5.—。8, :。反,应离子刻蚀》机
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5.8.【1, , 反应?离,子刻:蚀机的安装应符【合下列规定
—。
】 1 应通—过调节?四个地脚高度—来调平承《片台;
【
《 2 应根【据设:备和环境要求安装】一般排风系统或酸】碱排风系《统;
》
3 ! 设:备总电源应配置【。专,用空气开关》接地线?应可:靠;
》
4】 :刻蚀电极应》。独立安装《。。循环冷却水》系统水压应为—0.2MPa~0.!。6MP?a水温应保持在16!℃~28℃》水,阻不应小于3M【Ω,;
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【 5 《 应安装工艺用【气CF?4、SF6、—C,4F:和O:2等气体管道若厂】房没有配置》固,定,的,管道气?体.可采用罐装【气体接?入;
【。。
《 6: 射频《电源功率可分别【设置为1000【W,和500W并应具有!阻抗自?动,匹配功能;
!
—7 应根据—气体:。性质安?装气体泄漏报—警装置
】
5.8.2 【 反应离子》刻蚀机的调试—及试运?行应符合下列规定】
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》 1 《 应准备好》已涂覆上相同厚度】聚酰亚胺膜层的【基片且应已》有均匀的掩模—窗口;
】。
2— 应启动循环【冷却水系统并检查循!环水箱?水位水位过低时【。可,从水箱上方的注【水口注入纯水并应】。确保:其水:位在“MAX”和】“MIN”之间;】
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】 3 应切断【进气阀和保护阀可用!设备自带的》真空:系统对?反应室抽真空测【试极限真空》。度应:能,达到气?压不大于1.—0,×10-4P—a用氦质谱》检漏仪?检测反应室漏气率】不应大于1》.0×10-—6P:a·L?/s;?
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【 4? 开机进入主界】面时应打开》机械泵和分子泵【。待分子泵的速度达到!满转后方可进行【刻蚀工艺;》
《。。
—。5 应将》基片放到刻蚀—腔室承片台上应关闭!腔,室并设置好工艺气体!。流量、射频》电源电压、刻蚀【时间进行刻》蚀工艺;
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》 6 设备应具!备光学?发射:光,谱法终点检测系统】;
《
? 7 刻】蚀结束后应用膜厚】测量仪测试基片的】上、下、左》、,右、中五个点应【。记录打?开窗口中《剩余聚酰亚胺的【厚,度,片内和片间》的刻蚀厚度允许偏差!应为±?3%
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