， ： 5.？8  反应离子刻蚀！机 《 5.8】.1  反应离子】刻蚀机？的安装应符》合下列规《定   ！。  1  应通过】调节四个地脚—高度来调平承片台】；   ！  ：2  ？应根据设备和环境要！求，安装一般排风系【统或酸碱排》风系统； 》 》    《3  设备总电【源，应配置专用》空气开关接地线应】可靠；？ ， 《     4—  刻蚀电极应独立！。。安装循环冷却水系】统水：压应为0.》2MPa～》0.6MPa—水温：应保：持在16℃～2【8℃水阻不应小【于3M？Ω； 【   ？  5  》应安装工艺》用气CF4、SF6！、C：4F和O2等气体】管道若厂房没有【配置固定的》管道气体.》可采用罐装气—体接入； 【   》  6  射—频电源功率可—分别：设置为1《0，00W？和500W》并应具？有阻抗自动匹配功】能； —     7 】。。 应根据气体性质】安装气？体泄漏报《警装置 《 ？ 5.8.2 】 反应离子刻蚀机】。。的调试及试运行【应符合下列规定 ！ ？    《 1  应准备好】已涂覆上相同—厚度聚酰亚胺膜层的！基片且应《已有均匀《的掩模？。窗口； —     2】  应启动循环冷却！水系统？并检查循环水箱水】位，水位过低《时可：从水箱上方的注水口！注入纯水并应确保】其水位在“MA【X”和“MI—N”之间《；   ！  3 《 应切断《进气：阀，和保：护阀可用设备自带】的真空系统对反应室！抽真空测《试极限真空度—应能达到气压不大于！1.：。0×10-4—Pa用氦《质谱检漏仪检测反】应室漏？气率不应《大于：1.0×《。10-？6Pa·L／s； ！ 《 ，    4 — 开：机进入？主界面时应》打，开，。机械泵？和分子泵待分子泵】的速度达《到满转？后，方可进行刻蚀工【艺； ？ ：   》。  ：5 ：。。 应将基片放到【刻蚀腔室《承片台上应关闭腔室！并设置？好工艺气体》流量、？射频电源电》压、：刻蚀时间《进行刻蚀工》艺； 》。 ，    》。 6  《设备应具《备光学？发射光谱《法终点检测系统；】    ！ 7：  ：刻，蚀结束后应用—膜厚测量仪测—试，基片的上、下、左、！右、中五个点应记】录打开窗口中剩余聚！酰，亚胺的厚度片内【和片间的《。刻蚀厚度允许偏差】应为±3％ 【