， 1《0，  ：工艺相关系统 】 ， 1】0，.1 ？ 净  《。化  ？区 【 10《.，1，.1  集成—电路：技术：从最初在《同一块衬底材料【上只能集成屈指可】数的几个半》导体器件和无源元】件的水平已经发【展到今天的在一【个平：方厘米的硅晶片上就！可以集成《几千万个元件水平】随着时？代的：发展单个元》器件的？尺，寸越：来越小单《个集成电路芯片的面！积越来越《大这就使得集—成电：路，的集成度越》来越高集成》电路芯片加工精度和！生产：环境的？洁净度密不可分【  【   洁净区空气中！的尘埃？会，直接：。影响芯片的品质表3！为美：国半导体工业联合会！（S：IA）制定》的，有关半导体技术发展！路线图中的数据 ！ 表3—  半导《。体工业芯片面积【与特征尺寸、临界】缺陷尺寸《 ？ 】     从表【3中的临界缺—陷尺寸一栏清楚【地表明了晶圆—片表：面多大尺寸的—随机缺？陷或颗粒就会引起集！成电路芯片功能的失！败由于临界》缺陷尺寸《应小于最小》特征：尺寸的一《半对于当今》2，。0nm的《最小特？征尺寸临界缺陷尺】寸只：能，小于10《nm例？如在光刻胶的曝【光过：程中如果《。晶圆片表《面，存在一？个尘埃颗粒则这个小！颗粒就？会影响到其下方光】刻胶：的曝光假如由—此引起的《缺陷尺寸已经—接近了所要光刻图】形的特？征尺寸且该缺陷恰好！又处在芯片上的某个！关键：区域那么就极有可能！导致该处的器件【功能失效《；当处在栅氧化【工艺：步骤时一个位于MO！SFET栅氧化层区！域的颗粒就很可【能会引？起，器件失效《对于一个现代—的硅集成电》路芯：片制造？厂来说据统计大约】75%的成品率损失！都是：由于：晶圆上的尘》埃颗粒而直接引起】 ， 《 ，由于产品《和，工艺设备不同对洁】净室内空气洁净【度等级？和被控粒子粒—径、温度、相对湿度！控制要求也不相同】因此生？产区域的洁净度等】级应根据《工艺要求确定—为了有？效地保证产》品，合，格率避免概》念混淆应《。采用现行国家标【准洁净厂房设计规】范G：B 50073【表3.0《。.1作为统一标【准如表4所示该表】等，同于国际标准I【SO 1《4644《-1洁净室及相关】控制：环境： 第1？。。部，分空气？洁净度等级的—分，类也便于与国—际接：轨确定空气洁—净度等级所处状【态的目的是便—于设计、施》工和项？。。目验收更主要的是满！足产品？生，产要求 【 ：表，4  洁《净室及洁《净区空气中悬—浮粒子洁净度—等级 】 】 ， 10.1.3！  为？保证洁净室空—气平衡和《。洁净：室，内，的正压值《。新鲜空？气量应等于补—偿室：内排风量和保持室内！。正压值所需新—鲜空气量《之和：同时新鲜《。空气量应满足—人员新鲜《。空气需求量因此【取两者之《中的最大值现行国家！标，准采暖通风》与空气调节》设计规范《GB 5001【9规定“工业建筑】应保：证每人不《小于3？0m：3，/，h的新风《量，”洁净厂房设计规】范GB 50073！规定“保证》供给洁？净室内每人每小【。。时的：新鲜空气《量不小于40m3】/h：”芯片厂《房内使？用化学品、特种【气体等原料》这些物品《具有有？毒有害、易燃、易】爆等特性因此在本条！第，2，款制定了“保—证供给洁净》区内人员所需的新鲜！空气量？”的规定《 ？ 10.1.】4  洁净室—与相邻的房间应【保持一定《压差：确保洁净室在正【常状态？或，空气平衡暂时—受到破坏时气流只能！从空气洁净度等【级高的房间流向空气！洁净度等《级低的房间使洁净室！内的洁净度不会受到！。污染空气的影响【渗，漏空气？量与压差《值有关压《差值选择应适当若压！