：。 6  工艺设计！要求 】 6.1  ！般要求 《 ？ ？ 6.1《.1  物》料准备区、装配【区、测？试与：调，。。试区、封盖区、环】境试验区、分析区】、检验包装区内的】设计应符合现—行国：家标准电子工业洁净！厂房设计规范GB ！。50：472的有》关规定 《 6—.1.2 》 生产厂《房防静电设》计应符合现行国【家标准电子工程防】静电设计规》范GB 506【11和洁净厂—房设计规范GB【 50073的【有关规定 — ， 6.1—.3 ？ ，防，静电工作区域工作】台，。、货架等宜》采用间接《。静电接地设备、【仪器宜采用》直接静电接地— ， ： ？。6.1.4  生】产车间空气洁—净度等级《应根据具体产品确定！封盖前的微波—集成组件应在洁【。净度等级8级或优于！8级的洁净环境中装！配 》 6.1.5【  生？产车间？中洁：净，区，温度宜为23—。℃±3℃相对湿度】宜为40％～70】％ 【6.：。1.6 《 生产车间供电配】电应：满足配置《设备要求 【。。 6.1—.7：  生产《所需气体应》包括氧气、氮气、氦！。气、：氩，气、压缩空气、氮氢！混合气等并》应，符，合下列规定 】    — 1 ？ ，。压缩空气压力宜【为0.6M》Pa～0《.7MPa露点在0！.，7MP？a时宜低于》－4：0℃； 》  》。 ，  2 《 高纯？氮气：压力宜为0.4MP！a～0.7MPa】气体纯度宜为99.！999％《；   ！  3  纯氮压】力宜为？。0.4MPa～0.！7MPa《气，体纯度？宜为99.99【％； —   《  4 《。 高纯氦气压力【宜，为0.4MP—a，～0.7M》。Pa气体《纯度宜为99.99！9％； ！  ：  5？  高纯氧》气，。压力宜为《0，.4MPa～0.】7，。MPa气体纯—度宜为99.999！％；： ： 《    6》  高纯氩》气压力宜为》。。0.4MPa～0】.7MPa气—体，。纯度宜为99.99！9％；？ ？    — ，7  高《纯氮氢混合气体【气（N2《95％ H》。25％）压》力宜为0.4MPa！～0.7M》Pa气体纯度宜【为99？.999％ — ， 6.1.】8  高《纯气体？用气点前应设高【效，气体过滤《器 6】.，1.9  工—。艺真空度宜》优于0.《08MPa ！ ， 6.1.1—0 ： 生产所《需水：路宜包括给排水【、，纯水和工艺》冷却水工艺冷却【水宜采用循环系【统 ： ： 6《.1：.11  纯水【的水质、水》。量、水压应满足【生，产工艺所《需 6】.1.12  工艺！冷，却水应使用软化【水使：用端压力宜为0.】2MPa～0.3】MPa 《 《 6.1《.13？ ，。 生产过程》中发热量、发尘量】大的生产工艺应采】取防扩散措施—。 》 6.1.1—4  生《产车间应配置—压，差测试仪、温湿【度，记录仪、空》气微尘颗粒记录【仪等：检，测设备 》