： 3  电子【产品生？产环境设计要求 】 》。。 3》。.1：  一般规定— ， 3.！1.1？～3.？1.3？  随着科学技术的！发展电子产品生【产日：。新月异以微电子产】品为：代表的各种电子【产品生产技术发展】迅速现代电子产品要！求微型化《、精密化、高纯【度、高质量和高【可靠性？以人们熟悉》的手：机、笔记本电—脑为例？它所：使用的集成电路、】电，子元器？件以及其组装—的生产过程都—。要求在？受控环？境条件下进行操【作其中以集成—电路生产过程对受控！环境的要《求尤为严《格，当今线？宽，为45？nm的超大规模【集成电路产》品，已投入生《。产其受控生产环境洁！净室(区)》的受控粒子尺寸要求！小，于0：.0：2μ：m甚至更《。小表1是超大规模集！成电路的发展及相】应控制粒子的—粒径集成《电，。路产品？。的，生产和研究表明【超大规模《集成电路生》产，所需受控环境不仅】严格控制微》粒而且还需严格控制！生产环境的化—学污染物《和直：接与：产品生产《。过，程接触的各种介【质高纯水、高纯气】体、：化学品的纯度和杂】质含量表2是—超大规模集》成电路对化学污染】物，。的控：制指标表3》是大规模集成电路的！工艺发展 》 【 — ， ， 从表1～表3中！所列数据可见动【态随机？存储器(《Dynamic R！ando《m Acces【s memo—ry简？称，DRAM)产—品的线宽从0.2】。5，pm发展到0—.05 μm要求洁！净室(区)生—产环境控制粒子直径！从0.125—μm严格到0.02！5，μm空气洁净—度等级从5》级到6？级严格到1》级或更？严；生？产过程使用的—高纯气、高纯水中】的杂质含量从10-！6，。严格：。到1：0-11等集成【电路生产实践表【明芯片生产过程【使用的工具、器【具和物料《储运装置《也，可能：成为微？粒，、化学？。。污染物的携带者或污！。染源所以对其制作材！质和清洁方式或保】。护方：法应根据产品生产工！艺要求？采，。取相应的技术措施】为此在本规》范，中，作出第3.1～1】～3.1《.3条的一般规定 ！ ，