， 3.3  】工，艺布局 》 ： 3.3【.，1、3.3.2 】。 集成电路芯片工】艺十：分，复杂复杂电路的工】艺步骤可高》达5：00多步一》般可概分为前段工艺！及后段工艺硅片【下线后在其清—洗过后的表面上通过！氧化或化学》气相淀？积的方法形》。成各种薄膜经由光】刻成：型与刻蚀工艺形成】各类：图形采用《离子注入或扩散方】法，掺杂形成所需的【电学特性再》通过溅射形》成多重导线》如此：多，次，循环：。重复最终形成电路图！形 ： 1  】清洗工艺 》 清洗工艺！主要用来去除—金属杂质、有机物污！染、微尘一般情况下！。。使用高纯度》的化学品来清洗高】纯度的去《离子纯？水来：洗濯最后在高纯【度的气？体，环境下高速脱—。水甩干或采用高挥发！性的有机溶剂除湿干！化按照清《洗方：式的不同一般可【分为湿法化》学法、物理洗—净法和？。。干法洗？净法 【 2  《氧化工艺 》 氧化工艺！由硅的？氧化形成《。。氧，化层：作为性能良好的绝】缘，材料一？般可：分为湿？法氧：化，法和：干法氧化法；而【常见的氧化设备有水！。平式与直《立式：。。炉管  【 3  扩—散工艺 】 扩散工《。艺是指物质（—气、固、液）中的】。原子或分子在高【温状态下因高温激】化作用？由高浓度区域移至低！浓度区域《 4  ！化学气？相淀积？。工艺 《 化学气【。相淀积工艺利用【气，态的化学材料在硅片！表面产？生化：学反应并《。在硅片？。表面：上淀：积形：成一层固《体薄膜如二氧化硅】、各种硅玻》璃、多晶硅、氮【化，硅、钨与硅化—钨，等因反应压力—。。的不同一般》可分为常《压化学气相淀积法、！低压化？学气相淀积法（【相关：设备有？批量加工形式—。。的炉管也《。有单一？硅片加工形》式的设备）、亚【大气压化《学，气相淀积法、—等离子体增》强型化学气》。相淀积法《、高密度等》。离子体增《强型化学气》相淀积法《 》 ，5  ？离子注？。。入工艺 — 离子》注入工艺《是通过？将选定的离子加速射！入硅片的特定—区域而改变其电学】特性的一种工艺一般！可以分？为大：电流：型、低能型、中低】电流型、《高能型 》 6  溅射！。工艺 — 溅射工》艺通过靶材》来，提供镀膜《。。的金属材料利用其重！力作用使靶材产生的！金属晶粒掉落至硅】片表：面从而形成金属薄】膜 7】  刻蚀《工艺 【 刻蚀工艺用—于将形？成在硅片表面的薄膜！被全部或依照—。特定图？。形，部分地去除至必要的！厚度一般可以—分为湿法刻蚀—和干法刻蚀湿—法刻：蚀利用？液体：酸液或溶剂将不要的！。薄膜去除《干法刻蚀利》用带电粒《子以及具有高度活】性化学的中性原子】和自由基的等离子体！将不要的薄》膜去除 — 8《  光刻工》艺 《。 光《刻工艺是掩膜板上的！。图形在感光材料光刻！胶上成像的》过程流程一般—分为气相《成底膜、旋》转涂胶、软烘、对】准和曝光、曝光后烘！焙、显影、坚膜【烘焙等曝光》设备一？般又可依波》长之不同《分为365nm的】I-li《ne、248nm】的KrF深》紫外线曝光设—备以及193nm的！A，rF深？紫外线？曝光设备和浸润式曝！光设备工艺相关设备！需放置在黄光的【区域该区《域需要？。有独立的回》风对洁净度亦有【较高的需求并—装，置去离子《器对温度、湿—度、抗微振》性能有最高的要【求 【9  化学机械【研磨工艺 】 化学《机，械研磨工《艺是把芯片放在【旋转的研磨垫上施加！一定的压《力用：化学研磨《液进行研磨的—平，坦化过程以完—成多层布线所需的平！坦度要求通常应用】在，8英：寸及以上的》芯片加工工艺中【 10 ！ 检测 — 透过微分析】。技，术对材料以及工艺】品质做鉴《定和改善可概分为在！线检测及离线检测 ！ ，。 11  】硅片验？收测试 —。 硅片验收测】试是在工艺流程结】束后对芯片》。做电性测量用来检验！各段工艺流》。程是否符《合标准 》。 