5 — 工艺？设计 ！ 5.1 【 一般规定 — ？ ？ 5：.1.1  —三氯氢硅《氢还原法多》晶硅生产工艺流【程的设计和》工艺设？备的选？。型应符合下列规定 ！ ，。  》 ，  1  应对【建，设规模、《产品方案、建厂条】。件、原料与燃—料性能及价》。。格、能源消耗、经】济效益等《进行技术经济比较】后确：定，工艺流程和主要设备！；  】。   2  —应选择符合国家制造！标准：、节能环《保、先进高》效、安全可靠—的工艺设备； ！     【3  应采用符【合循：环经：济要求的《新技术、新工艺、】新设备； — ：    》 4 ？ 物料平衡和能量平！衡应：根据选定的》工艺流程进行计算】； —     5—  不同工序的系】统设：计、设备选型—与配备应根》据，每个工序和单体设备！的运：转，效率及中《间，产品的操作需求综合！平衡后确定》。并应保？证生产系统的操【作，弹性和余量》同时应满足》生，产负：荷变化和《生产安？全的要求；》 ， ： ：   ？  6  在高海拔！、高：寒和湿热地区建【厂应根？据，海拔高度对工艺计算！、设备？选型进行《修，正所选用的设备应满！。足其特殊环境要【求 5】.1.2 》。 工艺布置应符合】下列：规定  ！ ， ， ，1  总平》面布置应满足工艺】流程的要求宜—留有发展空间； ！    【 2 ？ 工：艺车间宜《根据工艺流程—和设备选型》确定：并应在平面和空间上！满足施工、安—装、：操作、维护、监测和！通行的要求 — 5.1】.3  工艺流程】选择、设备》选型及工艺布置【应根据多晶硅生产主！要物料的易》燃、：易爆、有《毒及火灾危险等【危害特？性确定 【 5？.1.4《  ：寒，冷，。地，区的管路《系统应？采，取防冻？措施 《 5.—。1.5  新建、改！建或扩建工》厂内各？生产单元的蒸汽【、电力及综合能耗】总，额不应？大，于现：行国家标《准，多晶硅企业》单位产？品，能源消耗限额GB ！29447》中规：定的：限额准入《值 》 5.1.6 】。 工艺生《产装置？应，设有事故紧急排放】设施工艺《废气应根据介质种】类、粉尘含》量和危险性》单独或全《厂分类、《集中回收处理 】 5.—。。1.7  工艺设】计范围应包括—三氯氢硅合成和四】氯，化硅氢化《、，氯硅：烷提纯、三氯氢硅】。氢还原、还》原尾气干法回—。收、多晶《硅产品后处理、二】氯二氢硅(DCS】)，反歧化等生产车间或！单，元以：及相应的工艺辅助】设，施 5.！1.8  工—。艺生产系统内的【设备、管道》的材质以及管—阀件应根据物—料性质和工况条件选！取并应采取相—应的安全防护—措施 — ， 5.1.9  工！艺主要生产房间【洁净度的设》计要求？宜符：合，本规范附录C的【规定 《