： ：3.2  技术选择！ ？ ， 3.2.1！  ：生产：的工艺技术和—配套：的设备应《按硅集成电路芯片】工厂的产品类—型、月最大产能、生！产制造周期、投资金！额、长期发展—进程等因素》确定 3！.2.2《  对于《线宽在0.3—5μm及《以上工艺《的硅集？成电：路，的研发和生》产宜采用4英寸～6！英寸芯？片生：。产设备进行加工 ！ 《3.2.3  对】于线宽在0》。。.，13μm及以上【工艺的？硅集成电《路的：研发和？生产宜采用》8英寸芯片生—产设备进行》加工： ： 3》。.2.？4  对于线宽在】20nm《～90nm》工艺：及以下的硅集成【电路的研发和生产】宜采用12英—。。寸芯片？生产设？备进行加工 【