《5.8  反应离子！刻，蚀机 》 ， 5》.8.？1  ？反应离子刻蚀机【的安装应《符合下列规定 】     】1  应通过调【节四个地《脚高度来调平—承片台； 【     2】  应？根据：设备和环境》要，求安：装一般？排风系统或酸—碱排：风系统； —   —。  3  设备【总电源应配置专用】空，气开：关接地线应》可靠：； 【。  ： ， 4 ？ 刻蚀电极应—独立安装循环冷却水！系统水压应为0【.2：MPa～《0.6MPa水温应！保持在16℃—～28℃《水阻不应《小于3M《Ω； 【。     》5  应安装工艺用！气CF4《、SF6、》C，4F和O2等—气体管道《若厂：房没有配置》固定的管道气体.】可采：用罐装气体》接入； ！   ？ 6  射》频电：源功率可《分别设置为10【00W和5》00W并《应具有阻抗自动【。匹配功能； —  —   ？7  应根据气体性！质安装气体泄漏报警！装置 — 5.8》.，2 ： 反应离子刻—蚀机的调试及试运行！应符合下列规定 】  —  ：。 1  应准备【好已涂覆上》相同厚度《聚酰亚胺膜层的基】片且应已有均匀的】掩模窗口； 】     2】  应启动循—环，冷却水？系，统并检查《循环水箱《。水位水位过低时【可从水箱上方的注水！口注入？纯水：并应确保其》水位在？“MAX”和“M】I，N”：之间； 【     3【  应切断进气【阀和保？护阀可用设备—自带的真空系—统对反应室抽—。真空测试极限—真空：度，应能达到气压—不大：。于1.0×1—0-4Pa用氦质谱！检，漏仪检测反应室【漏气率不应大于1.！0×：10-6Pa—·L／s； 【 ： ， ，    《4  开机进—入主界面时应—打开机械泵》。和分子泵待分子泵的！速度：达到满转后方—可进行？刻蚀工艺； 【。。  》  ： 5  应将基片放！到刻蚀腔室》承片：台上应关《闭，腔室：并设置？好工艺气体》流量、射频电源电】压、刻蚀时间—进行：刻蚀工？艺； 》     6】  设备应具备光学！发射光谱法终—点检测系统； ！  《   7 》 刻：蚀，结束后应用膜厚测量！仪测试基片的上、下！、左、右、》中五个点应记—录打开？窗口中剩余聚酰亚胺！。的厚度片内和片间】的刻蚀？厚度允许偏》差应为±3％ 】