？ 3.2  生产环！境设计要求》。 】3.2.《1  ？在，现行国家标》准洁净？厂房设计规范GB ！50：073-20—01中等同采用【。国际标准洁净—室，及相关受控环—境第一篇IS—O 14644-1！中有：关洁净室及相关受】控环：境，。空气中悬浮粒—子洁净度级》。别划分 — 3.》2.2、3.2【.，3  电子》产品的？种类繁多随着—微型化、精密化【、高纯度《、高质量《。和高可靠的》电子产品《品种的增加需要在空！。气悬浮？。粒子受控环境中进行！全过程生《产或部分《生产的电子产品主要！有各种半导体—材料及其器件生产、！集成电路生产、化合！物半：导体生产、光电子】生产、？薄膜晶体管》液晶显示器(—Thin《。 F：ilm Tran】sis？tor 《。Liguid— Crystal】 Displa【y简：。称TF？T-：LCD)生产、【微硬盘驱动器—。(Hard》 D：isk Dri【ver简称HDD】。。)，生，。。产、等离子》显示器(Plas】ma Displ】ay Pan—。e，。。l简称P《DP)生产、磁【头和磁带生产、【光，导纤维生产》、印制电路板等 ！ 各类产【品的：品种：不同：、生产工《艺不同所要求—的空气洁《净度：等级：也，不相同？。因此第3.2.2】条规定各种电子【产品用？洁净厂房设计时生产！环，境的空气洁净度【等级：应根据生《产工艺要《求确定；当在设计】时业主或发包方未提！。出要：求或暂时未提出要求！时可：参，照本规？范附录A的要求确】定在附？录A所列《要求中由于各种【产品生产工艺都【各，不相同所以对于空】气洁净度等级、控】制粒径均列出一定的！范围供参考为—说明这些《差异下面列》举一些？工程的实例》供参考 【 1？  表4～表6分别！列出：8″：和4″、5″—硅单晶及《硅片加工、集—成电路的芯片制造、！TFT-LCD生】。产所需的《空气洁净度等级、温！度、：湿，度的实例 ！ 《 ？ ： 2  微硬！盘驱动器《（HDD）生产【用洁净厂房溅射生产！区4级？。组装、测试等—6级 《。 ，。 3  高密】度磁盘生产用洁净厂！房， ： ， 【 4？  表7、表—。8分别列出》彩色显像管生产、】光导：纤维生？产所需的空》气洁净度等级、【温度：、，湿度的实例》 — ！ ：。 5：  磁头《生，。产用洁？净厂房磁头》装，配、溅射烧》结，等要求？4级(0《.1μm)研磨、检！。测，等要求？5级(0.1—。μm)切《割等要求6级— 6【  印？制电路板生产用【。洁，净厂房？6.5级《、24±2℃—、65％±5％ 】 《 7  锂电池生产！的干作？业洁：净生产区6级、2】3℃露点(DP【)-30℃；—组装、测试洁—净，室，(区)？7级、23±2【℃、≈20》％ 《 ？8  等《离子显示器(P【DP)生《产用洁净《厂房涂屏间》等5.5级、25±！2℃50％》±10％《；其：他生：产间6.《5～8级、20【～26℃《、55？％±10％ ！ 3.2.—4  现代电子产品！生产的重要特点之一！在许多？电，子产：。品的：生，产过程？中需使用《高纯水、高纯气【体和高纯化》学品且各类电子产品！。生产时因品种不同、！产品：生产工艺也不同对高！纯物质的《纯度、杂质含—量的要求《不同它们之间差异很！大表9是中国电子级！。水的技术指标表10！是美国ASTMD5！127电《子，及半导体工业用纯水！的水质要《。求表：11：是，TFT-L》CD生产《用纯水水质要求【表，12是？。一个8″《集成电路芯》片制：造，用，高，纯水水质要求 ！ 》 ： ？ ， 【。 【 》 —。 3.2.5 ！ 近年来《对，一些电子工厂的【洁净室（区）内的】噪声：级（空态）的检【测资：料表：明大部分《单向流？洁净室？（区）内的噪—声，。均可小于6》5dB？（A：）也有少数洁净室】（区）由于各种【原因实际检测的【噪声超过65dB（！A）非单向流洁【净室（区）内的噪声！大部分可小于60】dB（A）表16是！部分电子工》厂洁：净室：（，区）内噪声》的检测数据 — 【