。 ： 3  电子【产品生产环境设计】要求 】 ？ 3.1  —一般规定 】。 《3.1.《1～3？.1.3《。 ， 随：着科学？技术的发展电子产品！生产日新《月异：以，微电子产《。品，为，代表的各种电子产品！生产技术发展迅【速现代电子产品【要求微型《化、精密化、高纯】度、高？质量和？高可：靠性以人们熟—悉的手机、笔记本电！脑为例它所使用的】集，成电路、电子—元器：件以及其组装—的生：产过程都《要求在受控》环境条件下》进行操作其中以【集成电路生产过程对！受控：环境的要求尤为严格！。当今线宽为45n】m，的超大规模集—成电：路产品已《。投入生产其受—控，生产环境洁净—室(区)的受控【粒子尺寸要求小于】0.02μm—甚至更小表1是超大！规模集？成电：。。路，的发展及相应控【。制粒子？。的粒径集成电—路产品的生产—和研究表明超大规】。模集成电路生—产所需受控环境不】仅严格控制》微粒而？且还：需严格控制生产【环境的化学污染【物和直接与产—品生产过程》接触的各种介质【高纯水、高纯气【体，、化学品的纯度【和杂质含量表—2是：超大规模集成—电路对化学》污染物的控制指标表！3是大规《模集成电路的工艺发！展 ？。 ？ 《 — 从表1～【表3中所《列数据可见动态随】机存储器(Dy【namic Ra】ndom 》Access me！mor？y简称D《RAM)《产品的线宽从0【.25pm发—展到：0.05 》。μm要求洁净室(】区)：生产环境控制粒子】直径从0《.12？5μm严格到0.0！25μm《空，气洁净度等级从【5级到6级严—格到1级或》更严；生产过程【使用：的高纯气、高纯水中！的杂质含量从1【0-6严格》到10-1》1，等集成电路生产【实践表明《芯片：生产过程使用的工】具、器具和物料储运！装置也可能成为【微粒：、化学污染物的【携带者或污染源所】以对：其，制作材质和》。清洁：方式或？保护方？。。法应：根据产品生产工艺】。要求采取相应—的技：术措：施，。为此：在本规范中作出【第3.1～1～【3.1.《3条的一般规定【 ：