。 3.—3  工艺》。布局 】 3.3.—1  工艺》布置：。应满足产品类型、规！划和产能目标的要】求 【3.3.2  工艺！布局应根据生产【工，序分为？包含光刻、刻—蚀、清洗、》。 ，氧化／扩散、溅射】、化学气相淀积【、离子？注入等工序在内的】核，心生：产区以及包括更衣、！物料净化、测试【等工序在内的生产支！持区 3！.3：.3  《核心生产区的—布局应围绕光刻工】序为中？心进行布置（图【3.3.3》）工艺？布局应缩短硅—片传送距《离并应？避免：硅片发生工序—。间，交叉污染 】 — 图3.3.3】  硅？集成电路芯片生【产工艺？流程 】3.3.4》 ， 4英寸～6英寸芯！片核：心生：产区宜采用港湾【式布局 ！3.3.5 — 8英寸～1—2英寸芯片核心生】产区：宜，采用微环境和—标准机械《接，口，系统并？宜采用大《空间式布局 】 ？3.3.6  8英！寸～12英寸—芯片核心生产区【宜将生产辅》助，设备：布置在下技术—夹层： 》 ，3.3.《7 ： 工艺设备》的间隔应《满足相邻设备的维修！和操作需《求 3】。.3.8《  操作人员走道】的宽度应《。符合下列原则 【 《 1  应满足设备！正常操作《的需要；《 2【  应满足人员【通行和材料》搬运的需要》； 3】  应满足材料暂】。存的需要 ！ 3.3.9  】生产厂？房宜设？。。。置参观走道并应【。避免影响生》产的人流《。和物流路线以—及应：急疏散 》 3.3【.1：0  ？。。8英寸～12英寸芯！片生产宜根据生产规！模设置自动物料处理！系统（？AMHS）》 ：