硅集成电路芯片工厂设计规范 [附条文说明] GB50809-2012 建标库

3.3  工艺布局

3.3.1  工艺布置应满足产品类型、规划和产能目标的要求。

3.3.2  工艺布局应根据生产工序分为包含光刻、刻蚀、清洗、氧化/扩散、溅射、化学气相淀积、离子注入等工序在内的核心生产区,以及包括更衣、物料净化、测试等工序在内的生产支持区。

3.3.3  核心生产区的布局应围绕光刻工序为中心进行布置(图3.3.3),工艺布局应缩短硅片传送距离,并应避免硅片发生工序间交叉污染。

图3.3.3  硅集成电路芯片生产工艺流程

3.3.4  4英寸~6英寸芯片核心生产区宜采用港湾式布局。

3.3.5  8英寸~12英寸芯片核心生产区宜采用微环境和标准机械接口系统,并宜采用大空间式布局。

3.3.6  8英寸~12英寸芯片核心生产区宜将生产辅助设备布置在下技术夹层。

3.3.7  工艺设备的间隔应满足相邻设备的维修和操作需求。

3.3.8  操作人员走道的宽度应符合下列原则:

1  应满足设备正常操作的需要;

2  应满足人员通行和材料搬运的需要;

3  应满足材料暂存的需要。

3.3.9  生产厂房宜设置参观走道,并应避免影响生产的人流和物流路线以及应急疏散。

3.3.10  8英寸~12英寸芯片生产宜根据生产规模设置自动物料处理系统(AMHS)。