3  【电子产品生》产环境设计要—求 《 3.！1  一般》规定 — 3》.1.？1～3.1.—3  随着科—学技术？的发展电子》产品生产日》。新月异以微》电子产品为代表【的各种电子产品【生产：技术：发，展迅速现《代电子产品要求微】型化：。、精密化、高纯度、！高质量和《高可靠性以人们【熟悉的手机、笔记本！电脑为例它所—使用：的集成电路、电子】元器件以及其组【装，。的生产过程都要求在！受控环境条件—下进行操作其中以集！成电路生产过程对】受，控环境的要求尤为】严格当今线》。宽为45nm的【超，。大规模集成电路【产，品已投入生产其受】控生产环《境洁净室《(区)的受》控粒：子尺寸要求小于0.！02μm甚至—更小：表1是超大规模【集成电？路的发？展及相应控制粒子的！粒，径集成电路产品的】生产和研究》表明超大规模集【成电路？生产所需受控环境】不仅严格控制—微粒而且《还需严格《控，制生产环境的化学污！染物和直接与产【品生产过程接触的各！。种介质高《纯水、高纯》气体、化《。。。学，品的：纯度和杂质含量表2！是超大规模》集，成电路对化学污【染物的控制》指标表3是大规【模集成电路》的工艺发展 】 ， ： 》 从】。表1～表3中所列数！据可见动态随机存储！器(：Dyna《mic？ Ra？ndo？m Acce—ss mem—ory简《称DRAM)—产品的线宽从—0，.25p《。m发展到0.05】 μm要求洁—净室：(区)？生产环境控制粒子】直径从0.125】μm严格到0.0】。25μm空气—洁净度等级》从5：级到6级严格到1】级或更严；生产过】程使用的高纯—气、高纯水中的杂质！含量从10-—6，。。严格到1《0-11等集—成，电路生产实践—表明芯片生产过【程使用的工具—、器具和物料储运】装置也可能成—为微粒？。、化学污《染，物的携带《者或污？染源所以对》其制作材质和清洁方！式或保护方》法应根据产品生产工！艺，。要，。求采取相应的技术措！施为此在本规—范中作出第3.1】。～1～3.》1.3条《的一般规定 【