。 1》0  工艺相关【系统 《 ？ 10【。.1  净  化】  区 《 ， ： 1》0.1.《1  集成》电路：技术从最初在同一】块，。衬底材？料上只能集成屈【。指可：。数的：几个半导体器件【。和无：源元件的水平—已经发？展到今天的在一【个平方厘米的—硅晶片上就可—以集成？几千万个元件—水平随？着时代的发》展单个元器件的尺】。。寸越来越小单个集成！电路：芯片的？面积：越，来，越大这就使得集【成电路的集成度【。越来：越高集成《电路芯片加》。工精度和《生产环境的洁净度】密不可分 —     】洁净区空《气中的尘埃》会直接影响芯—片的品？质表3为《美国半？导体工业联》合会（SIA）【制定的有关》半导体技术》发展：路线图中的数据 】 ， 表3 【。。。 半导体《工业芯片《面积与特征尺—。寸、临界缺陷尺寸】。。 ： ， ？    ！ ，从表3中的临—界缺：陷尺寸一栏》。清楚地表明》。了晶：圆片表面《多大尺寸的随—机缺陷或《颗粒就会引起集成】电路芯片功能的【失败由于临》界缺陷尺寸应—小于最小特》征尺寸的《一半对于当今20n！m的最小特征尺寸临！界缺陷尺《寸只能？小于10n》m例如在光刻胶的曝！光过程中如果晶圆片！表面存？在一个尘埃颗粒则这！个小颗粒就会影响】到其下方光》刻胶的曝《光假如由此》引，起的缺？陷尺寸已经接近了所！要光刻图形的—特征尺寸且》该缺陷恰好又处在芯！片上的？某个关键区域那【么就极有可能导【致该处的器件—功能失效；当处【在栅氧化工艺步【骤时一个位于—MOSF《。ET栅氧化层—区域的颗粒就很可】能会引起《器件：失效对于《一个现代的硅—集成：电路：芯片制造厂来说据统！计大约75》%的成品率损—失都是由于晶—圆上的？尘，埃，颗粒而直接引起【 《 由于产品和工】艺设备不同对洁净】室内空气洁》净，度等级和被控粒子】粒，。径、温度、相对【湿度：控制要求也不—相同：因此：生产区域的洁净【度等级应根据—工艺要求确定为了有！效地保证产》品合格率避免概念混！淆应采用现行—。国家标？准洁净？。厂房设计规范GB ！50073表3.】。。0，.1作为统一标准】如表：4所示该表等同于国！际标准IS》O 146》44-1洁净室及相！关控制？环境 第1部分空气！洁净度等级的分【类也便于与国际接】轨确定空气洁净度】等级所处状态的目】的是便于设计、【施工和项《目验收更主》要的：是满足产品生产要求！ 表4 ！。 洁：净室及洁净区空气中！悬浮粒子洁净度【等，级 ？ 》 ， ？。 【10.1.3  为！保证洁净室空—。气平衡和洁净室【。内的：正压值新《鲜空：气，量应等于补偿—室内排？风量和保《持室内正压值—所，需新鲜空气量—。之和同时新鲜空【气量：应满足人员新鲜空】气需求量因此取【两者之中的最大值】现行国家标准采暖通！风与空气调节设计】。规范GB 500】19：。规，定“工业建筑—应保证每人不小于3！0m3/《h的新风量》”洁：净，厂房设计规范G【B ：50073规定“】保，证供给洁净室内【每人：每，小时的新鲜空气量不！小于40m3/h】”芯片？厂房内使用化—学品、特种气体等】原料：这些物品具》有有毒有害》、易燃？、易爆等特性因此】在本条第2款制定】了“保证《供给洁？净区内人员所需的新！鲜空气量”的规定 ！ 10.】。1.4  洁净室与！相邻的房间应保持】一，定压差？确保洁净室在—正，常状：态或空气平衡暂【时，受到破坏时》气流只能《从空气洁《净度：等级高的房》间流向空气》洁净度等级低—的房间使洁净—室内的洁净度不会】受，到污染空气》的影响？。渗漏空气量与压差值！有关压差值》选择应适当若—压差：值，过小洁净室正—。