？。 5  工艺设计 ！ ？ ？ 5《.，1  一般规定 ！ 5.1！.1：  ：三氯氢硅氢还原法多！晶硅生？产工：艺流程？。。的，。设计和？工艺设备的选型应】符合下列规定 】。     】1  应《对建设？规模、产品方案【、建厂条件、—原料与燃料》性能及价《格、能源消耗—、经：济效益等进行—技术经？济比较后确定工艺】流程和？主要设？备； 》 ，。 ，  ：   2 》。 应选择符》合国：家制造标准、节能环！保、先？进高效？、安全可靠的工【艺，设，备； —。   《  3 《 应采用符合循环经！济，要求的新技术、新】工艺、新设备； ！   —  4 《 物料平《衡和能量《平衡应根据选—。定的：工艺流程进行计算；！ ？     5 ！ 不同工序的—系统设计《、设备选型与配备应！。根据：每个工序和单—体设备？的运转效率及中间产！品的：操作：需求综？合平衡后《确定并？应保证生产系统【的操作？弹性和余《量同时应满》足生产负荷》变化和生产安全的要！求； 《 《  ：  6  在高【海，拔、高？寒和湿热地区—建厂应根据海拔【。高度对？工艺计算、》设备选型进行修正所！选用的设备应满足其！特殊环境要求 ！ 5《。.1.2  —工，艺布置应符》合下列规定 】     【。1  总平面布置应！满足工艺流程的要】求宜留有发展—空间； — ： ，    2  【工，艺车：间宜根据《工艺流程和设备【。选型确定并应在平面！和空间上《满足施工《、安装、操作、【维护、监测和通【行的要求 — 5.—1.3  工艺流程！选择、？设备选型及》工艺布置应根—据多：晶硅生？产主要物料》的易燃、易爆、有】毒及火灾危险—等危害特性确—定 ： 5.1.！4  寒冷地区【的，管路系？统应采取《防冻措？。施 》 ， 5.1《.5  新建、改建！或扩建工厂内各生】产，。单元：的蒸汽、电力及综合！。能耗总额不应大于现！行国家标准多—晶硅企业单位产品能！源消耗限《额GB 29447！中，规定的限额准入值】 5【.1.？6，  工？艺生：产装置应设有事【故紧急？。排放设施《工艺废气应根据介质！种类、粉《尘含量和危险性单独！或全厂分类、集中回！收处理 —。。 5.1—.7：  工艺设》计，范围应包括三氯氢硅！合成和四《氯化硅氢《化、氯硅烷提—。纯、三氯《氢硅氢还《原、还原尾气干法回！。收、多晶硅产品【后处理、二氯二氢】。硅(DCS》)反：歧化等生产》。车间：或单元以及相应【的工：艺辅助设《施， 5.1！.8  《工艺：生产系统内》的设：备、管道的材质以及！管阀件？应根据物料性质和】工况条件选取—并应：采，取相应？的安全防护措施 ！ 5.1.9！  工？艺主要生产房间洁净！度的设计要》求宜：符合本规范附录C】的规：定 ？