， 5.》8，。  反应离子—刻蚀机 《 5】.8：.1  反》应离：子刻蚀机的安装应符！合下列？。规定 》。    — 1  应通过调】节四个地脚高度来调！。平承片台； —  —   2  应根】据设备和环境要求】安装一般排风—系统或酸碱排风系统！； —。   ？  3 《 设备总《电源应配置专用空气！开关接地线应可靠；！    ！ 4  刻蚀电极应！。独立：安，装循环冷却水系统水！压应为0.2—。MPa～0》.6MP《a水温应保持在1】6℃～28℃水【阻不应小《。于3MΩ； ！     5  ！。应安装工艺用气CF！4、S？F6、C4F和【O2等气《体管道若厂房没有】配置固？定的管？道气体.可采—用罐装气体》。接入； ！   ？ 6  射》频电源功率可分别】。设置为？1000W和500！W并应？具，有阻抗自动》匹配功能； 】  《   7  应根据！气体：性质安装气体泄漏报！警，装，置 5.！8，.2：  反应离子刻蚀机！的调试及试运行【。应符：合下列规《定， ， 《 ，    1》  应准备好—已涂覆上相》同厚度聚酰亚—胺膜层的基片且应】已有均匀的掩模【窗口； —     2 ！ 应启动循环—冷却水系统并检查】循环水？箱水位水《位过低时可从—水箱上方的注水【口注入纯《水并：应确保其水》位在“M《AX”和《“MIN《”之间； 【 ：   ？  3  》应切：断，进，气阀和？保护：阀可用？设备自带的真空系】统，对反应室《抽真：空测试极限》真空度应能达到气】压不大？于1.0×10-】。4Pa用氦》质谱检？漏，仪检测反《应，室漏气率不应大【于1.0×10-】6P：a·L／s； ！    —。 4  开机进入】主界面时应打开【机械泵和分子—泵待分子泵的速度达！到满转后《方可进？行刻蚀？工艺； ！   ？ 5  应将基【片放到刻蚀》腔室承？片台上应关闭腔【室并设？置好工艺气体流量、！射频：电源电压、刻蚀时间！进行刻蚀《工艺：； 》     6  ！设备应具备光—学发射？光谱法终点检测系统！；， 》     7  】刻，蚀结束后应用膜厚】测量仪测《试基片的上、下、左！、，右、中五个点—应，记录打开《窗，口中剩余聚》酰亚胺的《厚度片内和片间【的刻：蚀厚度允《许偏差？应为±3％》 ：