。 3 — 电子产品生产环】境设计要求 — ！3.1  一般【规定： ： ， ： ， 3.《1.1～《3.1？.3  随着科【学技术的《发展电子《。产品生？产日新？月异以微电子—产品为代表的各【种，电子：产品生产技术发【展迅速现代电—子产品要求微—型，化、精密化、—高纯度、《高质量和高可靠性】以人们？熟悉的手机、笔记】本电脑为例它所使】用的集成电路、【电子元器件以及其组！。装的生产过》程都要求在受控环】境条件下进》行操作其中以集成电！路生产过《程对受控环》境的要？。求尤为严格当今【线宽为45nm【的，超大规模集成电【路产：品已投入生》产其受控生产环【境洁净？室(：区)的受《控粒子？尺寸要求小》于0.02》μm甚至更小表1是！超大：。。规模集成电路—的发展及相应—控制粒子《的粒径集成电路【产品的生产》和研究表明》超大规模集》成电路生产所需受】控环境不《仅严格控制微粒而且！还需：严格控制生产环境】的化学？污染：物，和直接与产品生【产过：程接触的各种介质高！纯水、高纯气体、化！学品的纯度》和杂质含《量表2？是超大规模集成电路！。。对化学污染》物的控？制指标表《3是大？规模集成《电路的工艺发—展 》 《 】 从表1～表【3中所列数据可见动！态随机存储器(D】yn：a，m，ic Ran—dom Acce】ss memor】y简称DRA—M)产品《的线宽从0》.25pm发展到】0.：05： μm要求洁净【室(区？)生产环境控制粒子！直径从？0.125》μm严格到0—.0：25μm空气洁【净度等？级从5级到6级【。严，格，到1级或更》严；生产过程使用的！高纯气？、高纯水中的杂【质含量？从10-6》严格到1《0，-11等集成电路】生产实践表明芯片生！产过程使用的工具】、器具和物料储运】装置也可能成为微】粒、化学污》染物的携带》者或污？染源所以对》其制作材质》和清洁方式或—保，护，方法应根据》。产品生产工艺—要求：采取相应的技术措施！为此：在本规范中》作出：第3.1《～1～3《.，1.3条的一般规定！ ：