《2  术    】语 】 ，2.0.1  【三氯氢硅氢还原法 ！ ，  tri》chlo《r，osilane【 hydrog【en ？redu《c-tion pr！ocess — 》 ，   经过不断完】善，的多晶硅生产主流工！艺是将高《纯三氯？氢，硅与高纯氢气按一】定比例通入还原【炉发生还原》或热分解反》应，在1050》℃左右的高纯硅芯基！体表面上沉积生长】。多晶硅？。。；同时具备回收、】利用：生，产过程中伴随产生的！氢气、氯化》氢、四氯《化硅等副产物以及副！产热：能最大限度地实【现“物？料内部循《环、能量综合利用”！的多晶硅生产—工艺 2！.0.2  多晶硅！  ：po：lysili—con 》     单！质硅的一《种形态硅原子以【晶格形？。态排列成《许多晶核晶》核长成？晶面取向不同的晶】粒，晶粒组合结晶成多】晶硅根据用途可【。分为太阳《能级和半导体级 】 2.【0.：。3  还原尾气干】法回收  》  red》uctio》n， off《-gas《 r：ecove》ry by dr】y ：method—  【   一种相—对于传？统湿法回收尾气工】。艺的方法利用—尾，气中各组分物理化】。学性质的差》。异，。。采用冷凝、吸收、】解析、吸附等—方法将其《逐一分开回》收、提纯再重新【返回：生产系统循环—利，用 ？ ， 2.0.4 ！ 四氯化《硅氢化？  ：  silicon！ tetrach】loride hy！drogena【t，io：n 《 ：   ？ ， 一种？处理：多晶硅副产》物四氯化《。硅的：方法与氢反》应将其转《换成三氯氢》。硅 》 2.0.5【  三氯氢硅合【成    tric！。hlorosila！ne synthe！sis — ：  ：   一种制取三】氯氢硅的方法—将硅：粉和氯化氢通入有】一定温度的反应器】内通：过化学反应生—成三氯？。氢硅 【 2.0.6—  氯硅烷精—馏 ：  ： c：hloro》silane 【di：。。still》ation》   】  一？种通过气液交换【实，。现传质、传热使氯硅！烷混合物得到—高，纯度：分离的方法 】 2.0.7 ！ ，液氯汽？化  liq—uid chlor！ine va—poriz》ation 【   —  ：一种将液《氯加热蒸发成氯【气的方？法 2.！0.8 《 氯化氢《合成  hyd【rogen》 c：hloride【 synt》he：sis — ：     通过【化学反应将氢气、氯！气，生成氯化氢气—体的：方法 【 2.0.9—  盐酸解析  】hydr《ochloric】 acid s【t，ripping ！  》   一种》。将氯化氢从盐酸【中解析？出来的方《法 ？ ， ， 2.0.10 ！ 还原炉    】reducti【on re》ac：。tor ！    一》种生：产棒状多晶硅的【专用设备《。 2.0！。.11  》二氯二氢硅反歧化】    i》nverse di！sprop》ortio》na：ting 》o，f d？i-ch《lo：rosilane ！ ：。 ：     一种【回收：利，用二氯二氢硅—的方法通过化学反应！将二氯？二氢硅与四氯化硅转！化成三氯氢硅— 《 2.0》.12  多晶硅后！处理  polys！ilico》。n handl【ing ！    根据—客户和产品》分析检测《的要求多晶硅出炉】后进一步处理的【统称包括切》除头尾、钻棒、滚】圆、破碎、》分拣、称重、腐蚀、！清洗、干《燥及包装等 — 《。。 ，2.0.13 【 氯硅烷 》。 chlorosi！l，ane ！  ：。  ：硅烷(SiH4)】中的氢原子部分或】全部被氯《原子取代后的物质统！称通常包括四—氯化硅？(SiCl4)、三！氯，氢硅(Si》HCl3)》、二氯二氢硅—(SiH《2Cl2)、一【氯，三氢硅(《Si：H3Cl《)等 》 2.0.【14  还》原尾气  r—educt》ion o》ff-g《as 《 ：  ？   还原》。炉内生成多》晶硅的反应过程中未！参与反？应的原料《和生：成的副产物的混合气！体主要包括氢气、气！。态氯硅烷及氯化氢】等 2.！0.15 》 防爆防《护墙  e》xplosion】-proo》f pr《otecti—ve wall ！ 《    具有—一定防爆能力的【隔墙能防止爆炸【产生的飞《散物对设施》及人员的伤》害 ？