3  电】子产品？生产环境《设计要求 》 ， ， 3】.1  一般规定 ！ ？ 3.1【。.1～？3.1？。。.3：  随着科》。学技术的发展电子】产品生产日新月【异以：微电子产品》为代：表的：各种电？子产品生产技术发展！迅，速现代电子产品要】求微型化、精密【化、高纯度》、高质量《和，高可靠性以人们熟】悉的手机、笔记本电！脑为例？它，所使用的集成电路、！电子元器件》以及其组装》的，。生产：过程都要求在受【。控环境条件下进行】操作：其中以集《成电路生《产过程对受控环境】的要求？尤为严格当今线【宽为45n》m的超？大规：模集：成电：。路产：品已：投，。入生产其受控生产环！境，洁净室(区)的【受控：粒子尺寸要求小于0！.02μm》甚至更小《表1是超大规—模集成电路的发展及！相应控？制粒子的粒径集成电！路产品的《生产和研究表—明超大规模集成【。电路生产所需受【控，环境不仅《。严格控制《微粒而且还需—严格控制生产环境的！化学污染《物和直接与产品【生产过程接触的各种！介质高纯水、高纯】气体、化学》品的纯度和杂—。。质含量表2是—超大规？模集成电《路，。。。对化学污染物的控】制指标表3是大规】模集成电路的工【。艺发展 】 ！ 从表1～表！3中所列数据可【见，动态随机存储—器(Dy《na：mic R》andom Ac】cess mem】o，ry简称DR—AM)？。产品的线宽从0【.25pm发展到0！.05？。 μm要求洁净室(！区)生产环境控【制粒子直径》从0.125μm】严格到0.0—25μm空气—。洁净度等级》从5级到6级严【格到1级或更严；生！产过程使用的高【纯气、？高纯水中的》杂质含？量从10《-6严格到10-】11等集成电路生产！实践表明《芯片生产过程使用的！工具、器具和物料】储，运，装置也可《能成为微粒》、，化学污染物的携带】者或：污染源所以对其【制作材质和清洁【方式或保护方法应根！据产品？。生产工艺要》求采取相应的技术】措施为此在本规范】中作出？第3：。.1～？1，。。～3.1.3条【的一般？规定 《