？。 10  》工艺相关系统 】 【 10.1  净】。  化？。  ：区 【 10.1—.1  集成电路技！术，从最初在同》一块衬底材料上只】能集成屈指可数【的几个半导》体器件和无源元【件的水平《已经发展到今—天的在一《个，平方厘米《的硅晶片上就—可以集成几》千万个元件水平随】着时代的发展—单个元器件的—尺寸越来《越，。小单：个集成？电路芯片《的面积越来越大【这就使得集成电路】的集成度越来越【高集成电路芯片加】工精度和生产环境】的洁净度密》不可分 《 》  ：  洁净区空气中的！尘埃会直接》影响芯片的品—质表3？为美：国半导体工》业联合会（SIA）！制定：。的有关半导体技术发！展路线图《中的数据 ！ 表3  半导体工！业，芯，片，面积与特征尺寸、临！界缺陷？尺寸 【 —。     从表【3中的临《界缺陷尺寸一—栏清楚地表明了【晶圆片表面多大尺】。。寸的随机缺陷或【颗粒就会引起集成】电路芯片功能的失败！由于：临界缺陷尺寸应小】于最小特征尺寸的】一半对于《当，今20nm的最小特！征尺寸临界》缺陷尺寸《只，能小于1《0nm例如在光刻胶！的曝光过程中如果晶！圆片：表面存在一个尘埃】颗粒则这《个小颗粒就会影【响到其下方光—刻胶的曝光》假如由此引起—的缺陷尺寸已经接】近，了所要光刻图形【的特征尺寸且该缺陷！恰好：又，处，。在芯片上的某—个关键区《域那么就《极有可能导致该处的！器件功能失》效，。；当：。处，在栅氧化工艺步【。骤时：一个位于《MOSFET栅氧化！层区域的颗》粒，就，很可能会引起器件】失，效对于一个现代【的硅：。集成电？路芯片制《。。造厂来说据统计【大约75%》的成品率损失都是由！于晶圆上的》尘埃：。颗粒而直接引起 】 由于产品！。和工艺设备不同【对洁净室内》空气洁净《度等级和被控粒【子，粒径、温度、—相对湿度《控制要求也》不相同因此生产区域！的洁净度等》级应根据《工艺要求《确，定，为了有效地保证产】。品合格？率避免概念混淆应采！用现行？国家标？准洁净？。厂房设计规》范GB 《5，00：73表3.0—.，1作为统一》标准如表《4所示该表等同于国！际标准？ISO 1》4644-1洁净室！及相关控制环境 】第1部分空》气洁净度等级—。的分类也便于与国际！。接轨确定空气洁净】度等级所《处状态的《目的是便于设计、】施工和项目验—收更主要的是—满足产品生产—要求 《 ， 表《4  洁净室及洁】。净区空气中》悬浮粒子洁》净度等级 — —。。 — 10.1】。.3：。  为保证》洁净室空气》平，衡和洁净室内的正】压值：新鲜空？气量：应等于补《偿室内？排风量和保持室内正！压值：所需新鲜《空气量之和同时新】鲜空气量应满—足人员新鲜空—气需求量因此取两】者之中的最》大值现行国家—标准：。。采暖通风与》空气调节设计规范G！B 50019【规定“工业建筑应保！证每人？不，小于30m》3/h的新风—量”洁？。。净厂房设计规—范GB 《50073规定“】保证：供给洁净《室内每人每小时【的新鲜空《。气量不小于40m】。3/h”芯》。片厂房？。内使用化学品、【。特种气？体，等，原料：这些物品具有有毒】有害：、易燃、易爆等特性！因此在本条第2款制！定了“保证供—给洁净？区内人员所需的新鲜！空气量”的规定 】 ， 10.【1.4  洁净【室与相邻的房间应保！持一定压差确保洁净！室在：正常状态或空气平】衡暂时？受到破坏时气流【只能从空《气洁净？度等级高的房间流】向空：气，洁净：度等级低的房间使洁！。净室内的洁净度不】会受到污《染空气的影响渗漏】空气量与压》差，值，有关压差《值选：择应适当若压差值】过小：洁净室正《压容易被破》坏洁净室的洁净度】会受到影响若—压，差值过大渗漏风量】会较大补充》新风量就相应增加新！。