10 【 工艺相关系—统
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10.》1 净 —化 区
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10.1.】1 ?集成电路技》术从最初在》同一块?衬底:材料上只能集成屈指!。可数的几个半导【。体器:件和无源元件—的水平已经发展到今!天的在一个平方厘】。米的硅?。晶片上就可以集成】几千万个《元件水平随着—时代的发展单个元】器件的尺《寸越来?越小单个集》成电路芯片》。的,面积:越来越?大这:就使:。得集成电路的集【成度越?来越高集成》电路芯片加工精度和!。生产环境的洁净度密!不,可分
!。 洁净区空【气中的尘埃会直接影!响芯片的《。品质表3为美国半】导体工业联合会(S!。IA)制定的有关半!导体技术《发展路线图中—。的,。。数据
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表3 半!导体工业芯片面积与!特征:。尺寸、临界缺陷【尺寸
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从】表,3中的临界缺陷尺寸!一栏清楚地》表明:了,晶圆:。片表面多大尺寸【的随机缺陷》或颗粒就会引—起,集成电路《芯片功能的失败由于!临界缺陷尺》寸应小于最小—特,征,尺寸:的一半对于当今20!nm的最小特—征尺:寸临界缺陷尺寸只能!小于10nm—例如在?光,刻胶的曝光过程中如!。果晶圆片表面存在一!个尘埃颗粒则这个小!颗粒就会影响到其】下方:光,刻胶的曝《光假如由此》引起的缺陷尺寸已】经接近了所要光刻】图形的特《征尺寸且该缺陷恰】好又处在芯片上的】某个:关键区域那》么就:极有可能导》致该处?的器件功能失效;】当处在栅氧化工艺步!骤,时一个位《于MO?S,FET栅氧化层区域!的颗粒就很》可能会引起器件【失效对于一个现代】的硅集成电》路芯:片制:造,。厂,来,。说据统计大约75】%的成品率损—失都是?。。由于晶?圆上的尘埃颗—粒而直接引起
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由—于产:品和工艺《设备不同对洁净【。室内空气洁净度等级!和被控?粒子粒?径、温度《、相:对湿度控制要求也】不相同因此生—产区域的洁净—度等级应根据工【艺要求确定为了有效!地保证产品合格【率避免概《念混淆应采》。用现行国家》标准洁净厂房—设计:规范GB 50【073表3.—。0.1作《为统一标《准如表4所示该表等!。同于国际标准IS】O 14644-1!洁净室及相关控【制环境 第1部分】空气洁净度》等级的分《类也便于与国—。际接轨确定空气洁净!度等级所处状态的】目的是便于设—计、施工和项目验】收更主要的是满足产!品生产要求
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表4 】 洁净?室及洁净区》空气中悬《。浮粒子洁净度等【级
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,1,0.1.《3 为保》证洁净室空气平【衡和洁净室内—的正压值新》鲜空气量应》等于补偿《室内排?风量和保持室—内正:。压值所需新鲜空气】。量之和?同时:新鲜空气量应—满足人员《新鲜空气需求量【因此取两《者之中的最大值【现行国家标准—采暖通风与》空气调节设计规范G!B :50019》。规定“?工,业建筑应《保证:每人不小《于30m《3/h的新风—量”洁净《厂房设计规范GB !5,00:73规?定“:保,证供给洁《净室内每人每—。小时的新鲜空—气量不?小于40m3/【h”芯?片厂房内使用化【学品、特种》气体等原料这些物品!具,有有毒有害、易【燃、易爆等特性因此!在本条第《2款制定了》“保证供给洁净区】内人员所需的—新鲜空气量》。”的规定《
