3.—3 ： 工艺布局 — 3】.3.1《、3.3.2  集！成电路芯片工—艺十分复杂复杂电】路，的工艺步骤可—。高达5？00多步《。一，般可：概，分为前段工艺—及后段工艺硅片【下线后在《。其清洗过后的表面上！通过氧化或》化学气相淀积的方】法，形成各种薄膜—经由光？刻成型？与，刻蚀工艺形》成各类图形》采用离子注入或【扩散：方法掺杂《形，成所需？的，电学特？性再通过溅射形成多！。重导线如《此多次循环重复最终！形成电路图》形 1】  清洗工》艺， 清【洗工艺主要用来去】除金属杂质、有机】物，污染、？微尘一般情》。况下使用高纯度的化！学品：来清洗高纯度—的去离子纯水—来洗濯最后在高【纯度的气体环—境下高速脱水甩干】或采用高挥发—性的有？机溶剂除湿干—化按照清洗方—式，的不：。同一般可分为湿法化！学法、物理洗净法和！干法洗净法 】 ， 2  氧化【工艺 — 氧化工艺由【。。硅的氧化《形成氧化层作为【性能良？。好的绝缘材料一般】可分为湿法》氧化法和干》。法氧：化法；而常见的氧化！设备有水平式—与直：立，式炉管 《 3【  扩？散工艺 —。 ？扩，散工艺？是指物质（气、固、！液）中的原子或【分子：。在高温状态下因高】温激化作用由高浓度！区域移至低浓度区域！ 4  ！化学气相淀积—工艺 】化学气？相淀积工艺利用气态！的化：学材：料在硅片表面产生化！学反应并《在硅片表面》。上，淀积形成一层固体】薄膜如二氧化—硅、各种《硅玻：璃、多晶硅、—氮化硅、钨与硅化】钨等因反应压力【的不同一般》可，分为常压化学气相】淀，积法、低压化—学气相？淀积法（相关设备有！批量加工形式的【炉管也有《单一硅片加工形式的！设，。。备）、亚大气—压化学气相》。淀积法、等》。离子：体增强？型化学气相淀积法、！高，密度等离子体增【强型化学气相淀积】。。法 ： ： 5  —离子注入工》艺 》 离子注》入工：。艺是通？过将选定的离子加】速，射入硅片的》特定：。。区域而改《变其电学特性的一】种工艺一般可以分为！大电：流型、低《能型、中低电流型、！高能型 《 ： 6 》 溅射工艺 】 ， 溅？射工艺通《过靶材来提供镀【膜的金？属材料？利用其重力作用使靶！。材产生的金属—。晶粒掉落至硅—。片表面从而形成金】属薄膜 《 》7  刻蚀工艺 】。 ： 刻蚀工—艺用于将形成在硅片！。表面的薄膜被全【部或：依照特？定图形部分》地去：除至必要的厚度一】般可以分为》湿法刻蚀和干—。法刻蚀湿法刻蚀【。利，用液体酸液或溶【剂将不？要的：薄膜去除干法刻【蚀利：。用带电粒子》以，及具有高度》活性化学的中—性原子和自由基的等！离子体？将不要？的薄膜去除 ！ 8 《 光刻工艺 【 光刻—工艺是掩膜板上的图！形在：感光材料光刻—胶上成像的过—程流程一般分为【气相成？。底，膜、：。旋转涂胶、》软烘、？对准和？曝光、曝光》后烘：焙、显影、坚—膜烘焙等曝光设备一！。般，又可：依，波长之不同分为【36：5，nm的I-li【ne、24》8，nm的？KrF深紫外线曝光！设，备以：及19？3nm的ArF深】紫外线曝光设备和浸！。润式曝光设》备工艺？相关设备《。需放置在黄光的区域！该，区域需要有》独立的回风对洁净度！亦有较高的需求并装！置去离子器对温度、！湿度、抗微振性能】有，最，高的要求 — 9  【化学机械《研磨工艺 ！ 化学？机械研磨《工艺是把《芯，。片放在旋《转的研磨垫上施加一！定，的压：力用化学研磨液【进，行，研磨的平坦化过程】以完：成多层布《线所需的《平坦度要《求通常应用在8【英寸：及以上的《。芯，。片加工工艺》中 1】0  ？检，测 透】过微分析《。技术对材料以—及工：艺品质做鉴定—和改善？可概分为在线检测及！离线检？测 《 11  硅】片验收测试》 硅片验！收测试是在》工艺流程结束后对芯！片做电性测量用【来检验各《段工艺流《程是否符合标准 】。 12【  中？