3.—2  ？生产环？。境设计要求》 》 3.2—.1：  在现《行，。国家标？准洁净厂房设—计规范GB 50】0，73-？2001中》等同采用《国际：标准：洁净室及《相关受控环》境第一篇ISO 1！4644-1中【有关洁净室及相【关，受控环境空》气，中悬浮？粒，子洁净度级别划分】 3.2！.2、3.》2.3？。  ：。电子产品的种类繁多！随着微型《化、精密化、高【。。纯度、高质》量和高？可靠的？电子产品品种的增】加需要在空》气悬浮粒子受—控环境？中进行全过程—生产或？部分生产的电子产】品主要有《各种半导体》材料及其《器，件生产、《集成电路生产—、化合？物半导体《。生产、光电》子生产、薄膜晶体】管液：晶显：。示器(Thin【 F：ilm Tra【nsistor L！ig：uid Cr—。ystal》 D：isp？lay简称TFT-！LCD)生》产、微？硬盘驱动器(Ha】rd Dis—k Driver】简称HDD)生产】、等离子显示器【(Plasma【。 Disp》lay Panel！简称PDP)生产、！磁头和磁带生产、】光导纤维生产、【印制电路《板等 —。 各类产品—的品种不同》、生：产工：。艺不：同，所要：求的空气洁净度等】级也不？相同因？此第3.2.2【条规定各种电子产】品用洁净厂房设计时！生产环？境，的，空气洁净度等级应】根据生？产工艺要《求确定；当在设【计，时业主或发包方【未，提出要求或》暂时：未提出要求》时可参照本规范【附录A？的要求确定在附录A！所，列要求中由于各种】。产品生产工艺都各不！相同所以对于空气】洁净度等级、控【制，粒径均列出一定【的范围供《。参考为说明这些【差异下？。面列举一《些工程？。的，实例供参考》 —1  表4～表【6分别列出8″【和4″、5″硅单晶！。及硅：片加工？、集成电路》的芯片制造、T【。FT-LCD生【产所需的空气洁净】度等级、温度—、湿度？的实例 ！ ！ ， 2  》微硬盘驱动器（【HDD）生产用洁净！厂，房溅射生产》区4级组装、测试等！6级 《 ？ 3：  高密度磁—盘生产？用，洁净：厂房 【 《 ， 4  表7、表！。8分别列出》彩，色显：像管生产、光导【纤维生产所需的空】气洁净度等级—、温：度、湿度的实例 ！。 ！ — 5  《磁头生产《用洁净厂《房，磁头装？配、溅射烧结等要】求4级？(，0.1μ《m，)研磨、检测等要】求5：级(0.1》μm)切割等要求】6级 》 6  印制电！路板生产《用洁净厂《房6.？5级：、24±2℃—、65％±5％【 ： 《7  锂电池生【产的干作业洁净生】产区6级、23【℃露点(DP)-3！0℃：；组装、测试洁净】室(区)7》级、23±2℃、】≈20％ 》 8—  等离子显示器】(P：DP)生产用洁净】厂房涂屏间等5.5！级、25±2℃50！％±10％；其他生！产，间6.5～8级、2！0～26《℃、55％±10％！ —3.2.4  现代！电子产品生产的【重要特点之一在许多！电子：产品的生产过—程中需使用高纯水】、高纯气《体和高纯化学品【且各类电子产品【。生产时因品种—不，。同、产品《生产工艺《。也不同对《高纯物质的纯度、】杂质含量的要—求不同它们》之间差异很大表9是！中国电子级水的【技术指标表10是】。美国A？。STMD《5127电》子及半导《。体工业用纯水—的水：质要求？表11是TFT【-LCD生产用【纯，水水质要求表12】是一个8″集—成电路芯片制—造用高纯水水质要求！ ， ， 【 — ， ， 】 《 》 】3.2.5  【。近年来对一些电子】工厂的洁《净室（区）内的【噪，声级（空态）的检】测资料表明大部分】单向流洁净室（区】）内的噪声》均可小？于65dB（A）也！有少数？洁净室（区）—由于各？种原因实《际检测的噪声超【过6：5dB（A）—非单：向流：洁净室（区）内【的噪：声大部分可小于【60dB《（A）表16是部】分电子工厂洁净室（！区，）内噪声的检测数】据 ： ： 》