5》.8 ？。。 反应离子刻蚀机 ！ 《 ： 5.8.1  反！应离：子刻蚀机的安装应】。符合下？列规定 】。     1 【 应通过调节四个】地脚高度来》调平承片《台； 】    2  【应根：据设备和环境要【求安装一般排风系】统或酸碱排风—系统； 《     ！3  设备》总电：源应：配置专用空气—开，关接地线应可靠【； —     4  】。刻蚀电极应》独立安？装循：环冷却？水系统水压应为0.！2，MPa～0.—6，MPa水温应保持】在16℃～》28：℃水阻不应》小于3？MΩ； 《 《  ：  ： 5  应安装【工艺用气C》F4：、SF6、C4【F和O2等》气体管道《若厂房没有》配置固定的管道气体！.可采用罐装气体接！入；  ！   6  射【频电源功率可—分别设置为1—000？W和500W—。并应具有阻抗自动匹！配功：能； 《 ：。     7  ！应根据气体》性质安装气体—泄漏报警装置— 5.8！。.，2  反《应，离子刻蚀机的调试】及试运行应符合下】列规定？   】  1  应准备好！已，涂覆上相同》厚度聚？酰亚胺膜层的基片且！应已有均匀的掩模窗！口； 【    《 2  应启动循环！冷却：水系统并检查循环】水箱水位《水位：过低：时可从水箱上—方的注水口》注入纯水《并，应确保其水位在“M！AX”和“MIN”！之间：； 【    3  应切！断进气阀和保—护，阀可用设备自—带的真？空系统？对反应室抽》真空测试极限真空】度，应能达到气压不大于！1.：0×10-4P【a用氦？质谱检漏《仪检测反《应室漏气率不—应大：于1.0《×10-6》Pa·L／s—；   ！  4？  开机进入主【界，面时应打开机—械泵和分子泵待分】子泵的速度》达到满转后方可进行！刻蚀工艺； 【    【 5  应将基片】放到刻？蚀腔室承片台—上应：关，闭腔室并设置好工艺！气，体流量？、射频电源电—压、刻？蚀时间进行刻蚀工】艺，。；   ！ ， 6  《设备应具备光学发射！光，。谱法终点检测系【统； 】    7》  刻蚀《结束后应用膜—厚测量仪测试基片】的上、下、》左、右、中五个点】应记录打开窗口中剩！余聚酰亚胺的厚度片！内和片间《的刻蚀厚度允许【偏差应为±3—％， ：