4》.5  半导体材】料制：备 】 4.5.1—  本条对硅、锗材！料制备废气治理作】出要求 》 《    3  【高纯三氯《氢硅还原《尾，气中主要含有氢气、！氯化氢和氯硅烷还】原尾气干法》回收技术《是利用？还原：尾气中各种组—分物理性能》(露点、沸》点)上的差异通【过加压冷凝、吸收-！脱吸、活性炭吸附】等物理？手段把尾气中—的氢气、氯》化氢、？。三氯氢硅、二氯二氢！硅、四氯化硅逐【。一分：开分别返回主工【艺中四氯化硅通【。过氯化？转变成的《三氯氢硅《也返：回系统使用由于还原！。尾气干法《回收系统完全—密闭不外排尾气分离！回收的？上，述副产物全部返【回工艺系统使用从而！达，到了回收《副产：物、变废《为用：的目的本规范推荐采！。用还原？尾气干法回收技术 ！ ？ ：  ：  ：5  硅《粉仓、锗精矿仓【进、出料产生—的粉尘应《设计高效布袋除尘器！净化：回，收的尘粉即》。硅粉、锗精矿粉应返！回原料制备车间 】 ？    》 6  氧》化锗制？备过：程产生的尾气中含有！氯化氢、氯气应设计！氢氧化钠碱》液一级淋洗净化【还原锗？锭、区熔锗锭腐蚀】过程产生含》氟化氢、氮》氧化物的废》气应设计氢氧化钠碱！液两级淋洗才能【使氟化物、氮—氧化物达标排放【 《 ， ，。    7 — 单晶硅、》单晶锗酸洗过—程产生含氟化氢、氮！氧化物的废》气也应？设置碱液淋洗装置净！化 — 4.5《.，2  合成》砷化镓时《。发生石英管爆裂【的概率很《低持续时间也很【。。短(最？长5min)这【种事故发《生的时间一般在合】成炉升温的》前3：。0min和降温的】。后30m《in由于《炉内温度高于40】0℃砷会迅速—挥发产生三氧化【二砷剧毒气体—因此必？须设置事故排放的】含砷废气处理设施妥！善处理事故排—放的含？砷废气三《氧化二砷气》体是剧毒气体—因，此将本条设为强制性！条文必须严格执【行 ？