6．2 — ，防微振措施 【 ： 6．2．1【  建筑《物地基基础的防微】振设计应符》合下列？要求 》 ？    1》  抗震设防烈度为！7度、8度的地【区建筑物基础持力】层范围内存在—。。承载力特征值分别小！于80kP》a、1？00kP《a的软？弱黏土层时》应采用桩基或人工处！理复合地基采用【复合地基时》应按国家现行—标准：建筑地基基础设【计规范GB 5【0007和建—筑地基处理技术【规范JGJ 79】的有关规定进—行载荷试验》和地：基变形验算；— ， ？  ？   2 》 ，防，微振厂房同一—结构单元的基—础不宜埋置在不【同类别？的地基？土上：  — 6：．2．2《  ：地面结构或底—板结：构的防微振设计【应，符合：。下列要求 】 ，   ？  1  》集成电路制造厂房】前工序、液晶—显示器制造厂房【、，。纳米：科技建筑《及实验室《应按防微振要求设】置厚板式钢筋—混凝：土地面当采用天然】地基：时地：面结构厚度不宜小】于5：00mm地基土应夯！压，密实压？实系数不得小于0．！。95当采《用桩：基支承的《结，构地面时《地面结构厚度不【宜，小于40《0，mm对于《软，弱土：地区不宜小》于50？。0mm；对于欠固】结土宜采取防—止桩：。间土与地面结构底】部脱：开的措施《； 【。    2  当】地面为超长混凝土结！构时不宜设》置伸：。。缩缝可采用超—长混凝土结构无缝】设计措？施 》 6？．2．3《  主？。体结构的防微—振设计应《符合：。下列要求 — ，。    — 1  集成—电路制造厂房前工】序、液晶显示器件】制造厂？房、光？伏太阳能制造厂房、！纳米：科，技建筑及各类实【。验室等建《筑宜采？用小：跨度柱网《工艺：设备层平台宜采用】钢筋混？凝，土结构平台与周围】结构之？间宜设隔振缝 】。     2！  防微振》工艺设备层》平台的设计应—符合下列要》求 》    》  ：   1)平台【下的柱网尺寸—应以0．6m为模数！跨度：不宜：大于6m； — 《      —   2)平—台宜采用现浇钢【筋混凝土梁板—式，或井式楼盖结构【亦可：采用钢框架组合楼板！结构； ！       【 3：)混：凝土平台《的现浇梁、板—、柱截面的》最小尺？寸宜符合表6．【2．3-1的规【定； — 表6．2．3】-1：  梁、板、柱截】面的最小尺寸 【 ？ —    》    《 4)？防微振工艺设备平】台现浇华《。夫，板次梁的间距—为1．2《m时截面最小尺【寸宜符合《。表6．2．3-【2的规定； — ： 表6．2【．3-2 》 华夫板截》面的最小尺寸 】 ？ ？ ，    — ，  ：  ：5)采用《钢框架-组合—楼板结构的防微【振，工艺设备层平台【次梁间距不宜大于3！．2m钢《梁、组合楼板截面的！最小尺寸宜》符合表？6．2．3-3的规！定，； 》 表6．2—。．3-3 》 钢梁、组合楼板截！面的最小尺寸 】。 ？。。 《 ，     —  ：  6)防微振工】艺设备层平台华夫板！的开孔？率应满足《洁净设计要求不【宜，大于30％ — ，  》   3 》 当采用混凝土结】构的建？。筑物超长时》不宜设置伸缩—缝而应采用超长【。混凝土结构无缝设计！技术并应采取降低】温度伸缩《。应力：的措：施 【 ，   4  根据】。防微振需要可在平台！下，的部分柱《间设：置钢筋混凝土—防微振墙《墙体宜纵《。横向对称《布置厚度不》宜，小于250》mm墙体不宜开【设孔洞 》 ？ ，    5》  当屋盖多跨【结构的中柱与—工艺设备层平台之】间设缝时在》非地震区缝宽不【应小：于50mm；在地震！区缝宽不《应小于？10：0m：m且应符合现—行国家标准建筑【抗震设计规范—GB： 50011中防震！。缝的有关规定 【。 ， ？ 6：．2．4  精密】设备及仪器》的独立基础》设，计应：符合下列要求 ！ ？ ，   1  地面上！设置的精密设—备，及仪器基础底面【。应置于坚硬》土层或基岩上其他地！质情况下应》采用：桩基础或人工处理复！合地基； 》   【  ：2 ： 精：密设备？及仪器受中低频【振动影响敏感时基础！周围可不设隔振沟】； 》     —3  精密设备及】仪器的？。基，台采用框《架式支承时宜采【用钢筋？混凝土框架台板宜采！用型钢混凝》。土结构其周边应设隔！。振，缝； ？ 》    4》  工艺设备层平台！上设置的精》密设备或仪器宜【采用防微振基台台板！宜采用型钢》混凝土结构》。厚度不宜小》于200mm— ：