6 — 工艺设计要—求 ？ ： 6.1！  般？要求： ： 6【.1.1 》 物料准《备区、装配区—、测试与《。调试区、封盖—区、环境《试，验区、分析区、检验！包装区？内的：设计：应符合？现行国家标准电【子工业？洁净：厂房设计规范G【B 5047—2的有？关规定 《 6.1.！2  生产厂房防静！电设：计应符？合现行国家标—准电子工程防—静电设计规范GB ！50611和洁净厂！房设计规《范，。GB 5《0073《的有关规《定 — 6.1.》。3  防《静电工？作区域工《作台、货架等宜采用！间接静电接地设备】、仪：器宜采用直接静电接！地 》 6.1》.4：  生产车间空气洁！净度等级应根据具体！产品确定封盖前的微！波集：成组件应在洁净【度等级8级或优于】8级的洁净环境【中装配 【 6.1.—5 ： 生：产车间中洁净区【温度宜为《23℃±3℃相【对湿度宜为》40％～70—％ 【6.1？.6  生产车间】供电配电应满足【配置设备要求 ！。 6.1.7】  ：生产所？需气体？应包括氧气、氮气、！氦气、氩气》、，压缩空气、氮—氢混：合气等并应符合下】列，规定 《     1！  压缩空气压力宜！为0.6M》Pa～0.7MPa！露点在？0.7MP》a时宜低于－4【0℃； —。 ？    2  【高纯氮气压力—宜为0.4MPa】～0.7MPa【气体纯？度宜：为99.9》99％； —   —  3  纯氮【压力宜？为0.4MPa～】0，.7MPa气—体纯度宜为99.】99％？；   ！ ， 4  高纯—氦气压力宜为0.4！MPa～0.7MP！a气体？纯度宜为9》9.999％； ！    【 5  高纯—氧，气压力宜为0.【4MPa～0.7M！Pa：。气体：。纯度宜为《99.9《99％； — 《 ， ，  6  高纯氩气！压，力宜为0.4—M，Pa～0《.，7，MPa气体纯度宜】为99.999％】。；   ！  7  高—纯氮氢混合》。。气体气（《N29？。5％ H25％）压！。力宜为0.4M【。Pa～0.7M【Pa气体纯度—宜为99《.999％ 【。 6.1.】8  高纯气—体用：气点：前应设高效气体过滤！器 【。6.1.9  【工艺真空度宜优于】0.0？8M：P，a 6】.1.10 — 生产所需水路【宜包：括给排水、纯水【。和工艺冷却水—工艺冷却《水宜：。。。采用循环系》统 》 ， 6.1《.11  纯水的】水质、？水量、水压应满足生！产工艺所需 【 6.1【。.12？  ：工艺冷却水应—使用软化水使用端】。压力宜为0.2M】Pa～0.》3M：P，a， ， 6.1.！。13  《生产过程中发热量、！发尘量大的生产工】。艺应采取防扩—散措施 【 6？.1.14  生】产车间应配置压【差测试仪、》温，湿度记录仪、—空气微？尘颗粒记录仪—等检测设备》 ：