5.—8 ：。。 反应离子刻蚀机】 ： 5.8！.1  反应离子刻！蚀机的？安装应符合下列【规定 — ：   ？ 1  应通过调】节四个地脚高—度，来调平承片》台，；， ？    — 2 ？ 应根？据设备和环境要求】安装一般排风系统或！酸碱：排风系统； 】 ， ，。  ：   3  —设备总电源》应配置？专用空气开关接【地线应？可靠； 】  ：   4  —刻蚀电极应》独，立安装循环冷却【水系统水压应—为0.？2，MPa～0》.6MP《a，水温应保持在—16℃～28℃【水阻不应小于3M】Ω； 【     5—  应？安装工艺用气—CF：4、SF6、C4】F和：。O2等气体管—道若厂？房没有配置固定【的管道气体.可采】用罐：装气体接入》；   ！  6  射频【。。电源功？率可分？别设置？为1000》W和500》W，并应具有阻抗自动匹！配功能； 【     7 ！ 应根据气体性【质安装气《体泄漏报警装置【 —5.8.2》  反？应，离子刻蚀机》。的调：试及试运行应符【合下列规定》 《    》 ，1  应准备好已涂！覆，上相同？厚度聚酰亚胺膜层的！基片且？应已有均匀的掩模】窗，口； 【    《 ，2 ： 应启动《循环冷却《水，。系，统并检查循环—水箱水位水》位过低时可从水箱上！方的注水口》注入纯水并》应确保其水位在“M！AX”和“M—IN：”之间；《 ，     ！3  应切断进气】阀和保护阀》可用设？备自带的真》空系统对反应室抽真！空测试极限真空【度，应能达到气》压不大？于1.0×10-】。4Pa用《氦，质谱检漏仪》检测反应室漏—气率不？应大于1.》0×：10-6Pa·L／！s； —  ？   4  开机进！。。入主界面时应打开机！械泵和分《子泵待分子泵的速度！达到满转后》。方可进行刻》蚀，工艺； 》 ：     5 】 应：将基：片，放到刻蚀腔室—承片台？上应关闭腔室—并设置？好工艺气体流—量、射频电源—电压、？刻蚀时间进行—刻，蚀工艺； 】。     6 】 设备应具》备，光学发射光谱法终点！检测系统《； 《    — 7  刻蚀结束】后应用膜《厚测：量仪测试基》片的上、《下、左、右、中【五个点应记》录打开窗《口中剩余聚酰亚胺】的厚度片内和—片间的刻蚀》厚度：允许：偏差：应为±3《％， ：