压容易被破坏洁净室！的，洁净度会受到影响】若压差值《过大渗漏风量会【较大：补充新风量就相应增！。加新风空调冷热【负荷也？会相应增加新风【。空调器容量也会增大！过滤器负荷也—会增加过滤器使【用，。。寿命：也会：缩短试验结果表明】洁净室内正压—值，小于5Pa时洁净】室外：的污染空气就—有可能渗入洁净室内！室外空气在洁净厂】房的迎风面上—产生正压在背风【面上产？。生负压因此》洁净室相对于—室外：的压差？参照点应位》。于迎风面《洁净室？与室外的相》对压力应大》于或等于5Pa ！ 1》0.1.《5  近《年来国内《外集成？电路：芯片洁？净室大多数》采，用大空间（Bal】lro？om：）与微？。。环，境，相结合？型，式主要工《。艺生产区域洁净度等！级为ISO5、【ISO6《级气：流流型？为非单？向流一般采》。用顶布FFU—送风架空地板下回风！满布率为17—％～：25％主要生—产设备操作区—域布置？在微环境内微环【境洁：净度等级为》ISO2、I—SO：3、：I，S，O4：级辅助区《域洁净度等级一般为！ISO？5、ISO》6级通常采用非单】向流光？。刻、电子《束，曝光等区域洁净度】等级为IS》O4级或者更高【.通常采用顶部满布！F，。FU送风架空地板】下回风国际标准【化组织I《SO/TC》209技术委员会】发布的ISO—。 14644—-4洁？净室及相关控—制环境？  第4部分设计】、建造和试运行【中的表B.》2，微电子洁净室的实】例列出了空气洁【净度等级、》气流：流型、洁净送风量】的数据？。。如，表5：所示 表！5 ：。 微电子洁净室的】实，例 — 【。10.1.》7、10.1.【8  洁《净区的送风方式【有集中送风》、风：机过滤器机》组(FF《U)形？式目前大规模集成电！路厂房洁净区面积大！、洁净度等》级高、送《风量：很大通常采用FFU！送风方式对于规模较！。小的实验室由于【面，积小洁净度等级【较低送？风量较小可采—用集中送风方式或】FFU送风方式【FF：U送：风方式由于空气循环！路径短气《流速度低阻力损失小！风机送风压头低【单位：送风量电耗较集中送！风方式低对》于洁净度等级高【的洁：净室推荐采用风【机过滤器机组—（，F，FU：）送风 【 10《.1.9  硅集成！。电，路芯片厂房洁—净室规模较大新风】量很大通常采—用多：。台新风机组集中【处理新？风集中处理》。新风具有以下优【点 1】  新风集中处理可！以去除新风中—绝大部分《的灰尘？有效延？长，了末级高《效空气过滤》器(HEPA)【、超高效空气过滤器！(ULPA)的使用！寿命； —。 ： 2 ？ 新风集中处理有利！于去除新风》中的水溶性化学污染！物降低了末级化学过！滤器的负荷； ！ 3  —新风集中处理有【利于洁净室湿—度控制避免冷—热抵消节《约能：耗，； 4】  通常芯片厂房新！风机组有多台并设】置备用机《组宜并联《。运行由？于工艺设备分期安】装且生产技术发展升！级速度迅速设—备更新升级快工艺】设备排风量会随运行！设备数量和运—行负荷率的变化而变！化新风量《也是变？化，的因此建议新风【系，统送风机采用—。变频措施以适应【新风需求量的变化】 10】.1.11》 ， 干盘管是采用【中温：冷，冻水作为冷媒的空气！换热设备安装洁净】室回风通路上消除】。洁净室内余热因其表！面温度高于》洁净室内空》气露点温度不会产】生冷凝水《干盘管应《用于洁净室》一般迎风面速—度控制在《2m/？s以：下以降低盘管—。空气阻？。力干：盘管正？常运行时不》会产生冷凝水不需要！设置：集水盘但考虑—到，设，备，。和管道检修建议设】置检修？排水：设，施 ？