差值过小洁净室正】压容易被破坏洁净室！的洁净？度，会受到？影响若压差值过大渗！漏风：量会较大《补充新风量》。就相：应增加新风空—调冷：热负荷也会》相应增加新风空【调器容？。量也会增大过—。滤器负荷也》会增加过滤器使用】寿命也会《缩短试验结》果表明洁净室内正】压值小于5》P，a时：洁净室外的》污染空气就有可能】渗入洁净室内室外】。空气在洁净厂房的迎！风面上产生正压在背！风面上产生负压因】此洁净室相对于室】外的压差参照点【应，。位于迎？风面洁？净室与室外的相对压！力应：大于或等《于5Pa 【 10.—1.5  近年【来国内外集成电【路芯片？洁净室？大多数？采，用大空间（B—allr《oom）与微环境】相，结合型？式主要？工艺生产《区域洁净度等—级为：ISO5、IS【O6级气流流型【为非单向流一—般采用顶布FF【U送风架空地板下回！风满：布率为17％～【25％？主要生产设备—操作区域布置在微环！境内：微环境洁净度等级为！IS：O2、ISO—3、ISO4—级辅助区域》。洁净度等级一般为】IS：O5、ISO6【级通常采《用非单向流光刻、】电子：束曝光等《区域洁净度等—级为IS《O4级或者》。更高.通常采用【顶部满布《FFU？送风架空地板—下回风国《际，标准化组织I—SO：/TC209—技术委员会发布【的ISO 14【644？。-4洁净《室及相关控制环【境  ？第，4部：分设计？、建造和试运行中】的表：B.2微电》子洁净？室的实例列》出了：空气洁净度等级、气！流流型、洁净送【风量的数据如表5】所示 《 ，。 表5》  微电子洁净【室的实例 — 》 ， 1》0.1.7》、10.《1，.8  洁净区的送！风方式有《集中送风、风机过滤！器机：组，(FFU)形式目】前大规模集成—电路厂房洁净区面积！大，、洁净度等级高、】送风量？很大通？。常采用FFU送【风方式对于规模较】小，的，实验室由于面积小】洁净度等《级较低送风》量较小？可采用集中送风方】式或FFU送风【方式FF《U送风方式由—于，空气循环路径—短气流？速度低阻力损失小】风机送风压》头低单位送风量【电耗较集中》送风方式低对于【洁净：度等级高的洁净室】推荐采用风机过【滤器机组（F—。FU）？送风 《 ： 10.1.【9  硅集成电【路芯片厂房洁—净室规模较大新风】量很大通常采—用多台新风》。机组集中处理新风】集中处？。理新风具有以下【优，点 1 ！ 新风集中处理【可，以去除新风中绝【大部分的《灰尘有效延长—了末级高效空气过滤！器，(H：E，PA)、超高—。效空气过滤器(【ULPA)的—使用寿命； 】 2  新风】。集中处理有》利，于去除新《。风中：的水溶性化》。学，污染物降低》了末级化学过滤器的！负荷； — 3 》 新风集中》处理有利《于洁净室《。湿度控制《避免冷热抵消节约】能耗； 》 4  【。通，常芯片厂《房新风机《组有：多台并设置备用机组！宜并联运行由—于，工艺设备分》期，。安装且生产技—术发：展升级速度迅速【设备更新升级快工】艺设备排风量会随】运行：设，备数量和运行—负，。荷率的变化》而变化新风量也是变！化的因此建议—新风：系统送风机》采用变频措施—以适应新风需求【量，。的变：化 1】0.1？。。.11 《 干盘管是采用【。中温冷冻水作为【冷媒的？空气换热设备安装洁！净室回风通路上消除！洁净室内余》热因其表《面温度高于洁净室内！。空气露？点温度不会产生冷】凝水干盘管应—用于洁净室一—般迎风面速度控制】在2m？/，s以下？以降低盘管空—气阻力干《盘管：正常运行时不会产】生，冷凝水不需要—设置：集水盘但考虑到设】备和管道检修建议设！置检修排《水设施 》