5.6  ！硅，芯制备及多晶硅产】品，后处理 》 —5.：6.1  硅芯【制备工艺可采用区熔！法拉制？和切割？法工艺路线选择应根！据，硅芯生产规》模、能？源价：格，等情况经技》术经济分析比较后】确定：。 —5.6.2  【采用区熔法拉制硅芯！应设置？。电，磁屏蔽？。。 》 5.6.》3  硅芯》制备的房间应设【置在洁净《区内： 5【.6：.，4  多晶硅—后处理应包括产【品运输、《破碎、？分，拣、包装、腐蚀清】洗等工序其中运【输、破碎、分—拣、包装工序—应符合下《列，规定  ！ ， ， 1  硅》棒破碎系统的位置应！根据运？输硅棒路《径、中间仓库位置及！厂房工艺布置确【定并应靠近》还原车间《；  】   2  —硅棒运输车内衬板】宜采用耐磨、不【吸尘的非金属材料】； 《  《。 ，  3 《 硅棒破碎方式应根！据生产？规模：、物料性能》和产品粒度确—定可：采用人工破碎—。或机械破碎；— 《    》 4  破碎工具】与产品接触部分应】选，用硬度大《和强度高《的材料； ！     5 【 ，破碎系统应设置除】尘装置； 【  《   6 》 ，破碎粒度应符合现】行国家标准硅多【晶GB／《T 1？。296？3和：太阳能级多》晶硅G？B／T 25—。074有关块状【多晶硅的尺寸范围】。要求：。； 【    7  破】碎，、，分拣、包装应设置在！。洁净区内 【 5.6.【5  ？腐蚀清？洗工序应《符合下列规定—   】  1？  腐蚀清洗应【设置在洁净》区内； 】 ，    2  【腐蚀清洗室内应设置！单独的物料进出口】并应与？。人员出？入口：分开； ！    3》  ：。供酸室应与腐—蚀清洗室分开—布置供酸室应布置在！便于酸桶《运，。输的地方并应采取防！护措：施； 《 ：     4 】 腐蚀清洗设备内酸！腐蚀部位应设置【强制排风废气应处理！达标后再排放—；  】   5 》 输送强酸的管【。道应采用双层套管外！层宜采用透》明聚氯乙烯(PVC！)管 《