12—  中测 】 中测的目的是】将硅片中不良的芯】片挑选出来通常【。包，。含电压、电流、【时序和功能的验证】所，用到的设备有测试】机、探针卡、探针】台以：及测：。试机与探针卡之间】的接口等 ！ 3：.，3.3  在—芯片制？造过程中为》了降低生产》。工序中发生的成本必！须设计出最》合理：的设备布局来—缩短：搬运的距离和时间】提，高设：备的利用率一般会根！据由工艺《。技术确定工》艺，流，程，   】  通过对工艺【流程的步骤分—析计算芯片在生产】过程中传送各功能区！。。域的：频次如图1范例工】艺流程与芯片传送】频次参数 —。 ， ？   ？ 通过？分析频？次的：数量为了减少硅片】传送距离传送频次】较高的区《域建议相邻放置如光！刻区要？靠近刻蚀《区刻蚀区要靠近去胶！清洗区等 ！ 》 图1  工艺】流程与芯片传送【频次：参数 《    【前段工艺(FEO】L，)包：括硅片下线浅沟道】隔离与有源区—的形成阱区离—子注入栅极形—。成源漏极形成硅化物！形成后？段工艺？(BEOL)包括】器件与金属》层间介电层形成【。接触孔形成多层金属！层连接金属层—间，介电层形成铝压【点保护？层形成？硅片验？收测试等进入后【段工艺的硅片应避免！与前段？工，艺混用设备以免金属！离子等污染前段工艺！中的硅片《造，成电气性《能异常 — 3《.3.4、3.3.！5 ：。。 集成电路》芯片生产的布—局如图2所示的【演进趋势 — 【 图2  集】成，电路芯片产》生的布局演》进趋势 】  ：   对于4英寸】～6英寸芯片—生产：由于通常采用—片盒开敞《式，生产操作《区空气中《的尘埃？会直接？影响硅片电》路的电气《性能因此对于操【作区的净化要—求较高为了节—省运行费用保证【净化要求通常采用】壁板将操作区和【低洁净度《要求的设备区—分开 》。     随着！芯，片加工尺《。寸向8英寸及—12英寸发》展对于线宽》的要求也越来—越高大？面积高洁净度净【化区的？造价和运行成—。本越发昂贵因此采】用标准机械接口加微！环境的生产方式成】为，8英：寸及12《英寸芯片生产方【式的主流在这—种方式中硅片—放置在密闭的片盒中！在运：输和加工过程中不会！受到外界环境的污染！因，。此操作？区可以采用较低的】净，化，等级同时8英寸【及12英寸的生产】辅助设备通常—可，以放：置在生产《区的下技《术夹层中以减少在生！产区占用的面积可以！提高净化区的面【。积利用率扩大单【位，。面积的产能》因此在生产区中就】没有采用隔墙将操】作区和设备区隔开同！时可以提高设—备，布，置的灵活性 【 ？ 3：.，3.：。9  由于硅集【成电路？生产对环境》要求很？高参观人员》进入生产区参—观，会对环境及生产产生！不利：的，影响同时进入洁净】区换鞋、更衣—等步骤耗时较—多因此通常会在洁】净生产区外》设置参观走道参观】走道通常布置在厂房！的一侧或环形—布置：。 3.3！.10 《 对于？早，期的8？英，寸芯片工厂来说大部！。分硅片传送、存储和！分发是通《过人工操《作完成的目前多数8！英寸和12英寸芯片！工厂设有《自动物料处理—系统(AM》HS)其《优点在？于有效利用》。。。洁净室？空间、有效地—管理生产中的芯片、！有效地？降低操作人员的负担！近而：减少在传送》硅片时的失误在一些！12英寸《生产工厂运输—系统可延伸到不同的！生，。产区域？借助吊挂传输系统（！OHT？）将芯片直接传递到！设备端？今后自动物料—处，。理系统中还要在提】高生产速度、—缩短生产周期和快】速适应芯片制—造环：境，。变化等？方面进行持》。续，。改善在首次投片到成！。熟生产期间快—速发：展起来同时适应和满！足芯：片工厂的各种需【求 《。。     【。在计算自动物料处】理系统？时应考？虑生产周期》、，生产线？成，品率、研《发和生产工艺验证投！。片需求、机》。。械手臂的处理—能力等因素来决【。定储位数量》和载送距离》 ：