2  术 ！   语 — —2.0.1》  ：三氯氢硅氢还原【法    tri】chlo《rosilane】 hydr》o，gen redu】c-tion 【proces—s 《  《  ： 经：。过不断完善的多【晶硅生产主流—工，艺是：将高纯三《氯，氢硅与高纯氢气按】一定比例通入—还原炉？发生：还原或热分解反【应在10《50℃左右的高纯】硅芯基体表面上【。沉，积生长多晶》硅；同时具备回收】、，利用生产过程—中伴随产生的—氢气、氯化氢、四】氯化硅等副产物【。以及副产热能最【大限度地实现—“物料内部循—环、能量综》合利用”《的，多晶硅生产工艺 ！ ？。 2.0.2 【 多晶硅  pol！ysilico【n  】   单《质硅：的一种？形态硅原《。子以晶格形》态，。。排列成？。许多晶核晶核长【成晶面取《向不同的晶粒晶粒】组合结晶成》。多晶硅根据用—途可分为《太阳能级和半导体】级 2.！。0.3 《 还原尾气干法【回收  《  ：re：d，uct？ion 《off？。-gas rec】ove？ry ？b，y dry —method 【 ：   》  一？种相对于传》。统湿法回收尾气【工艺的？方法利用尾》气中各组分物理【化学性质的差异采用！冷凝：、吸收、《解析：、吸附等《方法将？。其逐一分开回收【、提纯再重新返【回生产系统循环利用！ 《 2.0.4  ！四，氯化硅氢化   】 si？licon te】trach》loride 【hy：dr：ogen《a，tion 【     一种！处理：多晶硅？副产物四氯化硅的方！法与氢反应》将其转？。换成三氯氢硅 【 《 2.0.5  三！氯氢硅合成》  ：  trichl】orosilane！ s：ynthesis】  【   一种制取【三氯氢硅的》方法将硅粉》和，氯，化氢通入有一定温】度，的反应器内通—。过化学反应生成【三氯氢硅《 2.0！.，6 ： 氯硅？烷精馏    c】hloro》sila《ne distil！。lat？ion 》 《    一种通【过气：。液交换实现传质、传！热使氯硅烷混—合物得到高纯—度分离的《方法 2！.0.？7  液氯汽化 】 liq《uid c》hlorine 】vapori—zation—  【   ？一种：将液：氯加热蒸发》成氯气的方法— 》 2.0.8 【 氯化？氢合成  hy【d，roge《n c？hlor《id：e synthe】sis 《 ： ，     通【过化学反应将氢气】、，氯气生成氯化氢气体！的方法 》。 2》.0.9  盐【酸，解，析  hyd—rochlor【ic ac》i，d stripp】ing 【    》 一种将氯化氢从】盐，。酸中解析出来的方】法， 《 2.0.1【0 ： 还原炉《  ： ， redu》。。。cti？on reac【tor 】     一种【生产棒状多》晶硅的专《用设备 【 ：。2.0.11  】二氯二氢《硅反歧化 》   inv—erse disp！ropor》ti：onat《ing of 【di-chl—orosilane！ ： ， ：     》一种回？收利用二《氯二氢硅的方法【。通过化学反应将二】氯二氢？硅与：。四，氯化硅转化成—三氯氢？硅 【2.：0，.，1，2，  多晶硅后处理 ！ polysili！con handl！ing 【     根据】。客户：和产品分析检测的】要求多晶硅出炉后进！一步处理的统—称包括切除头尾【、钻棒？。、滚圆、破碎、【分，拣、称重《、腐蚀？、清洗？、，干燥及包装等 【 2—.0.？13  氯硅—烷  ch》lor？osil《。ane —     【硅烷(SiH4)中！的氢原？子部分或全》部被氯原子》取代后的物质统称】通常包？括四：氯化：硅(SiCl4【)、三氯氢》硅(Si《HCl3《)，、二氯二氢硅(S】iH2Cl2—)、一氯《三氢硅(SiH【3，Cl)等 】 ：2.0？.14  还原尾气！  reduc【。tion《 off《-gas 》 ？   《  还原《炉内生成《多晶硅的反应过程中！未参与反应的—。原料和生成的副产物！的混合？气体：主要包括氢气、气】态，氯硅烷？及氯化氢等 ！ ， 2.0.》15  防爆防护】墙  exp—lo：sion-》proo《f protect！。ive wa—ll ？ ， ？    《。 具有一定》防爆能力的》。隔墙能防《止爆炸产生的飞散】物对设施及人员的】伤害 《