。 2》 ，。 术    语【 》 2《.0.1《 ， 三氯氢硅》氢还原法    】tri？chlorosil！an：e ：hydro》gen reduc！-ti？on p《ro：ce：ss 》     经】过不断完善的多晶硅！。生产：主流工艺是》将高：纯，三氯氢硅与高纯【氢气按一定比例通入！还原炉发生》还原：或热分？解反应在1》050？℃左：右的高纯硅》芯基体表面》上沉积生长》多，晶硅；同时具备回】收、利？用生：产，过程中伴随产生【。的氢气？、氯化氢、四—氯化硅等副产—物以及副产热—能最大限度地实【现“物料《内部循环《、能量综合利用”】的多晶硅生》产工艺 — ：。 2.0.》。2，  ：多晶硅？  pol》ysi？。licon —   【  单质硅的一种】形态：硅原子以《晶格形态排列成许】多晶核晶核长成晶】面，取向不？同，的晶粒晶粒组—合结晶成多晶硅根】据用途？可，分为：太阳能级和半—导体级 》。 ：。 2.0.3 】 还原尾《。气干法回收  【。  red》uction of！f-gas》 recovery！ by dr—y method ！  —   一种相对【于传统湿法回—收尾气？工艺的方法利—用尾气中各组分物】理化学？性质：的差异采用冷凝、】吸收、解析》、吸：附等方法将》其逐一？分开回收、提纯再重！新返回？生产系统循环—利用 《 2.0【.4  四》氯化硅氢化  【  s？ili？con？ t：et：rachlor【。i，de hydrog！enation 】 ？ ，     一—种，。。处理多晶硅副产【物四氯化硅的方【法与氢反应将—其转换成三氯氢硅】 ， 2.0】.5 ？ 三氯氢硅》合成   》 trichlor！osilan—e synth【esis —     】一种制取三》氯氢硅的方法将【硅粉和氯《化氢通入有一定温度！的反应器内通—过化：学反应生《成三氯？氢，硅 2】.0.6  氯【硅，烷精馏？。 ，。   chlor】o，silane di！sti？llation ！   —。  一种通过气【液交换实现》传质、传《热使氯硅烷混合物得！到高纯度分离的【方法 【 2：。.0.？7  液《。氯汽化？  liqu—id chlo【rine va【poriz》ation 【  》   ？一种将液氯加—热蒸发成氯气的【。方法 2！.0.8 》 氯化？氢合成？  hy《。drog《en chlor】ide？ synthes】is 】    通过化【学反应将氢气—、氯气？生，成氯化？氢气体的方法— —2.0.9  盐酸！解析  hydr】ochl《oric a—ci：d stri—pping》 ？ ，     —一种：将氯化氢从盐酸中】解析出来的方—。法 ？ 2.—0.10  —还原炉    re！ducti》on r《ea：ct：or 》   》 ， ，一种生产《棒状多晶硅的专用设！。备 ？ ？ 2.？0.11  二氯】二氢硅反歧化 【   inve【rse dispr！oporti—on：at：ing of 【di-chlor】o，silane 】     】一种回收利》用二氯二氢》硅的：方法通过化学反应】将二氯？。二氢硅与四氯—化硅：转化成三氯氢硅 】 ： ？2.0.12—  ：多晶硅后处理  p！olysi》l，ic：on han—dl：ing 】  ：   根据客户和】产品分析检测的要求！多晶硅出炉后进一步！处理的？统称包？括切除头尾、钻棒、！滚圆、破《碎、分拣、称重【、腐蚀、清洗、干】燥及包装等 — ， ？ 2.0.13【  氯硅烷  ch！lorosi—lane 】    》 硅烷(S》。iH4)中的—氢，原子部分或》全部被氯原子—取代后？。的物质统称通—常包括四氯化硅【(SiCl4)【、，三氯氢硅《(，SiHCl3)、】。二氯二氢硅(—SiH2Cl2【)、一氯三》氢硅(？SiH3C》l)等 ！。2.：0.14《  还原尾气  r！educti—on： of？f-gas》    ！ 还原炉内生成多】晶硅：的反应过程中—未，参与：反，。应的：原料和？生成的副产》物的：混合气体主要包【括氢：气、气态氯硅烷【及氯化氢等 — ？ 2.《0.：15 ？。 ，防，爆防护墙 》。 expl》osion-pro！of p《rotect—ive w》all ！ ，   具有一定【。防爆能力的隔墙【能防止爆炸产生的】飞散物对设施及人】员的伤害 —