测 — 中测的目的—是将硅片中不良的芯！片挑选出《来通常包含电压、电！流、时序和功能的】验证：所用到？的设备有测试机、探！针卡、？探针台以及测试【机与：。探针卡之间的—接口：。等 3.！3.3 《 在芯片《制造：过，程中为了降低生产工！序中发生的》成本：必须设？计出最合理的设备布！局，来缩短？搬运的距离》和，时间提高设备的利用！率一：般会根据《由工艺技术》确定工艺流程 【 ？     —通过对工艺流程的】步骤分析计算—芯片在生产》过程中传送各—功能区域的频次如图！1范例工艺》流程与芯片》传送频次参数 【  —   通过》分析：频次的数量》为了减少《硅片传送距》离传送？频次较高的区—域建议相《邻放：置如光刻区要靠【近，刻蚀区刻蚀区要【靠，。近去胶清洗区等【 】 图1 【 工艺流程与芯片】传送频次《参数 》    前段】工艺(FE》OL)包括硅片下】线浅沟道隔离与有】源区的？。形成阱区离子注【入栅极形成源漏极形！成硅化物形》成，后段工艺《。(BEO《L)包括器件与【金属层间《介电层形成接触孔】形成多层金属层连】接，金属层间介》电层形成铝压—点保护层形》。成硅片？。验收：测试等进入后段工艺！的硅片应避免与【前段工艺混用—设备以免金属离【子等污染前段工艺】中，的硅片造成电—。气性：能异常 【 3.3.4、3！.3.5《  集成电路—。芯片生产《的布局如图》2所示的演进—趋势 】。 ？。 ？图2 ？ 集成电路》芯片产生的布局演】。进趋势 — ：     对于【4英寸～6英寸芯片！生产由于通常采用】片，盒开敞式生产操作】区空气中的尘—埃会直接《影响硅？片，电，路的电气性能因【此对于操作区的净化！要求较高为了节【省运行费用保证净化！要，求通常采用壁板将操！作区和低《洁净度要《求的：。设，。备区分开 】 ，  ：   随着芯—片，加工尺寸向8—英寸及？。12英寸发展对于】线宽的要求也越来】越高大面积》高洁净度《净化：区的：造价和运行成本越发！昂贵因此采用标准】机械接口加》微环境的生产方式成！为8英寸及1—。2英寸芯《片生产方《。式，的主流在这种—方，式，中硅片放《置，在密闭的《片盒中在运输和【加工过程中》。不会受到外界环【。境的污染因此操【作区可以采用较低的！净，化等级同时》8英寸及12英【。。寸的生？产辅助设备通常可以！放置在？生产区？的下技术夹层—中以减少在生产区占！。用的面积可以—提高净化区的面积】利用率？扩大单位《面，积的产能因》此在生？。。。产区中就没有采用隔！墙将操作区》和设备区隔开同时可！以提高设备布置的灵！活性 《。。 ？ 3.3.》9 ： 由：于硅集成电路生产】对环境要《求很高？参观人员进入生产】区参观会对环境及生！产产生不《利，的，影响同时进入洁【净区：换鞋、更《衣等：步骤耗？时较多因《此通常会在》洁净生产《区，外设置参观走道参观！走，道通常布置在—厂房的一侧或—环形布置 】。 3.3.—10： ， ，对于早期的8英寸】芯片工厂来说大部分！硅片传？送、存储和分发是通！过，人工操作完成—的目前多数8英寸】和12英寸芯片工】厂设有自《动物料处理系统(A！MHS)其》优，点，在，于有效利用洁净室空！间、有？效地管理生产中【的芯片、有》效地：降低操作人》员的负担《近而减少在传送硅】片时的失误在—一些12英寸生产】工厂运？输系统可《延伸到不同》的生产区域》借助吊挂传输系统（！OHT）《将芯片直接传递【到设备端今》后自动物料处理系】统中还？要在提？高生：产速度、《缩短生？产周期？和快速适应》芯片制造环》境变化等方面—进，行持续改《善在首次投》片到成熟生产期间】快速发展起来同时适！应和满足《芯片工厂的各种【需求 》 ：。。     在—计算自动物料—处理系统时应考虑生！产周：期、生产《线成品率、》研发和生产工艺【验，证投：片需求、机械手臂】的处理能力等因素来！决定：储位数量和载送距离！ ：