4.5【  ：半导体材料制备 ！ 》 4：。.5.1  本【条对硅、《锗材料制备废气治理！。作出要求《 ， 《    《。 3  高纯三【氯氢硅还《原尾气中主要含有】氢，气、氯？。化氢和氯《硅烷还？原尾气干法》。回收：技术是利用》还原尾气中》各，种组分物理性能【(露点、沸点)【上的差异通过—加压冷凝、吸收【-脱吸、活》性炭：吸附等物理手段把尾！气中的氢气、氯化氢！、三氯氢硅、—二氯二氢硅、四氯化！硅逐一分开分别返】回主工？艺中：四氯化硅《。通过氯？化转变成的》三氯氢硅也》返回系统使用由于还！原尾气？干法回收系统完全密！闭不：外排尾气分离—回收：的上：述副产物全》部返回？工艺系统使用从而】达到了回《收副产物、》变废为用的目的本规！范推荐采《用还：原尾气？干法：回收技？术 【   ？ 5  硅粉仓、锗！精，矿，仓进、出料产生【的粉尘应设计高【效布袋除尘器净化】回收：的尘粉即硅粉、锗精！矿粉应返回原料制】备车间 ！   ？ ，6  氧《化锗制备过程产【生的尾气中含—有氯：化，氢、氯气《应，设计氢氧《化钠碱液一》。级淋洗净化还原锗锭！。、区熔锗锭》腐，。蚀过程？产，生含氟化氢、氮氧化！物的：废气应设计氢—氧化钠碱液两—级淋：洗才能使氟化—物、氮氧化物达【标，排放： 《     7【  单晶硅、单晶锗！酸洗：过程产生含氟—化氢、？氮氧化物《的废：。气也：应设置碱液淋洗装】。置，净化 【 4：.5：.2  合成砷化】镓时发生石英管爆】裂，的，概，率很低持续时—间也很短(最长5】min)这种事故发！生的时间一般在合】成炉升温的前30m！in和降温的—后30min—由于炉内温》度高：。于400℃砷会迅】。速挥发产生三氧化二！砷剧毒气体因此必须！设置事？故排放的《含砷：废气处？理设施妥善》处理事故排放—的含：砷，废气三氧化二砷【气体是剧毒》气，体因此将本条设为】强制性条文》必须严格《执行 ？ ，