3  电子！。产品生？产环境设计要求 ！ 》 ？3.1  一般规定！ 3！.1.1～3.1.！3  随着科—。学，技术的？发展电子产品生【产，日新：月异以微电子产品为！代表的各《种电子？产品生产技术发展迅！速现代电子产—品要求微型化、精】密化、？高纯度？、高质？。量和高可靠性以【。人们熟悉的手机、】笔记本？电脑为例它所使【用，的集成电路》。、电：子元器件以及—。其组装？的，生产过程《都要：求在受控环境—。条件下？进行操作其中以集】成电路生产》过程对受《控环境的要求尤为】严格当今线宽为4】5nm的《超大规模集成电【路产品已投入生【产其受控生产—。环，。境洁净室(区—)的受控粒子尺寸要！求小于0.0—2μm甚至》更小表1是》超大规模集成电路的！发，展及相应控》制粒子的粒径集成】电路产品的生产和研！究表明超大规—模集成？电路生产《所需受控环》境，不仅严格控制—微粒：而且还需严格控制】生产环境的化—。学污染物和直接与】。产品生产《过程接触的各种介】质高纯水、》高纯气体、化学品】的，纯度和杂《质含量表2是—。超大规模《集成电路《对化学污染物的控】制指：标表3是大规模集成！电，路的工艺发展 【 — 】 ： 从表1～》表3中所《列数据可《见动态随机存储器】(Dynamic】 ，Ran？dom？ Ac？c，ess 《memory简【称DR？A，M，)产品的线宽—从0.25》pm发展到0.0】5 μm要求洁净室！(区)生产环境【控制粒子直径从0】.125μm—严格到0.025μ！m空气洁净度等级】从5级到6》级，严格到1《级或：更严；生产过—。程使用的高纯气、】高纯水中的杂—。质含量？从10-《6严格？到10-1》1等集成电路—生产实践表明芯片生！产过程使《用的工具、》器具和物料储运【装，置也可能成》为微粒、化》学污染物的携—带，者或污染源所以【。对其：制作材质和》清洁方式或保护方法！应根据产品生产【工，艺要求采《取相应的技术措施】为此在本规》范中作出第3—.1～？1～3.1.3【条的一般规定— ， ，