。。 ： 6  防— 微 振 ！ 》。6.：1，。  一？般规：定 ？ 6.】1，.1：  硅集成电路芯】。片，厂房应？满足光刻及测—。试设备的防》微振要？求 — 6.1《.，2  硅集成电路芯！片厂：房的选址应对场地】周围的振《源进行充分的调查与！评估 》 6.1.3 ！ 厂址？选择：除，既有环境的振源外尚！应，计及在？未来可？能产：生的振源《对，拟建厂？房的影响 】 6.1.4  ！振动大的动》力设备和运》。输工具？等，应远：。离对振动《敏感的净化生产区域！动力厂房与》生产厂房不宜贴近布！置 6.！1.5 《 硅集？成，。电路芯？片厂房宜在》下列阶段《进行微振测试—和评价？ 《 1  在建设】前，对场地素地进行测】试和评价； ！ 2  生产【。厂房结构《体完工后对》于布置光《。刻及测试设备的区】域进行测试》； — 3  《生，产厂房竣《工时对？布置光刻及测—试设备的《区域进行《测试 《