《3，.3  工艺布局 ！ 3】.3：.1、3《.3.2 》 集：成电路芯片工艺【十分复杂复》。杂电路的工艺—步骤可高达500】多步一般可概分为前！段工艺及后段工艺】。硅片下线后在其清】洗过后？的表：面上：通过氧？化或化学气》相，淀积的方法形成【各种薄膜经由光【刻成型与刻蚀工【。艺形成各类图形【。采用离子注》入或扩散方法—掺杂形成所需的电学！特性再通过溅射【形成多重《导线如此多次循环重！复最终形成电路图】形 1】  清洗工》艺， ？。 清洗》工，艺主要？用来去除金属杂质、！有机物污染、微尘一！般情况下使用—高纯度？的化学品来》清，洗高纯度的去—离子纯？。水来洗濯最后—在高纯？度的气体环境下高速！。脱，。水甩干或采》用高挥？发性的有机溶剂除】湿，干化：按照清洗方式的不同！。一般可分为湿法化学！法、物？理洗净法和干法洗净！。法 ： ？ ：2  氧化工艺 ！ ： 氧化工艺由硅】的氧化形《成氧化层作为性【能良好的绝缘材料】一般可分为湿法氧】化，法和干法氧化法【；，而常见的氧化设备有！水平式与直立式炉管！  ？ 3  扩散！工，艺， 扩散工！艺是指物质（气【、固、液）中—的原子或《分子在高温》状态下因高温激化作！用由：高浓度？区域移至低浓度区】域 《 4  化学气！。相淀：积工艺？ 》 化学气相淀积工】艺利：。。用气态？的化学材《料在硅片表》面产：生化学？反应：并在硅片《表面上淀积形—成一层固体薄—膜如：二氧化？硅、各种硅》玻，璃、多晶硅、氮化】硅、：钨与硅化钨等因反应！压力：的不同一般》可分为常压化学气】相淀积法、低—压化学气相淀积法（！。相关设备有》批量加工形》式的炉？管也有单一硅片加】工形式的设备）【、亚大气压化学气】相淀积？法、等离子体—。增强型化学气—相淀：积法、高密度等离】子体增强型化学【气相淀积法 — 《 5  离》子注入？工艺： ， ？ 离子注》。入工艺是通》过将选定的离子加】速射入硅片的特定】区域：。而改变？其电学？特性的？一种工？艺一般可《。以分为？大电流型、低能型、！。中低电流型、高能】型 《 6《  溅射工》艺 ： 溅射工艺！通，过靶材来提供—镀膜的？金属：。材料利用其》重力作用使》靶材产生的金—属晶：粒掉落至硅片—表面从而形》成金属薄膜 — 《 7  《刻蚀工艺 ！ 刻蚀工艺》。用于将形成》在硅片表面的薄膜】。被全部？或依照特定图形【部分：地去除至必要的厚】度一般可以分为湿】法刻蚀？和干法刻蚀湿法【刻蚀利用《液体酸液或溶—剂将不要的薄膜去】除干法刻蚀利用带】电粒子以及具—。有高度活性》化学的中性原子和】自由基的等离子体将！不要的薄《膜去除 》 ， 8《  光刻工艺 】 光刻—。工艺是掩膜板上【的图形在感光材料光！刻胶上成《像的过程流程一般】分为气相《。成底膜？、旋转？涂胶、软烘、对准和！曝光、曝光后—烘焙：、显影、坚膜—烘焙等曝《光设备？一般又可依》波长之不《同分为365—nm的I-li【。。ne、2《48nm的Kr【F深紫外线曝光设】备以及19》3nm的ArF深紫！外线曝光设备—。。和浸润式《曝光设？备工艺？相，关设备需放置—在黄光的区域—该区域需《要有独立的回风对洁！净度亦？有较高的《需求：并装置？去离：子器对温《度、湿度、抗微振性！。能有最高的要求 】 9  化！学机械研《磨工艺 》 化学机械研！磨，工艺是把芯》片放在旋转的研【磨垫上施加一定【的压力用化学—研磨液进行研—。。磨的平坦化过程以】完成多层布线所需的！平坦度要求通常应】。用在8？英寸及以上的芯片加！工工艺中 》 ：。 10  检测！ 透【过微分析技术对材】料以及工艺品—。质，做鉴定和《改善可概分为在【线检测及离线检【测 11！  硅片验收测试】 硅【片验收测试是—在工艺流程结束后对！芯片：做电性测《。量用：来检验各段工艺流】程是否符合标—准 《。。 