《2，  术    【语 ！2.0.《1  三氯》氢硅氢还原法  】  trichlo！rosilane】 hy？dr：ogen r—educ-ti【on p《roc？ess 》 ，   》  经过不断完善的！多，晶硅生？产主流工艺》是将：高纯：。。三氯氢硅与高纯【氢气按一定比例【通入还原炉》。。发，生还原或热分解【反，应，在，1050℃》左右的高纯》硅芯基体表面上【沉积生？长多晶？硅；同时《具备回收、利—用生产过程中—伴随：产生的氢气、—氯化：氢、四氯化硅等副产！物以及副产热能【最大限？度地实现“物—料内部循环、能【量综合利用》”的多晶硅生产【。工艺 】2.0.2  多晶！硅  p《olysilico！n ？     】。单质硅？的一种形态硅原子】以晶：格，形态排列成许多晶】核晶核长成晶—面取向？不，。同的晶粒晶》粒组合结晶成多【晶硅根据用》途可分为太阳能级】和半导体级 】 2.0.3 ！ 还原尾气干—。法回收？    redu】ction of】。f，-ga？s r？ecove》。。ry： b：y， dry 》met？hod 》 ：。     一【种相对？。于传统湿法回收【尾气工艺的方—法利用尾气中—各组分物理》化学性？。质的差异采用冷凝、！。吸收、解析、吸附等！方法：将其逐一分开回收、！提纯再？重新返？回生产系统循—环利用 》 2.0.4！。 ， 四氯化《硅氢化    si！licon —tetrachl】oride》。 hydrogen！ation ！     一种处！理多晶硅《副产物四氯化硅的方！法与氢反应》将其转换成三氯【氢，硅 ：。 》2，.0：.5  《三氯氢硅合成  】  t？rich《loro《s，ilane sy】nt：hesis ！     一【种制取三氯氢硅的方！法将硅粉和氯化【氢通入有一定—温，度的反应器内通过】化学反？应生成？三氯氢硅《 2.0！。.6  氯》硅烷精馏  —  ch《。loro《s，ila？ne d《istillat】。ion？。 《     一【种通过气液交—换实现？传，质、传热使》氯，硅烷混合物得到【高纯度分离的—方法 【。 ，。2.0.7 — 液氯？汽化 ？ liquid 】chlorine】 vaporiz】ation》 —。    一种—将液氯加热蒸发成】氯气的？方法： 2.0！.8 ？ 氯化氢合成 【 hyd《roge《n chlori】de s《ynthesis ！ ？     通过】化学反应将》氢气、氯气》生，成氯化氢气体的方】法 ？ ： 2.《0.9  盐酸【解析  hy—dro？。chloric【 acid st】ripping ！   —。  ：一种将氯化氢从【盐酸中？解析出？来，的方法 】。 2.0.10  ！还原炉   — reducti】on reacto！r ： ？ ，     一—。种生产？棒状多晶硅》的专用设备 】 ： 2.0.1—。1 ： 二氯二《氢硅反歧化 —   invers！e ：。d，i，spro《portion【ating o【f d？i-chlo—rosilan【e —     一种回收！利用二氯二氢硅【的方法通过化学【反应将二氯》二，氢硅：与四氯化《硅转：化，成三氯？氢硅 《 2.—。0.12《  多？晶，硅后处？理  ？po：lysil》icon han】dling 【 ：     —根据客户和产品分析！检测的要求多晶硅】出炉后进《一步处？理的：统称包括切》。除头尾、钻》棒、滚圆、破碎、分！拣、称重《、腐蚀？、清洗、干燥及【包，装等 【 2.0.》13  氯硅烷【  chlor【os：ilan《e 》     硅【烷(Si《。H4)中的氢原【子，部分或全部》被氯原？。子取代后《的物：质统称通常包括【四氯：化硅(S《i，Cl4)、》三氯氢？硅(SiHCl【3，。)、二氯二氢—硅(S？iH2Cl2)、】一氯三氢硅(—SiH3Cl—。)等 》。 2.》0.14  还原】尾气  《reducti【on off—-g：as —     还原】炉内生成多》晶硅的反应过程【中未参与反应—的，原料和生成的—副，产物的混合气体主要！包，括氢气、气态氯【硅烷及氯化氢等【 ， ： 2.0.15！  ：防，。爆防护墙  —e，xplosio【n，-proof pr！otectiv【e wa《ll 【     具—有一定防爆》能力的隔墙能防止】爆，炸产生的飞散物对设！施及人员《。的伤害 》