。 ， 3  电子】产品：。生产环境设计要【求 》 ？ 3.1—  一般规定 】 《 3.1》.1～3.1.【3 ： 随着科《学技：术的发？展电子产品生产日新！月异以微电子产【品为代？表的各种《电子：产品生产技术—发展迅速现》代电子产品要求【。微型化、精密化、高！纯度、高质量和【高可靠性以人—们熟：悉，的手机、笔记本【电脑为例它所—使用：的集成电路、电【子元器件以及其组】。装的生产过程都要求！在受控环境条件【下进行操作其—中以集成电路生产】过程对受控环境的】要求尤为严格当今】线宽为45nm【的超大规模》集，成电路产品已投入生！产其：受控生？产环境洁净室(区】)，的受控？粒子尺寸要求小于】。0.02μm甚至】更小表1是超大规】模集成电《路的发？展及相应控》。制粒子的粒径集【成电路产品的生产】和研究表明超—大规模？集成电路生产所【需受控环境不—仅严格控制微粒而】且还需严《格控制生产》环境的化学污—染，物和直接《与，。产品生产过》程接触的各》种介质高《纯水、高纯气体、化！学品的纯度和杂质含！量表2是超》大，规模集成电路对【化学污？染物的控制指标【表，3是大规模集成【电路的工艺发展 】 — 《 从表！1～表？3中所列数据可【见动态随《机存储器(Dy【namic Ran！。do：m Ac《。cess memo！ry简？称DRA《M)产品的线宽【从0.25pm【发展到0.05【 μm要求洁—净，室(区)生产环境】控制粒子直》径从：0.12《5μm严格》到0.？025μm空气洁净！度等级从5级到6】。级严格到《1级或更严；生产】过程：使用的高纯气、高纯！水中的杂质含量【从1：。0-6严格》到1：0-1？1等集成电路生产实！践表明芯《片，生产过程《使用的？工具、器具和物料储！运装置也可能成为微！粒、化学污染物的携！带，者或污染源所以【。对其制作材》。质和清洁《方式或保护》。。方，法应根据产》品生产工艺要求采】取相应？的技术措《施为此在本规范中】作出第3.1～1～！3.1.3》条的一？般，。规，定， ：