5.—。8，  ：。反，应离子刻蚀》机 — 5.8.【1， ， 反应？离，子刻：蚀机的安装应符【合下列规定 —。    】 1  应通—过调节？四个地脚高度—来调平承《片台； 【   《  2  应根【据设：备和环境要求安装】一般排风系统或酸】碱排风系《统； 》     3 ！ 设：备总电源应配置【。专，用空气开关》接地线？应可：靠； 》     4】  ：刻蚀电极应》。独立安装《。。循环冷却水》系统水压应为—0.2MPa～0.！。6MP？a水温应保持在16！℃～28℃》水，阻不应小于3M【Ω，； ：   【  5 《 应安装工艺用【气CF？4、SF6、—C，4F：和O：2等气体管道若厂】房没有配置》固，定，的，管道气？体.可采用罐装【气体接？入； 【。。    《 6：  射频《电源功率可分别【设置为1000【W，和500W并应具有！阻抗自？动，匹配功能； ！     —7  应根据—气体：。性质安？装气体泄漏报—警装置 】 5.8.2 【 反应离子》刻蚀机的调试—及试运？行应符合下列规定】 ： ，   》  1 《 应准备好》已涂覆上相同厚度】聚酰亚胺膜层的【基片且应已》有均匀的掩模—窗口； 】。     2—  应启动循环【冷却水系统并检查循！环水箱？水位水位过低时【。可，从水箱上方的注【水口注入纯水并应】。确保：其水：位在“MAX”和】“MIN”之间；】 ，    】 3  应切断【进气阀和保护阀可用！设备自带的》真空：系统对？反应室抽真空测【试极限真空》。度应：能，达到气？压不大于1.—0，×10-4P—a用氦质谱》检漏仪？检测反应室漏气率】不应大于1》.0×10-—6P：a·L？／s；？ ，   【  4？  开机进入主界】面时应打开》机械泵和分子泵【。待分子泵的速度达到！满转后方可进行【刻蚀工艺；》 《。。     —。5  应将》基片放到刻蚀—腔室承片台上应关闭！腔，室并设置好工艺气体！。流量、射频》电源电压、刻蚀【时间进行刻》蚀工艺； — ，   》  6  设备应具！备光学？发射：光，谱法终点检测系统】； 《 ？    7  刻】蚀结束后应用膜厚】测量仪测试基片的】上、下、左》、，右、中五个点应【。记录打？开窗口中《剩余聚酰亚胺的【厚，度，片内和片间》的刻蚀厚度允许偏差！应为±？3％ ？ ，