安全验证
10 【 工艺相关》系统: ,。 , , 【10.?1  净  化  !区 ? 1【0.1.1  【集成电?路技术?从最初在同一—。块衬底材《料上只?能集成?屈指可数的几—个半:导体器件和》无源元件的水平已经!。。发展到今天》的在一个平方厘【米的硅晶片上就可以!。集成几千万个元【件水:平随着时代的—发展单?个元器件的尺寸越来!越小单个集成电路】芯片的?面积越来越大这【就使得集成电路【的集成?。度越来越高集—成电路芯片》加工精度《和生产环境》的,洁净度密不可—。分 【。    洁净区【空气中的尘埃—会直接影响》芯片的品质表3为美!国半导体《工业联合《。会(S?。IA)制定的有关半!导体技术发》展路线图《中的数据 】 表?3 :。。 半导?体工业芯《片面积与《特征尺?寸、临?界缺陷尺寸 —。 : !    从表3【中,的临界?缺陷尺寸一栏清楚地!表明了?晶圆片表面》多大尺寸的随机缺陷!或颗粒就会引起集成!电路:芯,片功能的失败由【于临界缺陷尺寸【应小于最小特征尺寸!的一半对《于当今20nm的】最小特征尺寸临界缺!陷尺寸只能小—于10nm例如【在光刻胶的曝光【过程中如果晶—圆片表面存在一个】尘埃:颗粒:则这个小《。颗粒就?会影响到其》下方:光刻胶的曝光—假如由此《引起的缺陷尺寸已经!接近了所要》光刻图形的特—征尺寸且《该缺陷恰好又处【在芯片上的某个关键!区域那么就极有可能!。导致该处的》。器件功能《失效;当处在栅氧化!。工,艺步骤?时一:个位于M《。OSFET栅—氧化层?区域的颗粒就—很可能会引起器件】失效对?于一个现代的—硅,集成电路《芯片制造厂来说据】统计大约75%的成!品率损失都是由于】。晶圆上的尘埃颗粒而!直接引起 — : 由于产品和工】艺,设备:。不同对洁《净室内空气洁—净度等级和被控粒子!粒径、温度、相对湿!度控制要求》也不:相同因此生产—区,域的洁净度等级应】根据:工,。艺要求确定为了有】效地保证产品合格】率避免概念》混淆应采用现—行国:家标准洁净厂房【。设计:。规范G?B 5?。。0,073表3》.,0.1作为统一标】准如表4所示—该,表等同于国际标准I!S,O :。146?44-1洁净—室及相关《。控制环境 第—1部分空气洁—净度等级《的分:类也:便于与国际接轨【确定空气洁净度等级!。所,处状态?。的目的是便于设计、!。。施工和项目验收更主!要的是满足产品生产!要,求 ? 表4  】洁净室及洁净区空气!中悬浮?粒子洁净度等—级 》 ? :。 , 】10.1.3—  为保证洁净室】空,气平衡和洁净室内的!正压值新鲜空气量】应等于补偿室—内排风?量和保持室》内正压值所需—。。新鲜:。空,气量之?和同时新鲜空气【量应满足人员新【鲜空气需求量因【此,取两者之中的最大值!现,行国:家标准采暖通风与】。空气调节设计规范】GB 5《0019规定—“工业建筑应保证每!人,不,。小于:30m3/h—。的新风量《”洁净?厂房:。。设计规?范GB 50—073规《定“保?。证供:给洁净室内》每人每小时的新鲜】空气:量不小?于40m3/h”】芯片厂房内》使用化学品》、特种气体等原料这!些物:品具有有毒有害【、易燃?、易爆等特性因此在!本,条,第2款制《。定了“保《证供给洁《净区内人《员所需的新鲜空气量!”的规定 】 10.1—。.4  洁净—。室与相邻的》房间应保持一定【压差确保洁净—室在正常状态或【空气:平衡暂时受到破【坏时气流只能从空】气洁净度等级高的】房间流向空气洁【净度:等级低的房》间使洁净《室内的洁净度—不会:受到污染空》气的影响渗》漏空气?量与压差《值有关?压,差值选?。