？ 10  工艺【相，关，系统： ！ 10？.1 ？。 净 ？。 化  《区， 1！0.1.1  【集，成电路技术》从最初在《同一块衬底》材料上只能集成屈指！可数的几个半导体】器件和无源》元件的水平已经发展！到今天的在一个平方！厘米的硅《晶片上就可以集成几！千万个元件水平【随着时代的》发展单个元器件的】尺寸越？来越小单个》集成电路芯片的【面积越来越大这就使！得集成电《路的集成度越来【越高集成电路芯片】加工精？度和生产环境的洁】净度密不可分—   】  洁净区空—气，中的尘埃《会直接影响芯片的】品质表3为》美国半导《体工业联《。合会（S《I，A）制定的》有关半导体技—术发展路线》图中的？数据 ？ 表3【  半导体工业【芯片：面积与特征尺寸【、临界？缺陷：尺寸 【 》     从【表3中的临界缺【陷尺寸？一栏清楚地》表明了晶圆片表【面多：大尺寸的随机缺陷】或颗粒就会引起集】成电路芯片功能【的失败由于临界【缺陷尺寸应小—于最：小特征尺寸的—。。一半对？。于当今2《0nm的最小—特，征尺寸临界缺—陷尺寸只能小于【10nm例如在光刻！胶，的曝光过程》中，如果晶圆片表面存在！。。一，个尘埃？颗粒则这个小—颗粒就会影响到其】下方光刻胶的—曝光假如由此引【起，的缺：陷尺寸已经接近了】所要光刻图形的【特征尺寸且该缺【陷恰好又处》在芯片？上的某个关键区域】那么就极有可能导】致该处的器件功能】。失效；当处在—栅氧化工艺步—骤时一个位于M【OSFET栅氧化】层区域的颗粒就【很可能会引起器件】失效对于一》个现代的硅集—成电路芯片制造厂来！说据统计大约75%！的成品率损失都【是由：。于晶圆上的尘—埃颗粒？而直接引起 】 由于产品【和工艺设备》不同对洁《。净室内？。空气洁？净度等级和被控粒】子，粒，径、温度、相对【湿度控制要求也不】相同因此生》产区：域的洁净度等级应根！据，工艺：要求确定《为了有效《地保：证产品？合格：率避免概《念混淆应《。采用：现行国家标准洁【净厂房设计规范【GB 5《。0073表3.0】。.1作为《统一标准如表4【所示该表等同—于国：际标准？ISO 1464】4-1洁净室及【相关控制环境— 第1？部分空气洁净度等】级的分类也便于【与国际接轨》。确定空气洁净—。度等级所处状—。态的目的是》便于设计、施工和项！目验收更主》要，的，是满足产品》生产要求 》 ， 表4  洁！净室及洁净区空气中！悬，浮粒：子洁净度等》级 《 ， ？ — 《 10.1.3 】 为保证洁净—室空气平衡和—洁净室内的正压【值新鲜？空气量应等于补【偿室内排风量和保】持室内正压值所需新！鲜空气量《之和同时《新鲜空气量应满足】人员新？鲜空气？需，求，量因此取两者之【中的最大值现行国】。家标：准采暖通风与空气调！节设计？规范：。G，B 5？0019规定“工】业建筑应保》证每人？不小于30m3【/h的？新风量”洁净—厂房：设计规范《GB： 5：0073规定“保证！供给洁？净室内每人每小时】的新鲜空气量—不小于40m3/】h”芯？片厂：。。房内：使用化学品、—特种气体等原—料这些物品具有有毒！有，害、易燃、易爆等】特性因此在本—。。条第2款制定了【“，保证供给洁净—区内人员所》需的新鲜空》气量”？的规定 》 ， 1《0，。.1.4  洁净】室与相邻的》房间应保持一定压差！确，保洁净室在正常状态！或，空气平衡《。暂时受到《破坏时气《流只能从空》气，洁，。净度等级高的房间】流向空气洁净度【等级：低的房间使》洁，净室内的洁净度不会！受到污染空气的【影响渗漏空》气，量与压差值有—关，压差值选择应—适当若？压差值过小洁净室】正压容易《。