？ 10？  工艺相》关，系统 ？ ： ： 1—。0.1 《 净  化 — 区 《 ？ 10.1.1！ ， 集成电《路，技术从最《初在同？一块：。衬底材料上只能集成！屈指可数的几个半】导体器件和》无源元？件的：水平已经发展到今】天的在一《个平方厘米的硅晶】片上就可以集—成，几千万个元件水平随！着时：代的发？展单个？元器：件的尺寸越来越小】。。。单个集成电路—芯片的面《积越：来越大这就使得【集成电路的》。集成度越来越高集成！。电，路芯：片加工精度》和生产环《境，的洁净度密》不可分 ！    《洁净区空气》。中的尘埃会直接【影，响芯片？的品质表3为美【国半导体工业联【合会（？SIA？）制定的有关—半导：。体技术发展》路线图中的数据 】 表—。3  半《导体：工业芯片面》积与特征尺寸—、临界缺陷尺寸【。。 ？ ：  】  ： 从表3中的—。临界缺陷尺寸一【栏清楚地表明了晶】圆片表面多大—尺寸的随《机缺陷或颗粒就会引！起集成电路芯片【功能的失败由于临】界缺：陷尺寸应小于最小】特征尺寸的一—半对于当今20n】m的最小特征尺【寸临界缺陷尺寸只】能小于1《0nm例如在光刻胶！的曝光过程中如果】晶圆片表面存在一个！尘埃颗粒《则这个？小颗粒就会影—响到其下方》光刻胶的曝光假如由！此引起的缺陷尺寸】。已经接？近了所要光刻—图形的特《。征尺寸且《该缺陷恰好又处在】芯片上的某》个关键区《域，那么就？极有可能导》致该处的器件功【能失效；当》处在栅氧化》工艺步骤时一—个，位于MOSFET】栅氧化层区域的【颗粒就很可》能会引起器》件失效对于一—个现代的硅集成电】路芯片制造厂来说据！统计大约7》。5%的成《品率损？失都是？由于晶圆上的尘埃颗！粒而直接引起 ！ 由于》产品和工艺设备不】。同对洁净室内—空，气洁净？度等：级和被控粒子粒径】、温度、相对湿度】。控，制要求也《不相同因此生—产区域的《洁净度等级应根据工！艺，要求：确定为？了有效地保证产品】合格：率避免概念混淆应】采用现行国家标【准洁净？厂房：设计规？范GB 《50073表—3.0.1作为统】一标准如表4所示该！表等同于国际标准I！SO 1《46：44-1洁》净，室及相关控制环境】 第1部分空—气洁净度等级—的分类也便于与国】际接轨确《定空：气洁净度等级所处】状态的目的是便于设！计、施工和项目验收！更主要的是》满足产品《生产：要求： 《 表4  —洁净室及洁净区空气！中悬：浮粒子洁净度等级 ！ 《 【 ， 10【.1.3《  为保证洁净【室空气？平衡和洁净室—内的正压值新—鲜空气？量应等于补偿室内】排风量和保持室内】正压值所需》新鲜空气量之和同】时新鲜空气量应满】足人员新《鲜空气需求量—因此：取两者之《中的最？大值现行国家标准】采暖通风与》空气调？节设计规范GB 】50019规定“】工业建筑应保证每】人不小于30m3】。/，h的：新风：量”洁净厂房设计规！范GB 500【73规定“》保证供给洁净室内】每人每小时的新【。。鲜空：气量不小于40m3！/h”芯片》厂房内使用化学【品、特种气体—等原料这《些，。物品具有有毒有害、！易燃、易爆》等特性？因此在本条第2款】制定了“保证供给】洁净区内《人员所需《的新鲜空气量”的】。规定 】10.？1.：4  洁净室与相邻！的房间应保持—一定压差确保洁净室！在正常？状态或空气》平衡暂时《受，到破坏时气流只能从！空，。。气，洁净度？等级高的房间—。流向空气洁》净度等级低的房间】使，洁净室内的洁净度不！会受到污染空气的影！响渗漏空气量与【压差值有关压差【值选择应适当若压】差值：过小洁净室正—压容易？