？。 10  工—艺相关系统 】 》。 1？0.1 《 净 ？ 化  区 【 1【0.：1.1  》集成电路技术从最】初，在同一块《衬底材？。料上只能集成屈【指可数的几个半【。导体器件《和无：源元件的水》平已经发展到今【天的：。在一个？平，方厘米的硅晶—片上就可以集成【。几，千万个元件水—平随着时《代的发展单》个元器件的尺寸越】来越小单个集成电路！芯片的面积越来越】大这就使《得集成电路的集成度！越来越高集》成电路芯《片加工精度和—生，产环境的《洁净度密不可分 ！  》   洁《净区空气中》的尘埃？会，直接影响芯片的品】。质表3为美国半导体！工业联合会（SIA！）制定的有关半【。导，体技：。。术发：展路线图中的—。数据 —。 表3  半导】体工业？芯片面积与》特征尺寸、临—界缺陷尺《寸 ： ？ 】    从》表3中的临界缺陷尺！寸一栏清楚地—表明了晶《圆片：表面：多大尺寸《的随机缺陷或颗粒】就会引起集成—电路芯？片功能的失败—由于：。临界缺陷尺寸应【小于最小《特征尺寸的一半对】于当今20nm【的最小特征尺寸临】界缺陷尺寸》只能小？于10nm例如在光！刻胶：的曝光过程中如【果晶圆片表》面存在一个》尘埃颗？粒，则，这个小颗粒就会影响！到其下方光刻胶的曝！光假如由此引起的】缺陷尺寸已经接近】了所要光刻》图形：的特征？尺寸且该缺陷恰好又！。处在芯片上的—某个关键区域那么】就极有可能导致该处！的器件功能》失，效；当处在栅—氧化工？艺步骤时《一个位于《MOSFET栅氧化！。层区域的颗粒就很可！能会引起器件—失效对于一个现代的！硅集成电路芯—片制造厂来说据【统计大约75%的成！品率损失都是由于晶！圆上的？尘埃：。颗粒而直接引起 ！ 由于产品】和，工艺：设备不同对洁净室内！空气洁净度等级【和被控粒《子粒径、温度、【相对湿度控制—要求也不相同因此】生产区？域的洁净度》等级应根据工艺【要，求确定为了有效地保！证产品合格》率避免概念混淆应】采用现行国家标【准洁净厂房》设计规？范，。GB 5《。00：73：表3.0.1作为统！一标：准，如表4所示该—表等同？。于国际标准IS【。O 14644【。-1洁净室及相关】控制：环，境 第1部分空气洁！净度等级的分类也便！于与国际接轨确【定空气洁净度等【级，所处状态的目的【是便于设《计、施工和项目验收！更主要的是满足产】品生产要求 【 ，。 ， 表4  洁【净室及洁净区空气】中悬浮粒子洁净度等！级 】 《。。 — 10.1.3【  ：为保证洁净》。室空气平衡》和洁净？室内的正压值新【鲜空气量应等于【补偿室？内排风量和保持室内！正压值所需新—鲜空气量之》和同时新鲜空—气量应满足人—员新鲜空《气需求量《因此：取两者？之中的？最大值现行国家标】准采暖？通，风与空气《调节设计规范GB ！50019》规，定“工？业建筑应保证每人】。不小于30m3/】h的新风量》”洁净厂房设计【规范：GB 5《0，073规定“保【证，供给洁净室内每【人每小时的》新鲜空气《量不小于40—m3：/h”芯《片厂房内使用化【学品、特种》气体等原料》这些物品具》。有有毒？有害、易燃》、易爆等特性—因，此在本条第2款【制定：了“保？证供给洁净》区内人员所需的【新鲜空气量》”的规定《 ？ 10.1.4！  洁净室与相邻】的房间应保持一【定压差确保》洁净室？在正常状态或空气平！衡暂时？受，到破坏时气》流只能从空气洁【净度：等级高的《房间流向空气洁【净度等级低的房间使！洁净：。室内的洁净度不【会受到污染空—气的影响《。渗漏空气量与—压差值？有关压差值》选择应适《当若：压差值过《。。。小洁净室正压—容易被破坏洁净室的！