： ， 3.3 》 工艺？布，局 【 ：3.3.1、3【。.3.2  —集成电路芯片工艺十！分复：杂，复杂电路的工—艺，步骤可高《达500多步一般可！概分为前段工—艺及后？段工艺硅《。片下线后在其清洗】过后的表面上—通过氧？化或化学气相淀积的！方法形成各种—薄膜经由《光刻成型《与刻：蚀工艺？形成各类《图形采用离子—注入或扩《散方法掺杂》形成所需《。的电学特性》再通过溅射形成多】。重，导线如？此多次循环重复最】终形成电路图形 ！ 1  清洗！。工艺 清！洗工艺主要用—。来去除金属杂—。质、有机物污染【。、微尘一《般情：况下使？用高纯？度的化学《品来：清洗高？纯度的去离》子纯水？来洗濯最后在高【纯度的气体》环境下高速脱水【甩干：或采：用高挥发性的有【机溶剂除湿干—化按：。照清洗方式的不同一！般，可分为湿法化—学，。法，、物理洗净法和干法！洗净法 【 ：。。2  ？氧化工艺 】 ， 氧化工艺由—硅的氧？化形：成，氧，。化层作为性能—良好的？绝缘材料《一般可分为》湿法氧化法和干法】氧化法；而常—见的氧？化，设备有水平式与【直立式炉管  】 ， 3  扩散工！艺 扩】散工艺是指》物，质（气、固》、液）？中的：原子：或分：子在高温《状态下因高温—激化作用由高浓度区！域移至？低浓度区《域 4 ！ 化学气相淀积工艺！ ？ ， 化学气相淀积】工艺利用气态的化学！材料在硅片》表面产生《化，学反应？并在硅片表面—上淀积形成一—层，固体薄？膜如二氧《化硅、各种硅玻璃】、多晶硅、氮化【。硅、钨与《硅化钨等因反应压】。力的不同《一般：。。可分为常压化学气相！淀积法、低压化学气！相淀积法（相关设备！有批量加工形式的炉！管也有单一硅—片加工形式的设备）！、亚大气《压，。化学气相淀积法、】等离子体增强—。。型化学气相淀积法】、高密度等离子体】增强型化学》气相淀积《法 【5 ： 离子注入》工艺 离！子注：入工艺是通过将选定！的离子加速射入【硅片的？特定区域而改—变其电学特性—的一种工《艺一般可以》分为大电《流型、低能》型、中低电流型【、高：。能型 】。6  溅射工—艺 》 溅射《工艺通？过靶：材来提供镀》。膜的金属材》料利用其重力作【用使靶材产生的【金属晶粒掉落—至，硅片表面从而—形成：金属薄膜 》 7 【。 刻蚀工艺》 ， 刻蚀【工艺用于将形成在硅！片，表面的薄膜》。被全部？或依照特定图形部分！地去除至必》要的厚度一般—可以分？为湿法刻蚀和干法刻！蚀湿法刻蚀利用【。。液体酸液或溶剂将】不要的薄膜去除干法！刻蚀利用带电粒子以！及具：有高度活性化学的】中性原？子和自？由基：的等离子《体将不要的薄膜去除！ 》 8  光刻工艺 ！ 《 光刻工艺是掩【膜板：上的图形在感光材】料光刻胶上成像【的过程流程一般【分为气相成底膜【、旋转涂胶、软烘】、，。对准和曝《光、曝光后烘焙、显！影、坚膜《。烘焙：等曝光设备一般又可！依波长之《不，同分为365nm】。的I-lin—。e、248nm的】KrF？深紫外线曝》光设备以及》1，93：nm的ArF深紫】外线曝光《设备和浸润》式，曝光设备工艺相关设！。备需放置在黄光的】区域：该区：域需要有独立的【回风对洁净》度亦：。有，较高的需求并装置去！离子器对温度、湿】度、抗微《。振性能有最高的【要求 【。 9 ？ 化学机械研磨工】艺 ： ， 化》学机械？研磨工？艺是把芯片放在旋转！的研磨垫上施加一定！的压力？用，化学研磨液》进行研磨的》。平坦化过程以—完成多层《布线：所需的平坦度要求通！常应用在《8，。英寸及以上的芯【片加工工艺中— 》 10  》。检测 《 ， 透过微分析技！术对材料以及工艺】品质做鉴定》和改善可概分为【在线检测《及，离线检测《 —11：。  硅片《验收测试 — 《硅片：验收测？试是在工《艺流程结《束后对芯片做电【性测量用来》检，验各：段工艺？流程：。是否符？合标准 》。 