5  【工艺设计 》。 》 ？ 5.？1，  一般《规定 【 5.》1，。.1  三氯氢硅氢！还原法多晶》硅生产工艺流程的设！计和工艺设备的选型！应符合？下列：。。规定：  【 ，  1？。 ， 应对建设规模、】产品方？案、建厂条件—、原料与《燃，料性能及价格、【能源消耗、经济效】益等进行技术经【济比较后《确，定工艺流程和主要设！备，； 》     2  ！应，选择符合国家制【造标准、节能—环保、先进高效【、安：全可靠的工艺—设备； —   》  3  应采用】符合循环经济要求】的新技术、新工艺】、新设备； 【     】4，  物料平》衡和能量平衡应根据！选定的工《艺流程进行计—算； 《 ：   《  5  不同工】序的系统设计、【设备选？型与配？备应根据《每个：工序：。和单体设备的运【。转，效率及中间产—品，的操作需求综合平衡！后确定并应》保，证生产系《。统的操作《弹性和余量》同时应？满足生产负》荷变化和生产安全】的要求； 》 《     6  】在高海拔、高—寒，和湿热地区》建厂应根据海—拔高：度对工艺计算—、设备？选型进行《修正所？选用的设备应满足其！特殊环？境要求？ 5.】1.2？  工艺《布置应符《。合下列规定 】     【。1  总平面布【置应：满足工艺流程的要求！宜留有发展空间【。； 》。     —2，  ：工艺车间宜根据工艺！流程和设备选型【确定并应在平面和空！间上满足施》工、安装、》操，作、维护《。、监测和通行的【要求 《 ？ 5.1.3—  工艺流程—选择、设备选—型及工艺布置应根】。据，多，。晶硅生产主要物料】的易燃、易》。爆、有毒及火灾危】险等危害《。特性确定《 ， 5.【1.4  寒—冷地区的管路系【统应采取防冻—措施 — 5？。。.1.5 》 新建？、改建？或扩建工厂内各生】产单元？的蒸汽、电力及综合！能耗总额不应大于现！。行国：家标准多晶硅—企，业单位产品能—源消耗？限额GB 2944！7中规定的限额准入！值 ？ 5.1.】6  工艺生—产装：置应设有事故—紧急排放设施工艺废！气应根据介质种类】、粉尘含量》和危险性单》独，或全厂分类、集中回！收处理 【 5.《。1.7  工艺【设计范围应包—括三氯？氢硅合成和》四氯化硅氢化—、氯：硅烷提纯、三—氯氢硅氢还原、还】原尾：气干法回收、多【晶硅产品后处理、二！氯二氢硅(D—CS)反歧化等生产！车间或单元以—及相应的工艺辅【助设施 ！5.1.8  【工艺生产系统内【的设备、管道的材】质以及管阀件应【根据物？料性质和工况条【。。件选取？。并应采取相应的【安全防护措施 】 5.1.】9  工艺主—要生产？房间：洁净度的《。设计要求《宜符合本规范附录C！的规定 》