6  工艺！设计要求 【 ， 6.1！ ， 般要求 】 ？ 6.1.1—  物料准备区、】。装配区、测试—与，调试区、封盖区、】环境试验《区、分析区、检验包！装区：内的设计《。。应符合现行国—。家标：准电子工业》。洁净厂房设计规【范GB 5》0472的有关【。规定： —6.：1，.2  生产厂房防！静电设计《。应符合现行国—家标准电子工程防】。静电设计规范GB ！50611和洁净】厂房设计规范—GB 50073的！有关规定 — 6.1.】3  防静》电工作？区域工作台、货架等！宜采用间接静电【接地设备、仪器【宜采用直接静电【接地：。 《 6.1》.4  生产车【间空气洁净度—等，。级应：根据具体产品—确，定封盖？前的微？波，集成组件应在洁净】度等级8级》或，优于8级《的洁净？环境：中装配 《 ？ ， ，。6，.1.5  —生产车间中洁净【区温度宜为》23℃±《3℃相对湿度—宜为40％～70％！ ： 《6.1.《6 ： 生产车间供—电配电应《满足配置设备要【求 《 6《.1.7  生【产所需气体应包括】氧气、？氮气、氦气、氩【气、：压缩空气、氮—氢混合气等》并应符合下列规定 ！     ！1，  压缩空》气压力宜《为0.6《MPa？～0.7MPa露】点在0.7MPa】时宜：低于－40》℃； 》。 ？    《2  高纯氮气【。压，。力宜为0.4MP】a～0.7MP【a气体纯度》宜为99.999％！； 【    3 — 纯氮压力宜为0.！4MPa～0.7】MPa气体纯—度宜为9《9.99％； 】 ？     4 【 高纯氦《。气压力宜为0.【4MPa～》0.：。7MPa《气体纯度宜为9【9，.999％》； ？ ？     5  】高，纯氧气压《力，宜为0？.，4M：Pa～0.7—M，Pa气体纯度宜为】99.999％；】 《。   《  6  高纯氩】气压力宜为》0.4MPa—～0.7MP—a气体纯《。度宜为99.99】9％； 】 ，    7  高纯！氮氢混合气》体气（N295％】 H25《％）压力宜为0.4！MPa～0.—7MP？a气体纯度宜—为，99：.999％》 6.】1.8  》高纯气体《用气点前应设—高效气？体过滤？器 》 6.1.9【  工艺真》空度宜优于0—.0：8MP？a 》 6.1.10】  ：生产所需水路宜包括！。给排水、纯》水，和工：艺冷却水《。。工艺冷却《水宜采用循》环系统 《 6—.1.？11  纯水的水质！、水量、水压应满】足，生产工艺所需— ： 6》.1.12 — 工艺？。。冷却：。水应使用软》化，水使：用端压力宜》为0.2MP—a～：0.3？MPa — 6.1—.13  生产【过程：中，。发热量、发尘量大的！。生产工艺应采取防】扩散措施 》 6.1.！。14  生产车间应！配置压差测试仪【、，温湿度记录仪、空】气微尘颗粒记录【仪等检测《设备 《