《。2  ？。术 ：  ： 语 — 2.—0.1  三—氯氢硅氢还原法  ！。  trich【lorosi—lane h—ydrog》en reduc-！t，ion？ proce—ss 》 ， ：    经过不断完！善的多晶硅生产主流！工艺是将高纯三【氯氢硅与高纯氢气按！一定比例《通入还原炉发生还原！或热分解反应—在1050℃—左右的高纯硅芯【基体表面《上沉积生长》多晶硅；《同时具备回收、利用！生产过程中伴—随产生的氢气、氯化！氢、四氯化》硅等副产物》以及：副产热能最大限【度地实现“物料内部！循环、能量综—。合利用”的多晶【硅生产工艺 ！ 2？.0.2  —多晶硅  p—ol：ysili》con？   】 ， 单质？硅的：一，种形态？硅原子？以晶：格形态排列成许多】晶核晶核长成—晶面取向不同的晶粒！。晶，粒组合结晶成—多，晶硅：根据用途可分—为太阳能级和半导体！。级 》 2.0.3【  还？原尾气干法回收 】  ： redu》ction of】f-：gas rec【overy —by dry 【met？hod 《 ， ？     》一种相对《。于传统湿法回—收尾气工《艺的方法利用—尾气：中各：组分物理《。。化学性质的》差异采用冷凝、吸】。收、解析、吸附等】方，。法将其逐一分—开，回收、提纯再重新返！回生产系统循—环利用 《 ？ ， 2.0.4 【 四氯？。化硅氢化 》   sil—。ico？n te《trachlori！de hydro】g，enation【 ，     ！一种处理多》晶硅副产《物四氯？化硅的方《法与氢反应将其转】换成三氯氢硅 【 ， 2.0.5！  三氯氢硅合成 ！  ： trichlor！osil《ane syn【thesis— ： ，     【。一，种制取三氯氢硅的】方法将硅粉和氯化氢！。通入有一定》温度的反应器—内通过化学反—应生成三《氯氢硅 【 2.0》.6  氯硅—。烷精馏    ch！l，。。o，rosilan【e dist—i，llati》on 》。     【一种通？过气液交换实现传】质、传热使氯—硅烷：混合物？得到高纯度分离【的，方法 】2，。.0.7 》 液：。氯汽化 《 liquid 】chlorin【e vapori】zati《。on 》 ？    一种将液氯！加热：蒸发成氯气的方【法 《 2.0—.8  氯》化氢合成 》 hydr》ogen c—hlori》de sy》nthesis 】 ，    【 通过化学反—应将氢气、氯气生成！氯化氢气《。。体的方法《 2.】0.9  盐酸解】析  hydroc！hlori》c acid 【stripping！ —    一种将氯化！氢从盐酸中解析出来！的方：法， 》 2.0《.10 《 还原？炉    》reductio】n react【or — ，     一—种生：产棒状多《晶硅的专用》。设备 ？ 2.0.！11  二氯二【氢，硅反歧化   【 inv《ers？。e， disp》。rop？or：tionat—ing of— di-chlor！osila》ne 》 ？   ？。 一种回《收利用二氯二氢【硅的方？法，。通过化学反应—将二氯二《氢硅与四氯化硅转】化成三氯氢硅 【 》2.0.《12 ？ 多晶硅后》处理  《。polysili】con han【d，ling 】     根【据客户和产》品分：析检测的要求多晶硅！出炉：后进：一步处理的统—称，。包括：。切除头尾、钻—棒，、，滚圆、破碎、分拣、！称重、腐蚀、清洗】、，干燥及？。包装等 — 2.0.【13  氯硅烷  ！c，hlor《。osilan—e   ！  硅烷(Si【H4：)中的氢原》。子部分或全部被氯】原子取代《后的物质统》称通常包括四—氯化硅(S》iC：l4)、三氯氢硅】。(SiHCl3)】、二氯二《氢硅(S《iH2？Cl2)、一—氯三氢硅(S—iH3Cl)等 】 ： ： 2.0.》14  还》原尾气  red】ucti《on off-【gas 《。   【  还？原炉内生成多晶【硅的反应过程中未参！与反应的原》料和：生成的副产物的混】合气体主要包括氢气！、气态氯《硅，烷及：氯化：氢等 》 2《.0.1《5  防爆防—护墙 ？ ex？p，lo：sio？n-proo—f pro》tective【 ，wall《  【 ，  具有一定—防爆能力的隔—墙能防止爆炸—。产生的飞散物对设施！及人员的《伤害 《