3.—。3  ？工艺布？局 《 3—.3.1、3.3.！2  ？集成电？。路芯片？工艺：十分复杂复杂电【路的工艺步骤可【高达500多步一般！可概分为《前段工艺《及后段工艺》硅片：下线：后，在其清洗过后的表】面上通过氧》化或化？学气：相淀：积的方法形成各种薄！膜经由光刻》成型与刻《。蚀工艺形《成各类图形采用【离子注入《或扩散方法掺杂形成！所需的电学特性再通！过溅射形成多重【导线如此多次循环】重复最终形成电【路图形 】 1  清洗工【艺， 清洗工！艺主：要用：来去：除金属？。杂质、有机物污【染、微尘一》般情况下使用高纯】度的：。化学品？来清：洗高纯度的去离子】纯水来洗濯最后在】高纯度的《。气，体，环境下高速脱水【甩干或采《用高挥发性的有机溶！剂除：湿干化按照清—洗方式的不》同一般可分为湿【法化学法、物理洗】净法和干法洗净【法 ： 2—  氧化工艺 【 氧—化工艺由硅》的，氧化：形成氧化层》作为性？。能良好的绝缘材料一！般可：分，。为湿法氧化法—和干法氧化法；【而常见？的氧化设《备有：。水，平式：与直立式炉管  】 3—  扩散工艺—。 扩【散工艺是指物质（气！、固、液）中的原子！或分子在高》温状态下因高—温激化作用》由高：浓度区域移至低浓度！区域 ？ ， 4》  化？学气相淀积工艺 】 ， 化学—气相：淀，积工艺利用气态的化！学，材料在硅片表面产生！化学反应并》在硅片？表面：上淀积形成》一层：固，体薄膜如二》氧化硅、各种硅玻】璃、多晶硅、—氮化硅、钨与硅化钨！等因反应压力的不】。同一般可分为常压化！学气相淀《积法、？低压：化学气相淀》积法（相关设备有】批量加工《形式的？。炉，管也有单一硅片【加工形式的》设备：。）、亚大气》。压化学？气相淀积法、等离】子，体增强型化学气相】淀积法、《高密度等离子—体增强型化》学气相？淀积法 【 5 《 离：子注入工《。艺 ？ ？ 离子？注入：工艺是通《过将选定《的离子加《速射入硅片的特【定区域而《改变其电学特性【的一种？工艺一般可》以分为大电流型【、低能型、中低电流！型、高？能型 — 6  溅射【工艺： ： 溅射—工艺通过《靶材来提《供镀膜的金属材【料利用其重力作用】使靶材产生的金属晶！粒掉落至硅片—表面：从而形成金属薄膜 ！。 》。7  刻蚀》工艺 刻！蚀工艺？用于将形成在—硅片表面的薄膜被】全部或？依照：特定图形部分地去】除至必要的》。厚度一？般可以分为湿法刻蚀！和，干法刻蚀湿法刻【蚀利用？液体酸液或溶剂【将不要的薄膜去【除，干法刻蚀利用带【电粒子以及具有高度！活性：化学的中性原子和自！由基的等离子体将】不要的薄膜》去除 8！  光刻工》艺 》 ：光刻工艺是掩膜板】上，的图形在感》光材料光刻胶—上成像的过程流程一！般分为气相成—底膜、旋转涂胶、】软烘、对准和—曝光、？曝光后？烘焙、显影》、坚：膜烘焙等《曝光设备《一般又可依波—长之不同分》为，365n《m的I-li—。ne、248—nm的KrF深紫外！线曝光设备》以及193nm【的Ar？F深紫外线》曝光设备和浸润式】曝光设备工》。艺相关设备需放置】在黄光的区域—该区域？需要有独立的回风】。。对洁净度《亦有较高的》需求并装置去—。离子器对温》度、湿度、抗微振性！能有最高的要求【 ？ ？9  化学机—械研磨工《艺 《 化学机械【研磨：工艺：是把芯？片放在旋转》的研磨垫上施加一定！的压力用《化学研磨液进—行研磨的平坦化过】程以完成多》层布线所需的平【坦度要？求通常？应用在8英寸及【以上：的芯片加工》工艺中 》 10 【 ，检测 ？ 《 透过微《分析：。技术对材料》以及工？。。艺品质做鉴定和改】善可概分为》在，线，检测及离线检测 】。 ， ： 11  硅片】验收测试 》。 ？ 硅片《验收测？试，是在工艺流程结束】后对芯片做电性测】量用：来检验各段工—艺流程是否符合【标准 【 1：2  中测 】 中测的—目的是将《。。