洁净度会受》到影响？若，压差值过《大渗漏风量会较【大补充新《风量就相应增加新】风空调冷《热负荷也会相—应增：加新风？空调器容量》也会增大过滤—器负荷？也，会增加？过滤器使用寿命也】会缩短试验结果表明！洁净：室内正压值小于【。5，Pa时洁《净室外的污染—空气就有可能—渗入洁？净室：内室外？空气在洁净厂房的迎！风面上产生正压在】背风：。面上产生负压因此】洁净室相对于室【外的压差参照—点，应位于迎风》面洁净室《与室外的相》对压力应大于—或等于5Pa ！ ： 10.1.5 】 近年来国内外【集成电？路芯片洁净室大【多数采用大空间（】B，。。a，。llroom）与】微环境相结合型式】主要工艺生产区域】洁净度等《级为ISO5、IS！O6级气流》流型为非单向流【一般采？用顶：布FFU送》风架空地《板下回风满布率【为17％～25％主！要生产？设备操作区域—布置在微环境内微】环境洁净度等—。级为ISO2、I】SO3？、ISO《4级辅助区域—洁净度等级一般为】ISO5、ISO】6级：通常采用非单—向流光？刻、电子束曝光等】区域洁净度》等，级为：ISO4级或者更】高.通常采用顶【部满：布F：。FU送风架空地板】下，回风：。国际标准化组织【I，SO/？TC2？09技术委员会【发，布的ISO 1【4644-4洁净室！及，。相关控制《。环境：  第4部分设计】、建造和试》运，行中的表B.2微电！。子洁：净室：的，实例列出了空气洁】净度等级、气流流】型，、洁：净送风量的》。数据如表5所示【 ， 表—5  微电子洁净室！的实例 《 【 10.【1.7、10—.1.？8  ？洁净区的《。。送风方式有集中送风！、风机过《滤器机组(FF【U)形式目》前大规模集成—电，路厂房洁净区—面积大、洁净度等】级高、送风量—很，。大通常采用FF【U送风方式对于规模！。较小的实验室由于】面积小洁净度等级】较低送？风量：较，小，可，采用集中送风方式或！FFU送风方式【FFU送风》。。方式：由于空气《循环：路径：短气流速度低阻【力损失小《。风，机送风？压头低单位送风【。量电耗？较集中送《。风方式低对于洁净度！等，级，。高的洁净室》推，荐采用风机》过滤器机组（F【FU）送风 ！ 10.1.【9  硅集成电路芯！片，厂房洁？净室规模较大新风】量很大通常采用多台！新风机组集中处理新！风集中处理新—风具：有以下优《点 — 1  新风集中处！理可：以去除新风中—绝大部？分的灰？尘有效延长了—末级高效空气过【滤器(HEPA)】、超高效空气过【滤，器(ULPA)【。的使用寿命； 【。 ： 2  新风集！中处理有利于去除】新风中的水溶性【化学污染物降低了末！级化学过滤器的负】荷； 》 3《  新风集》中处理有《利于洁？净室湿度控制—。避，免，冷热抵？消，节约能耗； 】 4  通常】芯片厂房新风机组】有，多台并设置备—用机组宜并》联运行由于工艺【设备分期安装且【生产技术发展升级】速度迅速《设备更新升级—。快工艺设备排风【。量会随运行设备数】量和运？行负荷？率的变化而变—化新风量也是变化的！。因此建议新风系统】送风：机采用变频》。措施以适《应新风需求量的【变，。化 — 10.1》.11  》干盘管是采用—中温冷？。冻水作为冷媒的空气！换热：设备安装洁净室回】风通路上消除洁净】室内余热因》其表面温《度，。高，于洁净室《内空气露点温度不】会产生？冷凝水干盘管应【用于洁净《室一般迎《风面：速度控制在2—m/s以下》以降：低盘管？空气：阻力干盘管》正常运？行时不会产生冷【凝水不需要设置【集水盘但考虑到设备！和管道？检修建议设置检【。修排：水设施 》