被破坏洁净室—的洁净度会受到影】。响若压差值过大渗漏！风，量会较大补充—新风量就相应—增加新风《。。空调冷？热负荷也会相—应增加新风空—调器容量也会—增大：。过滤器负《荷也会增加》过滤器使用寿—命也会缩短试—验结：果表明洁净》室内正？压值：小于5？Pa：时洁净？室外的？污染空气就有可能渗！入洁净？室内室外空气在【洁净厂房的迎—风面上产生》正压在？背风面上产生负【压因此洁净室相【。对于：室外的压差参照点】应，位，于迎风面洁净室【与室外的《相，对压力应大》于，或等于5Pa ！ 10》.1.5《 ， ，近年来国内外集成】电，路芯片洁净室大多】数采用大空间（【。Ballr》oom）与微环【境相结合型式—主要工艺生产区域洁！净度：等级为？ISO5、》ISO6级气流【流型：为非单向流一般【。采用：顶布FFU送风架】空地板下《回风满布率为17％！～2：5％主要生产设【备操作区《域布置在《微环境内微》环，境，洁净度等级为I【S，O2、？ISO3、ISO】4级辅助区域洁净度！等级一般为ISO】5，、ISO6级通常采！用非单向《流光刻、电子束【曝光等区域》洁净度等级为I【SO：4级或？者更高.通》常采用顶部满布FF！U送风架空地板下】回风国际标准化组】织I：SO/TC20【9技术委员会发布的！ISO 146【4，4-4洁净室及【相关控制环境 【 第4部分设计、建！造，和试运行中的表B.！。2微电子洁净室【的实例？列出：了空气洁净度等级、！气流流？。型、洁净送》风量的数据》如表5所《示 《 表5 — 微电子洁净—室的：实例 ？ ： — ， ：10.1.》7、10.1—.8  洁净区的】送风方式有》集中送风、风—机过滤？器机组？(F：FU)形式目前大规！模集成电路厂房洁净！区面积大、洁—净，度等级高、送风量很！大通常采用F—FU：送风方式对于规模】较小的实验室—由于面积《小洁净？度等级较低送风【量较小可采用集中】送风方？。式或F？FU送风《方式F？FU送风方》式，由于空气循环—路径短气《流速度低阻力损失小！。风机送风压》头低单位送风—量电耗较集中—送风方？式低：对，于洁净度等级—高的洁净室推荐采用！风机过滤器》机，组，（FFU）》送风 1！0.1？.9  《硅集成电路芯片厂房！洁净室规《模较大？新风量很大通—常采用多台新风【机组集？中处理？新风集？中处：理新风具有》以下优点《 ， ： 1  新【风集：中处理可以》去除新风《。中绝大部分》的灰尘有效》延长：。了末级高效空气过】滤器(HEP—A)、超《高效空气过滤器【(ULP《A)：的使用寿命； 【 ， 2》  新风《。集中处理有利于去除！新风中的水溶—性化学污染物—降低：了末级化学过滤【器，的负荷； 【 ： 3 ？ 新风？集中处理有利于【洁净室湿度控制避】。免冷热？抵，消节：约能耗； 》 4—  通常芯》片厂房？新风机组有多台并】设置：备用机组宜并联运行！由于工艺设》备分期安装且生【产技：。术发展升级速度迅速！。设备更新升级—。。。。快工艺？设，备排风量会》随运行？设备数量和运行【负荷率的变化而变化！新风量也是变化的】因此：建议新风系统送风机！采用变频措施—以，适应新风需求量【的变化 《 ？ ：10.1.11  ！干，盘管是采用》中温冷冻水作为冷媒！。的，空气换热设备安【装洁净室回风—通，路上消除《洁净室内余》热，因其表面温度高【于，洁净室内空气—露点：温度不会产生—冷凝水干盘管应用】于洁净室一般迎风面！。。速度控制在2—m，/s以下以降低盘管！空气阻力干》盘管正常《运行时不会产—生冷：凝水：不需要？设置集水盘但考虑到！设备和管道检修【建议设置检修—排水设施 —