《6  防 》微 振 《 ！6.1 《 ，一般规定 】 6.1【.1  硅集成电】路芯片厂房应满足】光刻及测试设备【的防微？振要求 》 6.1.】2，  硅集成电路芯】片厂房的选址—应对场地周围的振源！进行充分的调查与评！估 — 6.1.3  】厂址选择除》既有环？境的振源外尚—应计及？。在未来可能产—生的振源对拟建厂房！的影响 《 ， 6.1.4！  振动大的动力设！备和运输工具等应远！。离对振？动敏感的净化生产区！域动力厂房与生【产厂房？不宜贴近布置— ？。 ： 6：.1.5  硅【集，成电路芯片厂房宜】在下列阶《段进行微振测试【和评价 — ？1 ：。 在建设前对场地】素地进行测试和【评价；？ 2 】 生：产厂房结构体完【工后对于布》置光刻及《测试设备的》区域进行测试； ！ ？ 3  生产—厂房竣工时对布置光！刻及测试设备的区】域进行？测试 《