10  工！艺相关系统》 】 10.》1  净  化  ！区， 】10.1《.1 ？ 集成电路技—术，从最初在同一块【。衬底：材料上只能集成屈指！可数的几《个半导？。体器件和无源元【件的水平已》经发展到今天的在一！个平方厘米》的硅晶片上》就可以集成》几千：万，个元件水《。平，随着时代的发展单】。个元：器件的尺寸》越，来越小单个集—成电路芯片的面积】越来越大这就—使得集？成电路的集成度越来！越高集成《电路芯片加工精【度和生？产环境的洁净度密不！可分 ？   【  洁净《区空气中的尘埃会直！接影响？芯片的品质》。表3为美国半导【体，工，业联合会（SI【。A）制定《的有关半导体技术发！展路：线图：中的数据 【 表3 — 半导体工业芯片】面积与？特征尺寸、》临界缺陷尺》寸 】 ：     从表！3中的临界》缺，陷尺寸一栏清楚【地表明了晶圆片表面！。多大：尺寸的随机缺陷或】颗粒就会引起—集成电路芯》片功：能的失败由于临界】缺陷尺寸应小于最】小特：征，尺寸的一半》对，于，当今20nm的最小！特，征尺寸临界缺陷【尺，寸，只能小于10nm】例如在？。光刻：胶的曝光过程中【如果晶圆片表面存在！一个尘埃颗粒则这个！小颗粒就《会影响到其下方【光刻胶的曝光假如】由，。此引起的缺陷尺【寸已经接《近了：所要光刻图形的【。特征尺寸且该缺陷】恰好又处在芯片上】的某个？关键区域那么就极有！可能导致该处—的器件？功能失效《；当处在《栅氧化工艺》步骤：时一：个位于M《OSFET栅—氧化层区域的颗【粒就很可《能会引起器件失【效对于？一个：现代的？硅集成电路芯片制】造厂来说据统计大】约75%《的成品率损失都是由！于晶圆上的尘埃【。颗粒而直《接引起 ！由于产品和工—艺设：备不同？。对洁净室内空气洁净！度等级？和被控粒子粒径、】温度：、相对湿度控制要】求也不相同因此【生产：区域：。的洁净度等级—应根据工艺要求【确定：为了有效地保—证产品合格率—。避，免，概念混淆应采用【现行：国家标？准，洁净厂房设计规范】GB 50073表！3.：0.1作《为统一标准如表4所！示该表等同于—国际标准ISO 】1，4644《-1洁净室及相关】控制：环，境， 第1？。部分空气洁净度等】级的分类《也便于与国》。际，。接轨确？定空：气，洁净：度等级？。。所处状？态的目的是便于设】计、施工和项目验】。。收更主要的是满足产！。品生产要《求 — 表4  洁净室】及洁净区空气中悬浮！粒，子洁净？。度等级 — 【 《。 《10.？1.3  为保证洁！净室空？气平衡和洁净室【内，的正：压值：新，鲜空气量《应等于补偿室—。内，排风量和保持—室内正压值》所需新鲜空气量之】和同时新鲜空气量】应满足人员》新鲜空气需求量因此！取两：者，之中：的最：大值现行国家—标，准采暖通风》与空气调节设—计规范GB 50】019规定“工【业建筑应保证每人不！小于30m3/【h的新风《量”洁净厂房—设，计规范GB 500！73规定“保证【供，。。给洁净室内每人【每小时的新鲜空【气量不小于40【m3/h”芯片【厂房内使用化—学品、特种气体【等原料这些》物品具有有毒—有害、？易燃、易爆》等特性因此》在本：。条第2款制定了“】保证：供给洁净区内人员】所，。需的：新，鲜空：气量”的规》定 ？ 1》0，.1.4  —洁净：室与相邻《。的房间应保持一【定压差确保洁净室】在正常状态或空【气平衡暂时受到【破坏时气流》只能：从空气洁《净度等级《高的房间《流向空气洁净—度等级低的房间使洁！净室内的洁净—度不会受到污染空】气的：影响：渗，漏空气量与压差【值有关压差值选【择应适当若压—差值过？小洁净？