《6 工艺设计要求!
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6.1 【般要求
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6.1.1 物!。料准备?区、装配区、测【试与调试区、封盖区!、环境试验区—。、分析?区、检验包装区内的!。设计:。应符合现行国家【标准电子工业洁【净,厂房设计规范GB !50472》的有关规定
】
6.1.【。2 生产》厂房防静电》设计应符合现—行,国家:标准电子工程防静电!。设计规范GB— 50?611和洁》净厂房设计》规,范GB 5007】3的有关规》。定,
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6.1.3【 防静电工—作区域?工作台、货架等【宜采用间接》静电接地设备、【。仪器宜采用直接静电!接地
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6—.1.4 生产】车间空?气洁净度等级应根据!具体产品确定封盖前!的微波集成组件应】在洁净度等》级8级或《优于8级《的洁净?环境:中装配
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6—.1.5《 生产车间中洁净!区温度?宜为23《℃,±,3,℃相对湿度宜为【40%~70%
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6》.1.6《 , ,生产车间供电—配电应满足配置【。设备要求
】。
:6.1.7》 生?产所需气体应包括】。氧气、氮气、—氦气、氩气、—压缩空?气、氮?氢,混合气等并应—符合下列规定
】。
— 1 压—。缩空气压力宜为0.!6MPa~0.7】M,Pa露?点在0.7MPa时!宜低于-40℃;】
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!2 高纯氮气压力!宜为0.4MP【a~0.7》MPa气体纯度【宜为99.99【9%;
】
3— 纯氮《压力宜为0》.4:M,Pa~0《.7:MPa气体纯—度宜为99.99%!;
【 4 高】纯氦气压力宜为0】.4MPa~0.】。。7,MPa气体》纯度宜为99.【999%;》。
【 5 高纯氧!气压力宜为0.4】MPa~0》.,7MPa《气体纯?度宜为9《9.999%;
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6 !高纯氩气压》力宜为0《.4MP《a~:0.:7MPa气体纯度】宜为99《.,999%;
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7 】高纯氮氢《混合气体《气,(N295% H2!5,%)压力宜为0.】4MPa~0.【7M:Pa气体纯度宜为】99:.999%
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6.1【.8 高》纯气体用气点前应设!。高效气体过滤器【。
6.】1.9 工—艺真空度宜优于【0.08MP—a
6】.1:.10? 生产所》需水路宜包括给排】水、纯水和工艺冷】却水工艺冷却—水宜:采用循?环系统?
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6?。。.1.11》 :纯水的水质》、,水量、水压应满足生!产工:艺所需
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6.1.12 ! 工艺?冷却水应使用软【化水使用端压—力宜为?0.2MPa~【0.3MPa
【。
6.1】.13 生—产,过程中发热量、发】尘量大的生产—工艺应采取防扩散】措施
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6.1—.14 生产车间!应配置压差测试仪、!温湿度记录仪—、空气微尘颗—粒记录仪等检测设】备
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