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2  术】    语 ! 2》。.,0.1? , 三氯氢《硅氢还原法 —  : trich—loro《silane 【hydrogen】 reduc-ti!。on proc【ess? :     经!。过不断?完善的多晶》硅生:产,主流工艺是将高【纯三氯氢硅与—高纯氢?气按一定比》例通入还原》炉发生还原或热分】解反应?在,1,050℃左右—。的高纯硅芯》基体表面上沉积【生长多晶硅;同时具!备回:收、利用《生产过程中伴随【产生:。的氢气、氯化氢【、四氯?化硅等副产物—以及副产热能最【大限度地实现—“物料内部循环【、能量综合利用【”的多晶硅生—产工:艺 ? : 2.0》.2 ? 多晶?硅  polysi!lic?on 【     单质【硅的一种形态硅原】子,以晶格?形态:排列成?许多晶核晶》核长:成晶面取向不同的晶!粒晶粒组《合结晶成多晶硅根据!用途可?分为太阳能级和半导!体级 《 ?。 2.0.》3  还《原尾气干法回收【 ,   reduc】tion o—ff-gas 【recover【y :b,y dry me】thod !。     一种【相,对于传统湿法回收】尾气工艺的方—法利用尾气》中各组分物理化【学性质的差异采用】冷,凝、吸收、解析【、吸附等方》。。法将其逐一》分开回收、提纯【再重:新返回生产系统循】环利:用 : 2.0】.4  四氯化硅氢!化   《 silicon】 tetrachl!o,ri:de hydro】。g,ena?。t,ion 《  — ,  :一种处?理,多晶硅副产物四【氯化硅?的方法与氢反应【将其转换成》三氯氢硅 ! 2.0.5 【 三氯氢硅合成  !  trich【。lor?osilane s!ynth《esis !。     一种制】取三氯氢硅的方法将!硅粉和氯化氢通入有!一定温度的反—应器内通过化学反】应生:成三氯氢硅 — ? 2.0.6【  氯硅烷精—馏    c—hlorosil】ane di—sti?llati》on 《 ?     》一种通过气液交换实!现传质、传热使【氯硅烷混合》物得到高纯度分离的!方,法 《 2.》。。0.7 《 ,液氯汽化《 , liqui—d ch《。lor?ine v》aporiza【tion 》 ? ,    《 一种?将液氯加热蒸—发,成氯气的方法 】。 , 2.》0,.8  氯化—氢合成  hydr!oge?n chl》o,ride 》synthesi】s  】   通过》。化学反应将氢气【、氯:气,生成:氯化:氢气体的方》。法 《 2.》0.9  盐酸解析!。  hydr—ochloric】 ,acid str】ip:p,in:。g —    《 一种将氯化氢从盐!酸中解析《出来的?方法 》 2《.0.10  【。还原:炉    》redu《ction r【ea:ctor 》 》    一种生产棒!状多:晶,硅的专?用设备 》 2.0【.11  二—氯二氢硅反》歧化    —。inverse d!i,s,proport【ionating !of ?di-ch》lorosil【ane 】     》一种回收利用二氯】二氢硅的方法通过】化学反应将二氯二】氢硅与四氯化—硅转化成三氯氢硅】 2【.0.12  多晶!硅,后处理  poly!silic》on ?hand《lin?g —     根据客】户和产品分析检测的!要求多晶硅出炉后进!一步处理的统称包括!切除头尾《、钻棒、滚圆、破】碎、分拣、称重【、腐蚀?、清洗、干燥及包】装等: 》 2:.0.13》  :氯硅烷?  :chlorosi】lane !   ?  硅烷(SiH4!)中的氢原子部【分,或全部被《氯原子取《代后的物质》统称通常包括四氯】化硅(SiCl4】)、三氯氢》硅(SiHC—。l3)、二氯二【氢硅(S《iH2Cl2)、】一氯三氢硅》(SiH3Cl)】等 2.!0.14《  还原尾气—  r?。eductio【n off》-gas !     》还,原炉内生成》多,晶硅的反应过—程中未参与反应的】原料和生成的副【产物的混合气—体主要包《括,氢气、?气态氯硅烷及氯化】氢等 【 2.0.》15  《防爆防?护墙  e》xplosion-!pr:oof pro【tective【 wall》。 《     具有一!定防爆能《力的隔墙《能防止爆炸产生【的飞:散物对设施》及人:员的:伤害: , ,