室正压容易被破【坏洁净室的洁—净度会受到影响若】压差值过大渗漏风量！会较大补充新风量】就，相应增？加新：风空调冷热负—荷也会相应增加新风！空调器容《。量也会增大过—滤器负荷也会—增加过滤器使—用寿命也会缩短试】验结果表《明洁净室《内正压值小于—5Pa时洁净室【外的污染《空气就有可能—渗入洁净《室内：室外空气《在洁净？厂房：。的迎风？面上产？生正压在背风面上产！生负压因此洁—。净室相对于室外【的压差参照点应位于！迎风：面洁净室与室外的】相对压力应大于或】等于5Pa —。。 ， 10.1】.5  近年—来国内外《集成电路芯片—洁，净室大多数采—用大空间（》Ba：llr？oo：m）与微环境相结合！型式主要工艺—生产区域洁净度等】。级，为ISO5》、ISO《6级气流流》型为非单向流一般】采用顶？布FFU送风架空】地板：。下回风满布率为1】。7％～25％主要生！产设备操作区—域布置在《。微环境内微环—境洁净度等级为【ISO2、》ISO3、IS【O4：级辅助区域洁净度】等级一般为IS【O5、ISO6级】通常采用非单向流】光，刻、电子束曝—光等区域《洁，。净度等级为I—SO4级或者—更高.通《常采用顶部满布F】FU送风架空地板】。下回：风国际？标，准化：组织ISO/T【C20？9技术委员》会发布的IS—O 1464—4-4洁净》室及：。相，关控：制环境  第—4部分设《计、建造《和试运行中的表B.！2微电子洁》净室：的实例列《出了空气洁净度【等级、气流流—型、洁？净送：风量的数据如表5】所示 【 表：5  ？微，电子洁净室》的，实例 】 ？ 10.1【.7：、10.1.—8  ？洁净区的送风方式有！集中送风、风机过滤！器机组？。(，FF：U)形式目前大规模！集成电路厂房—洁净区？面积大、洁净度等】级高、？送风：量，很大通常采》用F：FU送风方》式对于规模较—小的实验《室由于面积小洁【净度等级较低送风】量较小可采用集中送！风方式或FFU送风！方式FFU送—风方式？由于空？气循环路《。。径，短气流速度低阻【力损失小《风机送风《压头低单位送风量】电，耗较集中送风方式低！对于洁净度等—级高的洁净室推荐采！用风机？过滤器机组（—FFU？）送风？ —10.1《.9  硅集成电】路芯片厂房洁净室】规，。。模较大新风量很大】通常：采用多台新风机【组集中？处理新风集》中处理新风具有【以下优？点 1 ！ 新：风集中处理可以去除！新风中绝大部分【的灰尘有效延长【了末：级高效空气过滤器】(HEP《A)、超高》效空气过《滤器(ULPA)的！使用寿？。命； 》 2  —新风集中处理—有利：于去除新风中的水】溶性化？学污染物《降低：了末级化《学过滤器的负荷；】 《 ：3  新《风集中处理有利于洁！净室：湿度控制避免冷热抵！消节约能耗； ！。 4  通常芯！。片厂房新风机组有】。多台并？设置备用机组宜并联！运行由于工艺—设备分期安装且生】产，技术发展《升级：速度迅速设备更新】升级快？工艺设备排风量会】随运行设备数量【。和运行负荷》率的：变化而变化》新风量也是》变化的因《此，建议新？。风系统送《风机采用《变频措施以》适应新风《需求量？的变化？ —10.1《.11  干—盘管是？。采用：中，温冷冻水《作为：冷媒的空气换热【设备安装洁》净室回风通路上消除！洁净：室内余热因其表面温！。度高于洁净室—内空气露《点温度不会》产生冷凝《水干盘？管应用？。于洁净？室一般迎《风面速度控制—在2m/s以下【以降低盘管空气【阻力干盘管正常【运行时不会》产生冷凝水不需要】设置集水《盘，但考虑到设》备和管道检修建议】设置检修排水设施】 ：