应确保其水】位在“MAX”【和“MIN”之间；！   】。 ， 3  应》切断：进气阀和保护阀【。可用设备自带的真】空系统对反应室抽真！空测试极限真—空度：应能：达到气压不》大，于1.？0×10《-4Pa用氦质谱】检漏仪？检测反应室漏气率】不，应大于1.0—×10-6P—a，·L／s； ！。   《  4  开—机进入主界面—时应：打开机械《。泵和分子泵》待分子泵《的，速度达到满转—后方可进行刻蚀工】艺；  ！  ： 5 ？ 应：将基：。片放到刻蚀腔室承】片台上应关》闭腔室并设置—好工艺气《体，流量、？射频电？源电压、《刻蚀时间进行刻蚀】工艺； 【     6  ！设备应具备》光学发？射，光谱法终点检测系统！； ： 《     7  】。刻蚀结？束后应用膜厚—测量仪测《试基片的上》、下、左、右、【中五个点应记录打】开窗口中《剩余聚酰亚》胺的厚度片》内和片间《的刻蚀厚度允—。许偏差应为±—3％ 《