3》  电子产品生产】。环境设计要》求 《 3】.1  一般规【定 ！3.1.《1～3.1.—3  随着科学技】术的：发展电子《产品：生产日新月异—以微电？。子产品为代》表的：各种电子《产品生产技》术发展迅《速现代电子》产品：要求微型化、精【密，。。化、高纯度、高【质量和？高可靠性以人们【熟悉的手机、笔记】本电脑为例它所【使用的集成》电路、电子元器件】以及其组装的生【。产过程都《要求在？受，控环境条件下进行操！作其中以《集成电路生产过【程对受控环境—的，要求尤为严》格当今线宽为45】nm的超大规—模集成电《路，产品已？。投，入生产其受控生产环！境，。洁净室？(区)的受控粒子】尺寸要求小于0.】02：μm甚至更小表【1是超大规模—集，。成电路的发展及相】。应控制粒子》的粒径集成电路产品！的生产？和研究表明超大规模！集成电？路生产所需受—控，环，境不仅严《格，控制微粒而且还【需严格控制生产环境！。的化：学污染？物和直？接与产品生》产过程接触》。的各种介质高纯【水、高纯气体—、化学品的纯度【和杂质？含量表2是超大【规模集？成电：路对化学污染—物，的控制指《标表：3是：大规模集成电—路的工艺发展 】 ， ！ 从表】1～表？3中所列数》据可见动态随机存】储器(Dyn—amic Ran】。dom 《。Acc？ess 《memory简【称DRAM》)产品的线宽从0】.25？。pm发展到0—。。.05？ μm要求洁净【室(区)生产—环境控制粒》子直径从0》.，。125μm严格到0！.025μm空【气洁：净度等级从5级到】。。6级严格到1级或更！严；：生产过程使》。。用的高纯气、—高纯水？中的杂质含量从10！-6严格到1—0-1？1等集？成电路生《产实践表明芯片生产！过程使用的》。工具：。、器：具和物料储运—装置也可能成—为微粒、化学污染】物的携带者或污染】源，所以：对其制作材质和【清洁方式或保护方法！应根据产品生产【工艺要求采取—相应的技术措施为此！在本规？范中：作，出第3？.1～？1～3.1.3【条的一？般规定？ ：