硅片：。中不：良的芯片挑选出来】通，常包含电压、电流】、时序？和功能的验证所用】到的设？备有测？试机、探针》卡、探针台》以及：测试机与探针—卡之间的接口等 ！ 3.3【。.3  在芯—片制造过程中为【了降低生产工序中发！生，的成本？必须设？计，出最：合理的设备布—局来缩？短搬运？的距离和时间—提高设备的利用【率一般会根》据由工艺技术确【定工艺流程 【。     】通过：对工艺流程》的步骤分析计—算芯片在生产过程中！传送各功能》。区域的频次》如图1范例工艺流】程与芯片《传送：频次参数 【  《 ，  通过分析频次】的数量为了》减少硅片传送距离】传送频次较高的区域！建议相邻放置—如，光刻区要靠近刻蚀】区刻蚀区要靠近去胶！清洗区等 —。 》 《 图1  》。工艺：流程与芯片》传送频次参数 】    前】段工艺(FEO【L)：包括硅片下线浅【沟道隔离与有—源，区的形？成阱区离子注—入栅：极形成源漏极形成硅！化物形成后段—工艺(BE》OL)包括器件与】金属层间介电层形】成接触孔形》成多：层，金属层连接》。金属层间介电层形成！铝压点保护》。层形成硅片验—收，测试等进入后段工艺！的硅片应避》免与前段《。工艺混用《。设备以免金属离子等！污染：前段：工艺中的硅片—造成电气《性能异常 ！ ，3.3.《4，、3.？3.5 《 集：成电路芯《片，生产：的布局？如图2所示的演【进趋：。势， ？ 》 ， 图2》  ：集成电路芯片产【。。生的布局演进趋势】。 —  ：  ：对，于4英寸～6英寸芯！片生产？由于：通常：采用片？盒开敞式生》产，操作区空气中的【尘埃会？直接影响硅片电【路的电气性》能因此？对于操作区的—净化要求《较高为了节省运行费！用保证净化》要求通常采用壁【板将：。操作：区和低洁净度要【求的设备《区，分开 【    《 随着芯片加工【尺寸向8英寸及12！英，寸发展对于》。线宽的要求也越【来，。越高：大，面积高洁净度净化区！的，造价和运行》成本越发昂贵因此】采用标准机》。械接口加微环—境，的生产方《。式成为8英寸及12！英，寸芯片生产方—式，的主：流在：这种方式《中硅：片放置在密闭的片盒！中在运输《和加工过程》中，不会受到外》界环境的污染因【此操作区可以—采用较低的净—。化，等级同？时8英寸及12英寸！的生产？辅助：设备通？常可：以放置在生产区的下！技术夹层《中以：减少在？生产区占《用的：。面积：可以提高净化区【的面积利用率—扩大单位面》积的产能因》此在：生产区中就没有采用！隔墙：将操作区和设备【区隔：开同时可以提高设备！布，置的灵活性 】 3.3—.9  由于硅【集成电路生》产对环境要求很高】参，观人员进入生产区参！。观会对环《境及生产产生不利】的影响同《时进入洁净区换【鞋、更衣等步—骤耗时较多因此【通常会？在，洁净生产区外设置】。。参观走道参观走【道通常布置在厂【房的一？侧或环？形布置 《 3.3.！10：。  对？。于早期的8英寸芯】片工厂来说》大部分硅片传送【、存储和《分，发是通过人》工操作完成的—目，前多数8英寸和1】2英寸？芯片：工厂设有自》动，物料处理系统—(AM？HS：)其优点在于有效利！用洁净室空间、有】效地管理生产中的】芯片、有效地降低操！作人员的负担近【而减少在《传送硅片时的—失误：在，一些1？2英寸生产》工厂：运输系？统可延伸到不—同的生产区域—。借助吊挂传》。输系统（O》HT：）将芯片直接传【递到设？备端今后自》动物：料处理系统中还【要在提高生产速度、！缩短生产周期和快速！适应芯片制造环【境变化等方面进行】持续：改善在首次投—片到成熟生产—期间快速发展起来同！时，适应和满足芯片工厂！的各种？需求： 《 ：    《在计算自动物料处理！系统时应《考虑生？产周期、生产线【成品率、研发和生产！工艺验？证投片需求、机械】手臂：的处理能力等因【素，来决定储位数量和载！送，。距，离 ？