5.6【。  硅芯《。制备及多晶硅—产品后？处，理 — 5.6.1 ！ 硅芯制《备工艺可采用—区，熔法拉制和切—割法工艺路线—选择应根据硅芯【生，产规模、能源—价格等情《况经技术经》济分：析比较后确定 【 5.【6.2？  采用区熔—法拉制？硅芯：应设置？电，磁屏蔽 ！5.6.3  【硅芯制？备的房间应设—置在洁净区内 】 5.6【.，4  多晶》硅后处？理应包括产品运【输、破？碎、分拣、包装【、腐蚀清《洗等工序其》中运：输、破？碎、分拣、》包，装工序应符合下列规！。定   ！ ，。 1  硅棒破碎系！统的：位置应根《据运输硅棒路径、】中间仓库位置及厂房！工艺布置确定并【应靠近还原车间；】  【   2《  硅棒运输车内衬！。板宜采用耐磨—、，。不吸尘的非金属材料！； ？     】3  硅《棒，破碎方式应根据生】产规模、物料性能和！产，品粒度确定可采用】人工破碎或机械破】碎，； 《     4 ！ ，破，碎工具？与产：品接：触部分应选用硬度】大和强度高的材【料； ？ 《   ？  5  破碎系统！应，设置除尘装置；【 《。     6  ！破碎粒度应符合【现行国？家标准硅多晶GB／！T， 12？963和太》阳能级多晶硅GB】。／T 250—74有关块状多【晶硅：的，尺寸范围要求； 】 《     》7  破碎、分【拣、包装应》设置在洁净区内【 5【.6.5 》。 腐蚀清洗工序【应符合下列规定 】   【  1？  腐蚀清洗—应设置在洁》净区内； ！     2  腐！蚀清：洗室内应《设置单？独的物料进出口并】应，。与人员出《入，口分开？； —     》3 ： 供：酸室应与腐蚀—清洗室分开》布置供酸室》应布置在便于—酸桶运输《的地方并应采取防护！措施； 【 ：    4 — 腐蚀清洗设备内酸！腐蚀部位应设—置强制排《风废气应处理达标】。后再排放；》 ：    【 5  输送—强酸的管道应采用双！层套管外层宜采用透！。明聚氯？乙烯：(PVC)管 】