： 3.3  【。工艺布？局 【 3？.3.1、3—.3.2《  集成电路—芯片工艺十分—复，杂复杂电路的工艺步！骤，。可高：。达500多步—一般可概分为前段工！艺及后段《工艺硅片下线后在】其清洗过后》的表面上通过氧化】或，化学气？相淀积的《方法形成各种薄膜经！由光刻？成型与刻蚀工—艺形成？各类图形采用离子】注入或扩散》方法掺杂形》成所需的电学特性】再通过溅射形成多】重导线如《此多次循《环重复最终形—成电路图形 【 1 — 清洗工艺 ！ 清洗工艺主【要用来去除》金属杂质、有—机物污染、微尘一】般，情况：下使用高纯度的化学！品来清洗高纯度的】去离子纯水来洗濯】。最，。后，在高纯度的气体【环境下高速脱—水甩干或《采用高挥发》性的有机溶剂除【湿干化按照清洗方】式的不同一般可【分为湿法化学法、物！理洗净法和干法洗净！法， 2 】。 氧化工艺 —。 ： 氧化工—艺由硅的氧化形【成氧化？层作为性能良好的】绝缘：材料一般《可，。分，为湿法？氧，化，。法和干法氧》化法；而常见的【氧化：设备有水平式与【直立式炉管》  ？。 ： 3  扩散工艺！ 扩散工！艺是指物质（气、】固、液）中的原子】或分子在高温状态下！。因高温激化作用【由高浓度《区域移至低浓度区】域 【4  化学》气，相淀积工艺 【 ： ， 化学气相淀—积工：艺利用气态的化【学材料在硅片—表面产生化学—反应并在硅片—表面：上淀：积形成一层》固体薄膜如二氧【化硅、各种硅—玻璃、多《晶硅：、氮化硅、钨与硅】。化钨等因反》应压：。力的不同一般可分为！常压化学气相—淀积法、低压化学】气相淀积《。法（相？关设备有《批量加？工形式的炉管—也有单？一硅片加工》形式的设备）—、亚大气压化学气相！淀积法？、等：离子体增强型—化学气相淀积—法、高密度》等离子体增强型化】学气相淀积法 【 ？ 5  离—子注入工艺 【 离子—注入：工，艺是：通过将选定的—离子加速射》入硅片的特》定区域而改变其【电学：特性：的，一种工艺一般可【以分为大电》流型：、，低，能型、？中低：电流型？、高能型 ！ 6  溅射工艺 ！ 溅—射工艺通过靶材来提！供镀膜的金属材【料利用？其，重力作用使》靶材：产生的金属》晶粒掉落至硅—片表面从而》形成金属薄膜— ？ 7  刻蚀工！艺， ： 刻蚀工艺】用，于将形成在硅片【表面的薄膜被全部】。或依照特定》图形部？分地去？除至必要的厚度【一般可以分》为湿法刻蚀和—干法刻？蚀湿法刻《蚀利用？液体酸液《或溶剂将《。不要的薄膜去—除干法刻蚀利用【。带电粒？子以及具《有高度活性化学的】中性原子《和自由基的等离子体！将不要？的薄：膜去除 》 8  【光刻工艺 》 ？ 光刻工艺—是，掩膜板上的图形在感！光材料？光刻：胶上成像《的过程流《程一般分为气相成底！膜、旋转《涂胶、？软烘、对准》和曝光、曝光后烘焙！、显影、坚膜烘焙】等曝光设《备一：般又可依波长之【不，同，。分为365n—m的I-li—ne：、，248nm的Kr】F深紫外《线曝光？设备以？及193nm的Ar！F深紫外线曝—光设：备和浸润式曝光【设备工艺相》关设：备，。需放：置在黄光的》。区域：该区域需要有独立的！回风对洁净》度亦有较高的—需求并？装置去离子器—对温度、湿度、【抗微振性《。能有最高的要求 ！ 9 — 化学机械研—。磨工艺？ —化学机械研磨工艺】是把芯片放在旋【转的研磨《垫上施加一定的压力！。用化学研磨液进行】研磨的平坦化过程以！完，成多层布线》所需的？平，坦度要求通》常应用在8英寸及以！上的芯片加工—工艺中 — 1《。0 ： ，检测 透！过，。微分析技术对材料以！及工艺品质做鉴定和！改善可概《。分为在线检测及离线！检测 ？ ？ ：11  硅片验收测！试 ： ？ 硅片验收测试是！在工艺？流程结束《后对芯片做电—性测量？用来检验《各，段工艺？流程是否符合标准】。 ？ ， ， 12  中测 】 中测的】目的是？将硅片中不》良的芯片挑选—出来通常《包含电压、电流、时！序和功能《的验证所用》到的设备有测试机】、探针卡、探针【台以及测试》机与探针《卡之间的接口等 ！ 3.3.】3  在芯片—制造过程中为了【降低生？产工序？中发生的成本必须设！计，。出最：合，理的设备布局来【缩短搬运的距离【和时间提高设备的】利用率一般会根据由！工艺技术确定—工艺流？程   ！  通过对工—艺流程的步骤分【析计算？芯片：在，生产过程中传送各功！能区域的频次如图】1范例工艺》流程与芯片》传送频？次参数 ！    《通过分析频》次的数量为了减【。少硅片传送距离传】送频次较《高的区？域建议相邻放置【。如光刻区要靠近【。刻，。蚀区刻蚀区要靠【近去胶清洗》区等： 】 图1  工！艺流程与芯片—传送频次参数 ！    前段】工，艺(FEOL)包括！。硅片下线浅沟道【隔，离与有源区的形【成阱区离子注入【栅极形成源漏—极形成硅化物形成后！段工艺(BEOL】)包括器件与金【属层间介电层—形，成接触孔形成—多层金属层连接【金属层？间介电层形成—铝压点保护层形成】硅片验？收测试等进入—后段工艺的硅片应避！免与：前段：工艺混用设备—以免金属离》子等：污染前段《工艺中的硅》片造成电气性能【。异常 》 3.3.4、！3.3？.，5 ： 集成电路》芯片生产的布—局如图？2所示的演进趋【势 【 》。 ，图2  集成电路】芯片：产生的布局》演进趋势 】 ，     对于4】英寸～6英寸芯片】生，产，由于：通常采？用片盒开敞式生产操！作区空气中的尘埃】会直接影响硅—片电路的《电，气性能因此对于操】作区：的，净化要求较高为了节！省运行费用保证净化！要求：通常采用壁板将【操作：。区和低？洁，净度要求的设备【区分开？ ，  —。   随着芯片加】工，尺寸向？8英寸？。及12英《寸发展？对于线宽的要求【也越来越高大面积高！洁净度净化区的造】价和运？行成本越发昂贵【。因此：采用标？准机械接口加微环境！的生：产，方式成为8英寸及】12英寸《芯片生？产，方式：的主流在这种—方式中硅《片放：置在密闭的片盒【中在运输和加工【过程中不会受—到，外界环境的污染【因此操作区可以采用！较低的净化》等级：。同时8英寸及1【2英：寸，。的生产？辅助设备通常可以】放置在生《产区的下技术夹层中！。以减少在生产区占】。用的：面积可以提高净化】。区的：面积利用《率，扩大：单，位面积的产能因【此在生产区中—就没有采用隔墙将】操作区和设备区【隔开同时可以提高】设备布置的灵活性】 3【.3.9 》。 由于硅集成电路】。生产对环《境，要求很高参观人员】进，入生产区参》观会对环境及—。。生产产生《不利的影响同—时进入洁净区换鞋、！更，衣等：步骤耗时较多因【此通常会《。在洁净生产区外设】置参观走道参观【走道通常《布置在厂房的—一侧或环形布—置 — 3.？3.10 》 对于？早期的8英寸芯片工！厂来说大部》分硅：片传：送、存储和分—发是：通过人？工，操作完成的目前多数！8英寸和《12英寸芯片工厂】设有自？动物料处理系统【(AMH《S)其优点》在于有效《。利用洁净室空间、】有效地管理》生产中的芯片、【有效地降低》操作人员的负—。担近而减《少在传送硅片时的】失误在一些12英】寸生产工厂运输系】统可延伸到》不同：的生产区《域借助吊挂传输【系统（OHT）将】芯片直？接传递到设备端【今后自动物料—处，理系统中还要在【提高生产速度、【缩短生产周期和快】速适应？芯片制造环》。境变：化等：方面进行持》续改善在首次—投，片到：成熟生产期间快速发！展，起来同时适》应和满足芯片工厂】的各种需求 【    【 在计算自动物料】处理：系统时应《考虑生产周期、生】产线成品《率、研发和生产工】艺验证投《片需求、机械手【臂的处理能力等因素！来决定储《位数量和载送距【。。离 ？