4.—5  半导体材料】制备 】 4.《5.1？ ， 本条？对硅、锗材料—制备废气治理作【出，要求：  【 ，  ：。3  ？高纯三氯氢》硅还原尾气中主要】含，有氢：气、氯化氢》和氯硅烷还》原尾气干法回收【技，术是利用还原—尾气：中各种组分物理性】能(露点、沸—。点)上的差异通【过加压？冷凝、吸收》-脱吸？、活性？炭吸附等物》理手段把尾气中【的氢气、《氯，化氢、三氯氢硅、二！氯，二氢硅？、四氯化硅逐一分】开分别返回主工艺】。中四氯化硅》通过氯化转变—成的三氯氢硅—也返回系统使用由】于还原尾《气干法回收系—统完全密闭不外排】尾气分？离回收的《。上述副产物全部返】。。回工艺系统使—用从而达到了回收】副，产物、？变废为用的目—的本规范推》荐采用还原尾气干法！回收技术 】     —5  ？硅粉仓、锗精矿仓】进、出料产生—的粉尘？应设计高效布袋除尘！器净化？回收的尘粉即硅粉】。、锗精矿粉应返回】原料制备车间 【   【  6  氧—化锗制备过程—产生的尾气中含有氯！化氢、氯气应—。设，计氢氧化《钠碱液一级淋洗净】。化，还原锗？锭、区熔《锗锭腐蚀《过程产生含氟—化氢、氮氧化物的】废气：应设计氢氧化钠碱】液两级淋洗才能使】氟化物、氮氧化【物达标？排放 】  ：  7  单晶硅】、单晶？锗酸洗过程产生含】氟，化，氢、氮氧化物—的废气也《应设置碱《液淋洗？装，置，净化 ？ ？ 4.5.2  ！合成砷化镓时发生石！英管爆裂《的概：率很低持续》。时，间也很短(最长5】min)这》。种事故？发，生的时间一般—在，合，成炉升温的前30m！in：和，降温的后《30min由于炉】内温度高《于400℃砷会【迅速挥发产》生三氧化二砷剧毒】气体因此必须设置】。事故排放的含砷【废气处理《设施妥善处》理事故排放的含【砷，废气三？氧，化二：砷气体是剧毒气体】因此：将本条设《为强制性条》文必：须严：格执行 》