2  术】    语 ！ 2》。.，0.1？ ， 三氯氢《硅氢还原法 —  ： trich—loro《silane 【hydrogen】 reduc-ti！。on proc【ess？ ：     经！。过不断？完善的多晶》硅生：产，主流工艺是将高【纯三氯氢硅与—高纯氢？气按一定比》例通入还原》炉发生还原或热分】解反应？在，1，050℃左右—。的高纯硅芯》基体表面上沉积【生长多晶硅；同时具！备回：收、利用《生产过程中伴随【产生：。的氢气、氯化氢【、四氯？化硅等副产物—以及副产热能最【大限度地实现—“物料内部循环【、能量综合利用【”的多晶硅生—产工：艺 ？ ： 2.0》.2 ？ 多晶？硅  polysi！lic？on 【     单质【硅的一种形态硅原】子，以晶格？形态：排列成？许多晶核晶》核长：成晶面取向不同的晶！粒晶粒组《合结晶成多晶硅根据！用途可？分为太阳能级和半导！体级 《 ？。 2.0.》3  还《原尾气干法回收【 ，   reduc】tion o—ff-gas 【recover【y ：b，y dry me】thod ！。     一种【相，对于传统湿法回收】尾气工艺的方—法利用尾气》中各组分物理化【学性质的差异采用】冷，凝、吸收、解析【、吸附等方》。。法将其逐一》分开回收、提纯【再重：新返回生产系统循】环利：用 ： 2.0】.4  四氯化硅氢！化   《 silicon】 tetrachl！o，ri：de hydro】。g，ena？。t，ion 《  — ，  ：一种处？理，多晶硅副产物四【氯化硅？的方法与氢反应【将其转换成》三氯氢硅 ！ 2.0.5 【 三氯氢硅合成  ！  trich【。lor？osilane s！ynth《esis ！。     一种制】取三氯氢硅的方法将！硅粉和氯化氢通入有！一定温度的反—应器内通过化学反】应生：成三氯氢硅 — ？ 2.0.6【  氯硅烷精—馏    c—hlorosil】ane di—sti？llati》on 《 ？     》一种通过气液交换实！现传质、传热使【氯硅烷混合》物得到高纯度分离的！方，法 《 2.》。。0.7 《 ，液氯汽化《 ， liqui—d ch《。lor？ine v》aporiza【tion 》 ？ ，    《 一种？将液氯加热蒸—发，成氯气的方法 】。 ， 2.》0，.8  氯化—氢合成  hydr！oge？n chl》o，ride 》synthesi】s  】   通过》。化学反应将氢气【、氯：气，生成：氯化：氢气体的方》。法 《 2.》0.9  盐酸解析！。  hydr—ochloric】 ，acid str】ip：p，in：。g —    《 一种将氯化氢从盐！酸中解析《出来的？方法 》 2《.0.10  【。还原：炉    》redu《ction r【ea：ctor 》 》    一种生产棒！状多：晶，硅的专？用设备 》 2.0【.11  二—氯二氢硅反》歧化    —。inverse d！i，s，proport【ionating ！of ？di-ch》lorosil【ane 】     》一种回收利用二氯】二氢硅的方法通过】化学反应将二氯二】氢硅与四氯化—硅转化成三氯氢硅】 2【.0.12  多晶！硅，后处理  poly！silic》on ？hand《lin？g —     根据客】户和产品分析检测的！要求多晶硅出炉后进！一步处理的统称包括！切除头尾《、钻棒、滚圆、破】碎、分拣、称重【、腐蚀？、清洗、干燥及包】装等： 》 2：.0.13》  ：氯硅烷？  ：chlorosi】lane ！   ？  硅烷(SiH4！)中的氢原子部【分，或全部被《氯原子取《代后的物质》统称通常包括四氯】化硅(SiCl4】)、三氯氢》硅(SiHC—。l3)、二氯二【氢硅(S《iH2Cl2)、】一氯三氢硅》(SiH3Cl)】等 2.！0.14《  还原尾气—  r？。eductio【n off》-gas ！     》还，原炉内生成》多，晶硅的反应过—程中未参与反应的】原料和生成的副【产物的混合气—体主要包《括，氢气、？气态氯硅烷及氯化】氢等 【 2.0.》15  《防爆防？护墙  e》xplosion-！pr：oof pro【tective【 wall》。 《     具有一！定防爆能《力的隔墙《能防止爆炸产生【的飞：散物对设施》及人：员的：伤害： ， ，