1《2  中测 】 中测》的目的是将》硅片中不《良的芯？片挑选出来通常包】含电压、电》流、时？序和功能的验证所】用到的设备有测试】机、探针卡、探针台！以及测试机与—探针卡之间的—接口等？ ， ？ ：。3.3.3  在芯！片制造过程中为【了，降低生？产，工序中发生的成本必！须设计出最合—理的设备布》局来缩？短搬运的距离—和时间提高设备【的利用率一》般会根据由工—艺技术确定工艺流程！  【   通《过对工艺流程的【步骤分析计》算芯片在生产—。过程中？传送各功能区域的】频次如？图1范例工》艺流程与芯片传送频！次参数 】。     》通过分析频次的数】量为了减少硅—片，传送距离《传送频次《较高的？区，域建议？相邻放？置如光刻区》要靠近？刻蚀区刻蚀》区要靠近去胶清【洗区等 【 》 图1  工艺！流程与芯片》传送频？次参：数   ！ 前段工艺(FEO！L)：包括硅片下》线浅沟道隔离—与有源区的形成【阱，区离子注入栅—。极形成？源漏极形成硅—化物形？成后段？工艺(BEOL)包！。括器件与金属层【间介电层形成—接触孔形《成多层？。金属：层连接金属层间介】电层形成《。铝压：点，保，护层形？成硅片验收测—试等：进入后段《工艺的硅片应避免与！前段工艺混用—设备以免金属—。离子等污染前—段工艺中的硅—片，造成电气《性能异常 【 ？3.3.4、3【。。.3.5  集【成，。电路芯片生产—的布局如图2—所示的演进趋势 ！ ！ 图2 《 集：成电：路芯片产生的布局演！进，趋势 《 ， ？    对》于4英寸～》6英寸芯片生产由】于通常采用片盒开敞！式生产操作区空【气中的尘埃会直接】影响硅片电路—的电气性能因此【对于操作区的—净化要求较高为了】节省运行《费，用保证净化》。要求通常采》用壁板将操作区【和低洁净度》要求的设备区分【开 ？ ？ ， ，   随着》芯片加工尺寸—向8英寸及1—2英寸？发展对于线宽的要求！也越来越高大面【积高洁？净度净化区的造【价和运行成本越发】昂，贵因此采《用标准机械接口【加微环境的生产方式！成，为8英寸及》12英寸芯片生【产方式？的，。主流在？这种方式《中硅片放置在密【闭的：片盒中在运输和加】工过程中《不会受到《外界环境的污—染因此操作》区可以采《用较低的《。净化等级同时8【英寸：及12？。英，寸的生？产辅助？设备通常可以放置】在生产区的下技术】夹层中？以减少在生产区占用！的面积可以提高净化！区的：面积利用率扩—大单位面积的产【。能因此在《生，产区中就没有采【用隔墙将《操作：区和：设备区隔开同时【可以提高设备布【置的灵活性 【 《3.3.9  由】于硅集成电路生产对！环境要求很》高，参观人员进入生产】区参：观会对环《。境及生产产生—不利的影响》同时进入洁》净，区换鞋？、更衣等《步骤耗时较多因此通！常会：在洁：净生产区外设置参观！走道参观《走道通常布置在厂】房的一侧或环形布置！ ， 3—.3.1《0，  对？于早期的8英—寸芯片工厂来说大部！分硅片传送、存储】和分发是《通过人工操》作完成的目前—多数：8英寸和12英【寸芯片工《厂设有自《动物料？处理系统(AM【HS)其优》点在于有效利—用洁净室《空，。间、：有效地管《理生产？中的芯片、有效地】降低操？作人员的负》担近而减少在传送硅！。片时的失误在一【些1：2英寸生产工厂运输！系统可延《伸到不同的生产【区域借？助，吊挂传输系统（OH！T）将芯片》直接传递到设—备端今后《自动：物，。料处理系统中还要】在提高生产速度、】缩短生产周期—和快速适应芯片制造！环境变化等》方面进行持续改善在！首次投片到》成熟生产《期间快速发展起来】同时适？应和满足芯片工厂】的，各种需求《    ！ 在计算自动物料】处理系统时》应考：虑生产周《期、生产线成品率、！研发和生《产工艺验证投片【需求、机《械手臂？的处理？能力等因素来决【定，储位：数量和载送距离【。。。 ：