12— ， 中测 — 中测》的目的是将》硅片中不良的芯片挑！选出：来通常包含电压、电！流，、时序和功能的【验证所？。用到的？设备有测试》。机、：探针：卡、探针台》以及测试机与探【针卡之间的接—口等 【 3.？3.：3，  在芯片制造过】程中为了《降低：生产工序中发生的成！本必须设计出—最合理的设》备布局来《缩短搬运《的距离和时间提高】。设备的利用率一般】会根据由《工艺技术确》定工艺流《程  】   通过对工【艺流：程的步？骤，分析计算芯片—。在生产过程中—传，送各功能区域—的频：次，。如图1范《例工艺流程》与芯片传送频次参数！ ？ ：     通过分】析频次的数》量为了减少硅片【。传送距离传送—频次较？高的区？域建议相邻》放置如？光刻区要靠近刻蚀区！刻蚀：区要靠？近去胶清洗区—等 》 — 图1  工【艺流程与芯片传【送频次参数 ！   《 前段工《艺(：FEOL)包—括，硅片：下线浅？沟道隔离与有—源区的形成阱—区离子注《入栅极形成》源漏极形成硅化物形！成后段工艺(BE】OL)包括器件与金！属层间介电层形【成接触孔形成—多层金属层》。连接金属层间介【电层形成铝压点【保，护层形成硅片验收测！试等进入后段工艺的！硅片应避免》与前段？工，艺混用？设备以免金属离【子等污染前段工艺中！的硅片造成电—气性能异常》 ： 3.3【.4、3.3—.5  《集成电路芯片生产的！。布局：如图2所《示的演进《趋势 — 图！2  集成电—路芯片产生的布局】。演进趋？。势 ？   —。  对于4英寸～6！英寸芯片生产—。由于通常采用片盒开！敞式生产操作区空】气中的尘埃》会直接影《响硅片电路的—电气：性能因此对于操作区！的净化要求较高为了！节省运行费》用保证净化要求【通常采用壁板将操作！区和低洁净度要求的！设备：区分：开 ： 《     随着【芯片加工尺》寸向8？英寸及12》英寸发？。展对：于线：宽，的要求也越》。。。来，越高大面积高洁净】度净化区的造价【和运行成本越发昂贵！因此：采用标准机械接口】加微环境的生产【方式成为8英寸及1！2英寸芯片》生产方式《的主流在这种方式中！硅片放置《在密闭的片》盒，中，在运输和加工—过程中不会受到外界！环境的污染因此【。操作区可以采用较】低的净化等级同时】8英寸及12英寸】的生产辅助》设备通常可以—。放置在生产区的【下技术夹层中以减】少在生产区》占用：的面：积，可以：提高净化区的面积利！用率扩大单位面积】的产能？因此在生产区中就】没有：。。采用隔墙《将操作区《和设备区隔》开同：时，可以提？。高设备布置的灵【活性 3！。.3.9  —由于：硅集成电路生产【对环境要求很高参观！人员：进，入生产？区参观？。会对环境及生产产】生不利的影》响同时进入洁净区换！鞋，、更衣等步骤耗【时较：多因此？通常会在洁净—生产区外设》置参观走道参—观走道通常布置【在厂房？的一侧？或环形布置 】 3.3.【10  对于—早期的？8英寸？芯片工厂来》说大部分《硅片：传送、存储和分发是！通过人工操作完成的！目前多数8英寸和1！2英寸芯片》工厂设有自》。动物料？处理系？统(AMHS)【其优点在于有效【。利用洁净室》空，间，、有效地管》理生产中的》芯片、？有效地降低操作【。人员的负担近而【减少在传送硅—片时的失误》在，一些：12英寸生产工【厂运：输系统？。可延：伸到不同的生产区域！借助吊挂传输系【统（OHT）将【芯片直接传递到设备！端今后自动物料【处理系统中还要在】提高生产速》。度、缩短生产—周，期和：快速适应芯片制造环！境变化？等方面进行持续【改善在首次投片到】成熟生产期间—快速发展起来同【时，适应和满足芯—片，工，。厂的各种需求— 》     在—计算自动物料—处理系？统时应考虑生产周】期、生产线成—品率、研发和生【产工艺？验证投片需求—、机械？。手臂的处理能力等】因素来决定储位数量！和载：送距离 》