5》。.2  三》氯氢硅合成和四氯】化硅氢？化 ： 》 5.2.1【  多晶《硅工厂？。应有四氯化硅(S】TC)氢《化装置企业可—。根据生产规模—、当地三氯氢硅供】应以及？投资规？模等方面综合比【较后：确定：是否：。增加三氯氢硅—合成装置 ！ 5.2.2—  三氯氢硅—合成：工序的原料之一的】氯化氢(HCl【)可采用《氯化氢合成》或盐酸解析》工艺制取 — 5》.2.3 》 液：氯汽化工序》的液氯汽化器—应采用？热水加？热，水温宜为40℃【～70？℃不应使用蒸汽【。加热并应设》置冬、夏季不同【温度：的冷、热《。。水汽化液氯液氯汽化！工序的设计》应符：合现行国家标准氯】气安全规《程G：B 1？1984的有—关规定 】 5.2《.4  三》氯氢硅合成》工序应采用干—、湿：结合的除尘工艺并】应提高单次运行时间！ 》 ，5.2.5》  三氯氢硅合【成工序的工艺尾【气应采？用吸附装置回收氢】气，和氯化氢《 5【.2.6  合成】和冷氢化工序宜设】。置硅粉干燥工序干燥！。用气应回《收循环使用 — 《 5.2.7—。  四？氯化硅氢化装—。。置应：根据多晶硅生产规模！、所在地《区能源价格、投资成！本及建设周》期，综合经济比较—后确定采取》高温：氢化上艺、》固，定，床冷氢化工艺或流化！床冷：氢化工？艺 》 5.2.—8，  氢？化装置宜与氢化【冷凝液提《纯装置临《近布置 》 5.2.9！  冷氢《化，装置应配套残液回收！装置：并应就近配置— 5.】2.10  —冷氢化装置宜独立】。设置于敞《开或半敞开》式的构筑物内制【冷系统可布置于建筑！物内；附属辅助系统！宜在满足防》火间距？。的基础？上毗连布置 — 《 5.2.11【  主要设备选型】应符合下《列规定？ ，。 ？ ：   ？ 1：  氢气压缩—机应选择密封性【好、噪？声小、故障》率低的机《型宜设置《备用：机； 《     】2  ？宜选用运行稳定、故！障率低？。、密封好《的泵应设置备用【机 ？