， 7  吸波】及电磁屏蔽工程设计！ 【。 7.1 【 吸：波工程？设计 》 》7.：1.1  》暗室吸波工程—设计：应根：据电磁？波暗室总体设计【和工艺设计所确【立的：方案与要求选—择和布局吸波材【料 7.！1.2  》吸波材料的选择和布！局应符合下》列规定？  【   ？1  暗室》主，反射区范《围设定宜大于—二阶菲涅尔半径覆】盖，的区域 《    】 2  在合理的暗！室尺寸和正确的材料！。布局情况下主反【射区域？采用的吸波材—。料吸：收性能？宜高于静区特性【。要求值3dB～6】dB —。 ， 7.1《.3：  受强功率—照射的区域应选择耐！高，功率照？射的吸波材料 ！ ， 7.1.—。4  吸波材料的氧！指数不得小于28】 《。 7.1》.5  在行人【通道位置《吸波材料的荷载不】应低于1《.5kN《/m2 【 7.1.—6  除1》-3：、，3-1类暗室外暗室！静区静？度Jtx可》按下列公式计算 】 ？ 】    式中—Jw外界环》。。境泄漏？到，静，区的：电磁噪声和》暗室内直射到静区的！测量信号两者同频】段的功率《密度值之比的对【数值（d《B）； 】     》  ：    Js暗室】。内设备等所》。散，射或反射到静—区的测？量电磁波和直射【到静区的测量电【磁波两者《的功率密度值之比】的，。对数值？（d：B）：；， ： ：   《。 ，     》  ：N暗室内测》试电磁波信号形成】一次反射《到静区路径的数量；！ ：     】      Ji】暗室：内第i条《。反射到静区的测【试电磁波信号和直】射到静区的测量电】磁波两者功率密度】值之比的对》数值（dB）； 】  —  ：      — Jxb电磁波【吸波材？。料在主反射》区域的实际反—射损耗（d》B，）； 》 ，    》 ，  ：    Jf—x标准天《线发射？电磁波至《反射点？方向：相对于主《辐射方向的》增益差（dB）；】 —     》     Jl【i到达静区的第i条！反射路径电》磁波相对《于直射电《磁波的？路径损耗（dB【）； 《    【       【Lfi第i》条反射电磁波信号】的反射路径长度（m！）； 》 ？       【   ？。Lz测？量信号电磁波—的直射路径长度【（m：） ？