5.—7 ： 分析检测 】 5—.7.？1  多晶》硅工厂？。应设：置单独的分》析检测室并宜—在四氯？化硅氢化、还原尾】气干法？回，收，、三：。废处理站等》装，置区内设《置在：线分析装置》 ？ 5.》7.2 《 分析检测室—不应与甲、乙类【房间布置在同一【防火分区内可独立】设置于一侧 ！ 5.7》.3  分析检测应！包括下列内容 ！     1 ！ 氯硅烷的含量、杂！质、含碳《。化合物分析； 【 》 ，   2《  硅粉的含—量、：杂质、粒《度、碳含量分析； ！ ，   —  3  》液氩中氧、》氮，含量分？析； 《  》 ，  4 《 液氮中氧含量【的分析氮《。气中氢含量、氧含量！和露点分析； ！   》  ：5  氢《气中氧含量、—氮，含量、？氯硅烷含量、露点】分析；？ ：   —  ：6 ： 水中氯离子(Cl！。。-)、氟离》子(：F-)、化学含氧量！(COD)、—生化：需氧量(BOD)、！酸碱：度，(pH值)、—硬度、全碱度—。、悬浮物《、总磷、正磷分析】； 》 ，     7  大！气中氯化氢、氟化物！、氮氧化物分析；】 —    8》 ， 多：晶硅质量指》标分析？指标分析包》括多晶？硅的导？电类型？、电阻率、少子寿命！、氧含量、碳含量、！。表面金属《杂质含量《、，体金属杂质含量的】分析； 《 》    《9  合成原—。料氯化？氢，的纯度分析； 】。。     1！。0  液氯中三【。氯化氮、水含量【分析 ？ 《 5.？7.4  》分析检测室中除化】学分析？外其他分析检测【室应设置在洁—。净区 《