被破坏洁《净室的洁净度会受】到影响若压》差值过大渗漏风量会！较大补充《新风量就相应增加新！风空调？冷热负荷也会相应】。增加新风空》调器容量也会增大过！滤，器负：荷也：会增加？过，滤器使用寿命也会缩！短试验结果表明洁净！室内正压《值小：于5Pa《时，洁净室外《的污染空气就有可】能渗入洁净室内室外！空气在洁净厂房的迎！风面上产生正压在背！风面上产《生负压因《此，洁净室相对于室【外的压差参照点【应位于迎风面洁【净，。室与室？外的相？对压：力应大于或等—于，5Pa 【 10.》1.5  》近年来国《内外集成电》路芯片洁净室大【多数采用大空间（】Ballroo【m）与微环境—相结合型式》主要工艺生产区【域洁净度等级为IS！O5、ISO6【级气流？流型为非单向流一】般采：用顶布？FFU送风架—空地板下回风满布率！为17％《。～25％主要生产设！备操作？区域布置在微环境内！微环境洁净度等级】为I：SO2、《。I，SO3、ISO4级！辅助区域洁净度等】级一般为ISO【5、：ISO？6级通常采》用非单向流光刻、】电子束曝光等—。区域：洁净：度，等，级为ISO4级或】者更高.通常采用顶！部满布？FFU送风架空【地板下回风国际标准！化组织？ISO？/TC209技【术委员会发布的IS！O 14644【-4：洁净：室，及相关控制环境 】 第：4部分设计、—建造和试运》行中的？表B：.2微电子洁净【室的实例列》出了空气洁净—度等级、气流流【。型、洁净送风—量的数据《如表5所示 】。 表5 — 微电？子洁净？室的实例 【 ： 1】0，.1.7《、10.1》。.8 ？。 洁净区的送风【方式有？集中送风、风机过滤！器，机组(FF》。U)：形式目前大规—模集成电路厂—房洁净区面积大、洁！净度等级《高、送风量很大通常！采用FFU送风方式！对于规？模较小的实验—室，由，于面积？。小洁净度《等级较低《送风：量，较小可采用集—中送风？方式或F《FU送风方式FFU！送风：方式由于空气循【环路径短气流速度】低，阻力损失《。小，。风，机送风压头低—单位送风量电—耗较集中送》风方式低对于—洁净：度，等级高的《洁净室推荐采—用风机过滤器机组】（FFU《）送风 】 10.1.9 】 硅：集成电路芯片厂房洁！净室：规，。模较大新风量很大通！常采用多台新—风机组集《中，处理新？风集中处理新风【。具，有以下优点 ！ 1  新风集中！处理可以去除新【风中绝大部分的灰】。尘有效延长了末级高！效空气过滤器(【HEP？A)、超《高效空气《过滤器(U》LPA)的使用寿】命； 《 ， ？2  新风集中处】理有利于去》除新风中的水溶【性化学污染物降低了！末级化学过滤—。。器的负荷； 【 3 — 新风集中处理有利！于洁净室《。湿度控制避》免冷热抵消》节约能耗； ！ 4？  通常芯片厂房】新风机组《有多台并设》置备用？机组：宜并联运行由—于工艺设备分期【安装且生产技术发】展升级速《。度迅速设备》更新升级快工艺【设备排风《量会随运行设—备数量？和运行负荷》率的变化而变化【新风：量也是变化的—因此建议新风—系统送风机》采用变频措施以适】应新风？。需求量的变化 ！ ， ， 10.1.11 ！ 干盘管是采—用中温冷冻水作为】冷，媒的空气换热设【备安装洁《净，室回风通路上—消除洁？净室内余热因其表面！温度高于洁净室内】空，气露：点温度不会产生冷】凝水干盘管应用于洁！净室一般《迎风面速度》控制在2《m/：s以：下以降低盘管空气阻！力干盘管正》常运行时不会产生】冷凝水？不需要？设置集水盘但考虑到！设备和？管道检修建议设【。。置检修排《水设施 《。 ，