。 3》  电子产品生产】。环境设计《要求 《 ： 《 3.1》  一般规定— 3！.，1，.1～3.1.3】  随着科学技术的！发展电子产品—。生产日新月异—。以微：电子产品为代表的】各种：电子产品生产技术】发展：迅速：。现代电子产品—要求微型化》、精：密化、高纯度、高】质，量和高可靠》性以人们《熟悉的手机、笔【记本电脑为例—它所使用的集—成电：路、电子元器件以】及其组装《的生产过程都要求在！受控环境条件下进行！操，作其中以集》成，电路生产过程对受控！环境的要求》尤为严？格当今线《宽为45nm的超大！规模：集成电路产品已投入！生，产其：受控生产环境洁【净室(区)的—受控粒子尺寸要【求小于0.0—2μm甚至》更小表1是超大规】模集成电《路的发展及相应【控制粒子的粒—径，集成电路产品的【生产和研《究表明？超大规模集成电【路生产所《需，受控环？境不仅？严，格，控，制微粒？而且还需严格控【制生产环境的—化学污染物和直【接与：产品生产过程—接触的各种介—质，高纯水、高纯—。气体、化学品的纯度！。和杂质？含量表2是超大【规，模集成电路对化学污！染物的控制指标表3！是大规模集成—。。电，路的：工艺发展 ！ 】 从—表1～表3中—所列数据可见动态】随机存储器(Dyn！ami？c Rand—om Acces】s memor【y简称DRAM)产！。品的线宽《从0.25pm发展！。到0.05 μm要！求洁：净，室(区)生产环【境控制粒子直—。径，从0.125μm】严格到0《.025μm空气洁！。净度：等，级从5？级到6级严格到【1，级，。。或更严；生产过【程使用的高纯气、】。高纯水中的杂—质含量从10-6】严格到10-1【1等集成电路生产】。实，践，。表明芯？片生：产过：程使用的工具、器】具和物料储运装置也！可能成为《微粒、化学污染物】的携带？者或污染源》所以：对其制作材质和【。清，洁方式或保护—方法应根据产品生】产工艺要求采—取，相应：的，技术措施为此—在本规范中作出第】。3.1？～，1～：3.1.3条的一般！规定 《