？ 3.2 》 ，生产环境设计要【求 — 3《.，2，.1：  在现行国家标准！洁净厂房设计规范】。GB 50073-！2001中》。等同采用国际—标准洁净室及相关】受，控环境？第一篇IS》O， 1：4，644-1中有关】洁净室及相关受控】环，境空：气中悬浮粒子洁净度！级别：划分 《 3》.2.？2、3.2.3 】 电子产品的种【类繁多随着微型【化、精密化、高纯】度，、高质量和高可【靠的：电子产品品种的【增加需？要在空气悬浮粒【子受控？环境中进《行全过程生》产或部分《生产的？电子产品主要有【各种半导体材料及其！器件生？产、集？成电路生产、化【合物：半导体生产、光电】子生产、薄膜—晶，体管液晶《显示：器(Thin F】ilm 《T，r，ansistor ！Liguid 【Cry？stal《 D：is：play简称TF】T，-LCD)》生，产、微硬盘驱动器】(Hard —Di：sk ？Driver简称H！DD)生产、—等离：子显示器《(Plasma 】Displ》ay Panel简！称PDP)生产、磁！头，和磁带生产、光【导，。。纤维生产、》印制电路《板等 】各类产品的品种不】同、生产工艺不同】所要求的空》气，洁净度等级也不相】同因此第3》。。.2：。.2条规定各种电子！产品用洁净厂房【设计时生产环境【的，空气洁净度等级应根！据生产工艺要—求确定；当》在设计？时业：主或发包方未提【出要求或暂时未提出！要求时可《参照本规范》附录A的要求—确，。定在附录A所—列要求中由于—各种产？品，生产：工艺：都各不相同所以【对于空气洁净—度等：级、控制粒径均列出！一，。定的范围供》参考为？说明这些差》异下：面，列举一些工程的【实例供参考》 ： ， 1  表4～！表6分别列出8【″和4″、》5″硅单《晶及硅片加工、【集成电？路的芯片制造—、TFT-LCD生！产所需的《空气洁？净度等级、温度、】湿度的实例 ！ 】 2 】 微硬盘《驱动器（HDD【。）生产用洁净厂房】溅射生产区4—。级，组装、测试等6级 ！。 《 3  《高密度磁盘生产【用洁净厂房 】 ： 【4  ？表7、表8分别【。列出彩色显像管生产！、光导纤维生产所】需的空气洁净—度等级、温度、湿度！的实例 】 — 》 5  磁头生产！。用洁净厂房磁头【装配、溅射烧结等】要求4级(》0.：1，μm)研磨、—检测等要《求，5级(0.》。1μm)切割等要求！6级 6！ ， 印制电路板生产用！。洁净厂房6.5【。级、24±2℃、6！5％±5％ ！ 7 《 锂电池《生，。产的干作业》洁净生产区6级【、23℃露点(DP！)-30℃；组装、！测，试洁净室《(区)7级、23】±2℃？、≈：20％ 【。 8 《。 等离子《显，示器(？。PDP？。)生：产用：洁净厂房涂屏间【等，5.5级、25±】2℃50％±10％！；其他生产间—6，.5～8级、20】～26℃、55【％±10％ — 《 3.2.4—  现代电》子产品生产的重【要特点之一在许多电！子产品的《生，产过程中需使用【高纯：水、高纯气体—和高纯化学品—且各类电子产—品生产时因品—种，不，同、产品生》产工艺也不同对高纯！物质：的纯度、杂质含量】的要求不同它—们之间差异很大表】。9是中？国电子级水的技术】指标表10是美国】ASTMD512】7电子及半导—体，。工业用纯水》的水质？。要求表11是—TFT-LC—D生：产用纯？水水质要求表12】是一个？8″集成《电路芯片制造用【高，纯水水？。质要求？ — 》。 ！ 【 ？ 【 3.2.！5  近年来对一些！电，子工厂的洁净室【（区）内《的噪：声级（空态）的【检测资料表明大部】分，单向流洁净室（区】。）内的噪声均可【小于65dB（【A）也？有少数洁净室—。。（区）由于各种原因！实际检测的噪声【超过65dB—（A）非单》向流洁净室（区）】内，的噪声大《部分可小《于60dB（A）表！。16：是部分？电子工厂洁净室【（区）内噪声—的检测？数据 — 《