择应适当若压差值过!小洁净室正压—容易被?破坏:洁净室的洁净度会受!到影响若压差值过】。大渗漏风《量会较大补充新风量!就相应增加新风空】调冷热负荷也—会相应?增加:新风空调器容量也】会增大过滤器负荷也!会,增加过滤器使用寿命!也会缩短试验结果表!明洁净室内》正,压值小于《5Pa时洁净室外的!污染空气就有可能】渗入洁净室内—室外空气在洁净【厂,房的迎风面上产生正!压在背风《面上产生负》压因:此洁净室相对于【室外的压差》参照点应位于迎【风面洁净《室与室外的相对【压力应大于或等于5!Pa ? 10.1!.5  近年来国】内外集成电路芯片洁!净室大多数采用【大空:间(:Ballroo【m)与微环境相【结合:。型式主要工艺生【产区域洁净》度,等级为I《SO5?、ISO6》级,气流流型为非—单向流一般采用顶布!FFU送风架空【地板下回风满布【率为17《%~25%主要【生产设备操作区域布!置在微环境》内微环境洁净度等级!为ISO2、I【。S,O3、ISO—4级辅助区域洁净】。度等级一般为ISO!5、ISO6级通】常采用非单向流光刻!、,电子束曝光》等区域洁《净,度等级为IS—O,4级或者更高.通】常采用顶部》满,布,FFU送风架空地】板下回?风国际标准化组【织IS?O/TC209技术!委员会发布》的ISO 146】44-4洁净室及】相关:控制环境 》 第4部分》。设计、建造和试运行!中,的表B?.2微电子》洁净室的实例—列出了空气》洁净度等级、—气,流流型、洁净—送风量的数据—如表5?所示 》 : 表5  微电子洁!净室的实例 【 《 : 1》0.1.7、10.!1.8  洁净区的!送风方式有集—中送风、风机过滤】器机组(FFU【)形式目前》。大规模集成电—路厂:房,。洁净:区面积大、洁—净度:等级高、《。送风量很大》通常:采用FFU送风方】式,对于规模《较小的?实验室由于面积小】洁净度等级较低送风!量较小可采》用集:。中送:风,方式或FFU送风方!式FFU送风方【式由于?空气循环路》径短气流速度—低阻力损失小—风机送风压》头低单位《送,风量电耗《较集中送风方式【低对于洁净》。度等级?高的洁净室》推,荐采用风《机过滤器机组(FF!。U,),送风 《 《10.1.9— , ,硅集成电路》。芯片厂房洁净—室规模?较大新风量》很大通常采》用多台新风机组【集中处理新》风集:中处理?新风具有以下—优点 【。 1  新》风集中处理可以去】除新风中绝大—部分的灰《尘有效延长了末级】。高效空气过滤—器(HE《PA)、超高效空气!过滤器?(ULPA)的使】。用寿:命; 2! ,。 新风集中》处理有?利于去除新风—中的水?溶性化学《。污染物降低》了末级化学过滤器】的负荷; 】 3  新风集中!处理:有利于洁净室湿【度控制避免》。冷热:抵消节约能》耗; 【 4  通常芯片厂!房新风机组》有多:台并设置《备用机组宜并联运行!由于工艺设备—分期安装且生—产技术发展》升级速度迅速设【备更新升级快—工艺设备排风量【会随运行设备数【量和:运行:负荷率的变化—而变化新风量—也是变化《的因此建议新风【系统送风机采用变频!措施以适应新风需求!量的变?化 》 10《.1.?11  干盘管是】采用中温冷》冻水作为冷媒的空气!换热设备安装洁净】室回风通路上消除洁!净室内余热因其表面!温度高于洁净室内】空,气露点?温度不?会产:生冷凝水《干盘管应用于洁净】室一般迎风》面速度控制》在2m/s以—。下以降低盘管空气】阻力干盘管正常【运行时不《会产生冷凝水不需】。要设置集水盘—但考虑到设备—和管道检修》。。建议设?置检:修排水设施》 :