5.6 !硅,芯制备及多晶硅产】品,后处理
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—5.:6.1 硅芯【制备工艺可采用区熔!法拉制?和切割?法工艺路线选择应根!据,硅芯生产规》模、能?源价:格,等情况经技》术经济分析比较后】确定:。
—5.6.2 【采用区熔法拉制硅芯!应设置?。电,磁屏蔽?。。
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5.6.》3 硅芯》制备的房间应设【置在洁净《区内:
5【.6:.,4 多晶硅—后处理应包括产【品运输、《破碎、?分,拣、包装、腐蚀清】洗等工序其中运【输、破碎、分—拣、包装工序—应符合下《列,规定
! , , 1 硅》棒破碎系统的位置应!根据运?输硅棒路《径、中间仓库位置及!厂房工艺布置确【定并应靠近》还原车间《;
】 2 —硅棒运输车内衬板】宜采用耐磨、不【吸尘的非金属材料】;
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《。 , 3 《 硅棒破碎方式应根!据生产?规模:、物料性能》和产品粒度确—定可:采用人工破碎—。或机械破碎;—
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》 4 破碎工具】与产品接触部分应】选,用硬度大《和强度高《的材料;
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5 【 ,破碎系统应设置除】尘装置;
【
《 6 》 ,破碎粒度应符合现】行国家标准硅多【晶GB/《T 1?。296?3和:太阳能级多》晶硅G?B/T 25—。074有关块状【多晶硅的尺寸范围】。要求:。;
【 7 破】碎,、,分拣、包装应设置在!。洁净区内
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5.6.【5 ?腐蚀清?洗工序应《符合下列规定—
】 1? 腐蚀清洗应【设置在洁净》区内;
】
, 2 【腐蚀清洗室内应设置!单独的物料进出口】并应与?。人员出?入口:分开;
! 3》 :。供酸室应与腐—蚀清洗室分开—布置供酸室应布置在!便于酸桶《运,。输的地方并应采取防!护措:施;
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4 】 腐蚀清洗设备内酸!腐蚀部位应设置【强制排风废气应处理!达标后再排放—;
】 5 》 输送强酸的管【。道应采用双层套管外!层宜采用透》明聚氯乙烯(PVC!)管
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