5.8 】 反应离子》刻蚀机 — ： 5.8—。.1 ？ 反应离《。。子刻蚀机的安装应符！合下列规《定， 》     1  应！通过调节四个—地脚高度《。来调平？承片台； 】    》 2：。  应？根据设备和环境要】求安装一般排风系统！或，酸碱排风《系统； 《    】 3  设备总电源！应配置专用空气开】关接地线应可靠；】  【   4《  刻蚀《电极应独立安—装循环冷却》水系统水压应为【。0，.2：M，Pa～0.6—MPa？水温：应，保持：在，16℃？～28？。℃，水阻不应小》于3M？Ω； —   《  5？  应安《装工艺用气C—F4、SF6、C4！F和O2等气体管】。道若：厂，房，没有配置固》定的管？。道气体.《可采用罐装气体接入！；  】  ： 6 ？ 射频电源功率【可分：。别设置为《1000W和500！W并应具有》阻抗自动匹配功能】；   ！  ：。7  应根》据气体性质安装气体！泄漏报警装置— ？ 5《.8.2  反应】。离子：刻，蚀，机，的调：试，及试运行应符合下列！规定 《 ：     1【  应准备好已【涂，覆上相同厚度聚【酰亚胺？膜层的基《片且应已有均匀【的掩模窗口； 】     】。2  应启》。动循环？冷却水系统并检查】循环水箱水位水【。位过低时可从—水箱上方的注水口注！入纯水并应确—保其：水位在“《MA：X”和“MIN”】之间：； 《     【3  应切断进【气，阀和：保护阀可《用，设，备自带的真空系统对！反应室抽真空测【试极限真空度应能】达，到气压不大于1【.0×10》-4Pa用氦质【。谱检：漏仪检测反应室漏】气率不应大》于1.0《×1：0-6Pa·L／s！；  】  ： 4 ？。 开机进入主—界，面时：应打：开机械泵和分子泵】待分子泵《的速度达到满转后方！可进行刻蚀工艺； ！ ：    — 5  应将—基片放到刻》蚀腔室承片台—上应关？闭腔室并设置好工艺！气体流量《。、射频电源电—。压、刻蚀时间—进行刻？。蚀工：艺； 》。    — 6  设备应【具备光学《发射光谱法终点检测！系统； 《    】 7  刻》蚀结束后应用膜厚】测，量仪测试基片的【上、下、左、右、中！五个点应记录打开】窗口中剩余聚酰【亚胺的厚度片内和】片间的？刻蚀：厚度允许偏差应【为±3？。％ ？