？ ，3  电子产—品，生产环境《设计要求 ！ 》3.1  一—般规定？ —。 3.1.—1～3.1.3  ！随着科学技术的发】。展电子产品生产日】新月异以微电子产品！为，。代表的各种》电子产品《生产技？术发展迅《速现：代电子产品要求【微型化、精》密化、高纯》度、高质量和—高可靠性以人—们熟悉的手》机、笔记本电脑【为例它所使》用的集？成，电路、电子元器【件以及其组》装的生产《过程都要求在—受控环境条件下【进行操作其中以集】成电路？生产过程对》受控环境的要—求尤为严格当—今线宽为《45：nm的超大规—模集：成电路？产品已投入生产【其受：控生：产环境？洁净室？(区)的受控粒子尺！。寸要求小于0—.02？μm甚至《更小表1是超大规】模集成电《路的发展及相应控】。制粒子的粒径集【成电路产品的生产和！研究表明《超大：规模集成电路生产】。所需受控环》境不仅？严格：控制微粒《而，且还：需严格控制生产环境！的化学污染物—和直接与产品生产】过程接触的各种介】质高纯水、》高纯气体、化学品的！纯度：和杂：质含量表2是超大规！模集成？电路对化《学，。污，染物的控制指—标表3是大规模集】。成电：路的工艺发展 】 《 《 》 从表1～表】3中所列数据—可见动态随机存储器！(Dynamic ！Random A】c，cess mem】ory？简称DRAM)产品！的线宽从0.25】p，m，。发展到0《.05 μm要求】洁净室(区》)生产环境控制粒子！直径从0.125μ！m，严格到0.》。025？μm空气洁》净度：等级：从5级到6级—严格到1《级或更严；生—产过：。程使用的高》纯气、高纯水中【的杂质含量从1【0-6严《格到10-11【等集：成电路生产实践表明！芯片生产过》。。程使用的《工具、器具》和物料储《运装置也可能—。成为微粒、化学污】染，物的：。携带者或污》染源所？以对其制作材质和清！洁方：式或保护方法应根】据产品生《产工艺要求》采，取相应的技术—措施为此在本—规范：中作出第3.1【～1：。～3.1.3条的】一般：规定 《