《。3.3 》工,艺布局?
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3?.3.1《 工艺布置应【满足产品类型、规】划和:产能目标的要求
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3.—3.2 工艺【布局:应根据?生产工序分为包【含光刻、刻蚀—、清洗?、 氧化/扩散、】溅射、化学》。气相淀积《、离子注入等工序】在内:的核心生《产区:以,及包括?更衣、物料净—化、测试等工序【在,内的生产支持区
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《。3.3?.,3 ?核心生产区的布局】应围绕光刻工序为】中心进行布置—。。(,图3.3《.,3,),工艺布局应缩—短硅片传《送距离并应》避免:硅片:发生工序间交叉污染!
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《
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图3.3.—3 硅集成电路芯!片生产工艺流程
】
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3:.,。3,.,4 4英寸~6英!寸芯:片核心生产区—宜采用港湾式布局】
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《3.3.5 8】英寸~12》英寸:芯片核心《生产区宜采用微环境!和标准?机械接口《。系统:并,宜采用大《空间式布局
】
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3.3》.6 8英寸~1!。2英寸?芯片核心生产—区宜将生产辅助【设备布置《在下技术《夹层
3!.3.7《 工?艺设备的间隔应满足!。。相邻设?备的:维修和操作需求
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《3.3.8 操】作人:员,走道的?宽度应符合下列【原则
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1 应—满足设备《正常:操作:的需要;
】
2 应—满足:人员通行和材料【搬运:的需要;
】
3 》应,满足材料暂存的需】要
3】。。.3.9 生【。产厂房宜设置参观】走,道并应避免影响生】产的人流《和物流路线以及应急!疏散
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3.【3.1?0 8英寸~【12英寸芯片—生产宜根据》。生,产规:模设置自《动物料处理系—统(:AMHS)》
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