5.6【 硅芯制备及多晶!硅产:品后:处理:
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5.6】.1 硅》芯制备?工艺可采《用区熔法拉制和切割!法工艺路线选择应根!据,硅芯生产规模、能】源价格等情况经【技术经?济分析?比较后确定》
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5.?6,。。.2 采用区熔法!。拉制硅芯应设置电】磁屏:蔽
》
5.6.3【 :硅,芯制备?的房:间应设置在洁—净区内?
》
5.?6.4 多晶硅】后处理应包括—产品运输、破碎、分!拣、包装、腐蚀清洗!等工:序其:。中运输、破》碎、分拣、包装工序!应符合下列规定【
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》1 ?硅,棒破碎?系统的位置应根据】运,输,硅棒:。路径、中间仓库位置!及,厂房工艺布置确【定并应?靠近还原车间;【
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》 2 硅—棒运输车内》衬板宜采《用,。耐磨、不《吸尘的非金属材料;!
— ? 3 硅棒破碎方!式应根据生产规模】。、物料性《。能,和产品粒度确定可采!用,人,工破碎或机械破碎】。。;
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《 : 4 ? 破:碎工具与产品接触部!分应选用《硬,度大和强度高—的材料;《。
【 5 破碎系!统应:设置:除尘装置;
】
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》6 破碎粒度应】符,合现行国家标准【硅多晶G《B,/T ?1,2963和太—阳能级多晶硅GB】。/T 25074】有,关块状多晶》硅的尺?寸范:围要求;
》
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7 【 破碎、分拣、【包装应设置》在洁净区内》
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5.6.—5 腐《蚀清洗工序应符【合下:列规定
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】 1 腐蚀清洗应!设,置在洁净区内;
】
— 2 腐蚀清!洗室内应设置单独的!物料进?出口并应与人员出入!口分开?;
】 : 3 供酸—。室应与?腐蚀清?洗室分开布》置供酸室应布置在】便于酸桶运输的【地方并应采》取防护措《。施,;
》
《 4 腐蚀【清洗设?备内酸腐蚀》部位:应设置强制排风【废气应处理达—标后再排放》;
】 :。 ,5 输送强—酸的:管道应采用双层套管!外层宜?采用:透,明聚:氯乙烯(PVC【)管
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