风空调？冷热负荷也》会，相，应增：加新风？空调：器容量也会增大过滤！器负荷也会增加过】滤器使？用寿命也会缩短试验！结果表明洁净—室内正压值小于5P！a时洁净室外的污染！空气就有可能渗入洁！净室内室外空气在】洁净厂房的迎风面】。上产生？。正压在背风》面上：产生负压因此—。。洁净室相《对于室外的压差参】照点应位于迎风面】洁净室与室外的【相，对压力应大于或等于！5Pa 【 ：1，0.1.5 — 近年来《国内外集成电—路芯片？洁净室大多数—采，用大空间（Ball！ro：om）与微环—境相结合型式主要工！艺生产区域洁净度等！级为ISO》5、IS《O6级气流》流型为非单向流一般！采用顶布FFU【送风：架空地板下回风满】布，率为17％～25％！主要生产设》。备操作区域布置在微！环，境，内微环境洁净度【等级为IS》O2、？I，SO3、IS—O4级？辅助：区域洁净《度等级一般为IS】O5：、ISO6》级，通常采用非》单向流？光刻：。、电：子束曝光等区—域洁净度等级为【I，SO4级《。或者：更高.通常采用顶部！。满布FFU送风架空！地，板下回风国》际标准？化组织IS》O/TC20—9技术委员》会发布的《IS：O 14644-4！洁净室及相关—控制环境 》 ，第4部分设计、建造！和试运行中的—表B.2微电子【。洁净室的实》例列出？了空气洁《净度等级、气—流流型、洁净—送风量的《数据如表5所示 ！ 表5  】微电：子洁净室《的，。实例 — 【 1：0.1.《7，、10.1.8【 ， 洁净区的送—风，方式：有集中送风》。、风机过滤器—机组(？FFU)《形式目前大》规模集成电》路，厂房洁净区面—积，大、洁净《度等级？高、送风《量很大通常采用FF！U送风方式》对于规模《较小：的实验室由于—面积小洁净》度等级较《低送风？量较：小可采？用集中送《风方式或F》F，U送风？方，。式F：FU送风《。方式由于空气循环路！径短：气流速度低阻力【损失小风《机送风压头低单位送！风量电？。耗较集？中送：风，方式低对于洁净【。度等级高的洁—净室：推荐：采用：风机过滤器机组（】FFU）送风 【 》10.1.》。9  硅集成—电路芯片厂房洁净室！规模较？大新风量很大—通常：采用多台新风机【组集：中处：理新风集《。中处理新《风具有以下优—点 ？ 《1，  ：新，风集中处《理可以去除新风中】绝大部分的》灰，尘，有，效延长了《末级高？效空气过滤器(H】EPA？)、超高效空气过滤！。器(：ULP？A)的使用寿—命； 】2  新风集中处理！有利：于去除？新风中？的水溶性化学污【染物降低了末—级化学过滤》器的负荷； 】 ， 3  新风集】。中处理？有利于？洁净：室湿度控制避免冷】。。热抵消节约能耗【； ： 4—  通常芯片厂房新！风机组有多台并设】置备用机《组宜并联运行由【于工艺设备分期安】装且生？产技术发《展升级速《度迅：速，设，备更新升级快工【艺设备排风量会【随运行设备数量和】运行负荷《率，的变化而变化新风】量也是变化的因此】建议新？风系统送风机采用】变频措？施以适应新风需【。求量的？变，。化 10！.1.11》  干盘管》是采用中温冷冻水】。作为冷媒的》空，。气换热设备安装洁净！。室回风通路上消【除洁净室内余—热因其表面》温度高于《洁净：。室内空气露》。点温度不会产生【冷凝：水干盘管应用—于洁净室一》般迎风面速度控制】在2m/s以—下以：降，低盘管？空气阻力《干盘：管正：常运行时不会产生】冷，凝水不需要设—置集水盘但考虑【到设备？和管道检修建议设】置检修排水设施 ！