。 9.6【  电 磁 屏 蔽！ 》 9.6.1】  硅集成电路芯片！生产：相关工序的房—间，和测量、《仪表计量房间凡属】下列情？况之一应采取电磁屏！蔽措施 【 1  》环境：。的电磁场强度超过生！产设备？和仪器正常》。使，用的允许值； 】。 2  生】产设备？及仪器产生》的电磁泄漏超过干】扰相邻区域所允许】的环境？电磁：场强度？值；： ， 3—  有？特殊电磁兼容—要求时 】 ，9.6.2  【环境电磁场》场强：宜以实？测值为设计依据【缺少实测数据时可采！用理论计算值再加】上6dB～8d【B的环？境，电平值作为干—扰场强 ！9.6.3  生】产设备和《。仪器所允许的环境】电磁场强度值应以】产品技术说明要求为！依据 】9.6.4  【对需要采取》电磁屏？蔽措施的《生产工序在满足【生产操作和屏蔽【结，构体易于《实，现的前提下宜直接】。对生：产工序中的》设，备工作地环境进行】屏蔽 —。 9.6.5【  对需要采取电】磁，屏，蔽措施的区域屏蔽结！构的屏蔽效》能应：在工作频段有不【小，于10d《B的余量《屏蔽室的电磁屏蔽】效，能可：按表9.6.5的】数值确定《 表9】.，6.5  》屏蔽室？的，电磁屏蔽《效能 》 》 《9.6.6  【屏蔽措施可选择下列！方式 ？ 1  直！接，对生产设备工作【地环境进行屏蔽时宜！选择装配式的商品】。。。屏蔽室； 【 2  对【生产工序整体环【境进行屏蔽时宜选择！非，标设计和施工—安装的屏蔽》体； ？ 3 【 对仪表计》量房间的电磁进行屏！蔽时装配式》的商：品屏蔽室与非标【设计和施工安—。装的：屏蔽：体均可采用 】 ： 9：.6.7 》 屏蔽效果验—收测：量应符合现行—国家标准电磁屏蔽】室屏蔽效能的测量】。方法GB/T 【1219《。。0，的规定 》