4》.，5，  半导体材料制备！ 》 4.5.【1  本条》对硅、锗材》料，制备：废气治理作出要求 ！  —   ？3  高纯三氯氢】硅还原尾气中主要】含，有氢气、氯化氢和】氯硅烷还原尾气干】法回：收技术是利用还原尾！气中各种组分物理】性能(露点、沸【点)上？的差异？通过加压冷凝、吸收！-脱吸、活性—炭吸：附等物理手段把尾气！中的氢气、氯化【。氢，、三氯氢硅、—二氯二氢硅、—四氯化硅《逐一分开分别—返回主工艺中四氯】化硅：通过氯化转》变成的三氯》氢硅也返回》系统使？用由于还原》尾气干法回收—系统完全密闭不【外排尾气分离回收】的上述副产物全部返！回工艺系统使用从而！达到了回收副产物、！变废为用的目的本】规范推荐采用还原】尾，。气干法回收技术 】 ： ？    5  【硅粉仓、锗精矿【仓进、出料产生的】粉尘应设计高效布袋！除尘器净化回收的尘！粉即硅粉《、锗精矿粉》应返回原料制备车】间， ， ？。     6 】 ，氧化锗制备过程产生！的尾气中含有氯化】氢、氯？气应设？计氢氧化钠碱液【一级淋洗净》化还原？。锗锭、区熔锗—锭腐蚀过程》产生含氟化氢、氮氧！化物的废气应—设计氢？氧，化钠碱液两级淋洗】才能使氟化物、氮】。氧化物达标排放【 《 ，     7  单！晶，硅、单晶《锗酸洗过程》产生含氟化》。氢、氮氧化物的【废气也应设置—碱液淋洗装》置净化 — 4《.5.2  合成砷！。化镓时发生石英【管爆裂的概率很低】持续时间也很短(最！长5min)这【种事故发生的时【。间一般在合成—炉升温的前30mi！n和降温的后3【。0m：in由于炉内温度高！于4：0，0℃砷会《。迅速：。挥发产生三》氧化二砷剧毒—气体因此必须设【置事：故排放的含砷废气】处理设施《妥善处理事故排【放的含砷废气三【氧化二砷气体—是剧毒气体因此将】本条设为强制—性条文必《。。。须严格执行 — ，