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10.1.4】 洁?净室与相邻的房【间应保持一》定,压差确保洁净—室在正?。常状态?或,空气平衡《暂时:受到:。破坏时气流》只能:从空气洁净度等级高!的房间流向空气洁】净度等级低的房【间使洁净室内—的洁净度不》会受到污《染,空气的影响渗漏【空气量与压》差值:有关压差值选择应适!当,若压差值过》小洁净室正压容【易被:破坏洁净室的洁净】度会受到影响若压差!值,过大渗漏风量会【较大补充新风量【就相应增加新风空】调冷热负荷也会【相应增加新》风空调器容量—也会增大《过滤器负《荷也会增加》。过滤器?使用寿命也会—缩,短试验结《果表明?洁净室?内正压值小》于5:Pa时洁净室外【的污染空《气就有可能渗入【洁净室?内,。室外空气在洁净厂房!的迎风面上产生正】压在背风面上产【生负:压因此洁净》室相对于室外—的压差参照点应位】于迎风面洁净—室与室?外,的相:对压力应大于或【等于5P《a
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10.1.5 !近,年来国?内外集成电路芯片洁!净,室大多数《采用大空间(B【al:l,。。room)》与微环?境相结?合型式主要》工艺生产区域洁净】度等级为ISO【5、ISO6级【气流流型为非单向】流一:般采用顶布FFU送!风架空地板下回风满!布,率为17%~2【5%主?要生产设备操作区域!布置:在微环境内微—环境洁净度等级为】ISO?2、ISO3、IS!O4级辅助区—域洁:净度等级一般—为ISO《。5、ISO6—。级通常采用非—单向流?光刻、电《子束:曝光等区《域洁净度等级为I】SO4级或》者更高.通常采【用顶部满布FFU】送风架空地板下回】风,国际标准化组—织ISO《/TC2《0,9技术委员会发布的!I,。SO 14644-!4洁净室及相—关控制环境 — ,第,。4部分?设计、建造和试【。运行中的《表B:.2微电子洁—净室的实例列出了空!气洁净度等》级,、气流流型、洁【。净送风量的》数据如表5所示【
—表5 《微电子?洁净:室的实例
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10.1.7、1!0.1.《8 洁《净区:的送风方式》有集中送《。。风、风?机过滤器机》组(:FFU?)形式目前大规模集!成电路厂房洁—净区面积大、洁【。净度等级高》、,送风量很大通常采用!FFU送风方—式对于规模》较小的实验室—由于面积《小洁净度等级—较低:送风量较《小可采用集》中送风方式》或FFU《送,。风方式FFU送【风方式由于空—气,循环路径短气流速】度低阻力损》。。失,小风机送风》压头低单《。位送风量《电耗较集中》送风方?式低对?于洁净度等级高【的洁净室推荐采用】风机过滤器》机,。。组(FF《U)送风
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10.1.【9 :。 硅集成电路芯【片厂房洁净室规模较!。大新风量很大通常】采用多台《新风机组集中—处理:新风集中处》理新风具《有以下优点
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1 新】风集中处理可以【去,。除新风中《绝大部分的灰尘有效!延长了末《级,高效空气《过滤:器(HEPA)、】超高效?空气过滤器(ULP!A)的使用寿命【;
【。2 : ,新风集中处理有利于!去除新?风中的水溶性化【学污染?物降低了末级—化学过滤器》的负:。。荷;
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3 新风集中!处理有利《于,。洁净室湿度控制避】免冷热抵消》节约能耗;
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4?。 通常芯》。片厂房新风机组有多!台并设置备用机【组宜:并联运行由于工艺设!备,分期安装《。且生产?。技术发展《升级速?度,迅速设备更》。新升级快工艺设备排!风量会随《运,行设备数量和—运行负荷率的变化】而变化新《风量也是变化的因】此建议新风系统送】风,。。机采用变频措施以】适应新风《需求量?的变化
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10.1.【11 干盘—管是:采用中温冷》冻水作为冷媒的空】气换热?。。设备安装洁净—室回风?通路上消除洁净室】内余热因其表面温度!高于洁净室内空【气露点温度》不会产生《。。冷凝水干《盘管应用于洁净室】一般迎风面》速度控制在》2m/s以下以降】低盘管空气阻力【干,。盘,管,正常运行时》不会:产生冷凝水不需要】设置集?水盘但考虑到设备和!管道检修建议—设置检修排水—设施
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