6  工艺！设，计 ： ， 《 6？.0.1 》 电磁波暗》室的工艺区》划应满足暗室—。体型尺寸、》暗室与功能性—房间之间的相—对位置要求 — 6.【0.2  暗室应与！。测控间、设》备间、？试验：间等相邻 ！ 6.0《。.3  暗》室，开门位置不》宜在主反射区 】 《6.：0.4  暗室布】局，宜，自，建筑的底层开始【。 》 6.0《.5：  暗室体型—宜选择内壁》对电磁波反射路径既！少又弱、试》验操作安全》可靠、结构简单的体！型 【6，.0.6  暗室】内有两套《或以上功《能测试系统时其体】型和尺寸除》应，满，足各测试系统的【测量技术要求外还应！满足系统间相—互耦：合的隔离要求— ？ 6.0.【7  长方体暗【。室尺寸？应符合下列规定 】    】 1  《内壁长度《L应按下式计算 ！ L》≥L：1＋L2＋》L3＋L4  【      （6】.0.7-1） 】 ？   《  式中L1测量距！。离（m）按表6【.0.7计算； ！    【    《。   ？L2暗？。。室内测量《系统设备和受试设】备在测试《中沿暗？室测量纵轴方向【所占据的最大尺寸之！和（m）； 】      】     L3为】满足：运输、维护及电【。磁辐射？性能要求沿测—量纵轴方向增加的】长度； ！ ，   ？      L【4暗：室两：端墙壁吸《波材料沿《测量纵轴方向的【高度：和（m） ！ 表6？。.0：。.7  L1计算 ！ 》  】   ？。2， ， 内壁宽度W应按下！式计算 【 W＝W1＋W】2＋W3     ！。    《（6：.，0.7-2） ！ ？  ：  式中W内壁宽】度（m）《不宜小于0.87】L1； ！     》     W1【暗室内测量系统【设备和受试设备在测！试中沿？暗室宽度方向—。所占据的最大尺寸】（m）； 》    】     》  W2满足运【输、：维，护，和辐射特性需要沿暗！室宽度方向》的空间尺寸（m【）； 】  ：      —  W3暗室两侧墙！壁吸：波材：料高度的总和（m）！ ：  》  ： 3  内》。壁，高度H应按下式计】算，。。并，应满足辐射》特，性要求 【 H＝《H1＋H2＋H3】         ！（6：.，0.7-3》） 【。。    式中H【内壁高度《（m）对于1-【1，、2-1、2—-2、3-2—类暗室？不宜小于0.—87L1；》 》。 ， ，        】 H：1测量系统》设备或受试设备【的最大高度（m【）； — ， ，。   ？    《   H2设备上部！安装空间《尺寸（m《）； —     — ，     H3【暗室：顶，部吸波材料》高度（m《）， ？ 6.0.8 ！ ，锥体暗室尺》寸设计应符合—下列规？定 》。。     —1 ： 暗室静区尺寸不应！小于待测天线—尺寸 【   ？  2  暗室【。长方体部分宽度和】高度应相等不应小】于暗室静区尺寸【。的3：倍， ： ，     【3  暗室长方体部！分长度不《应小于暗室宽度和】主墙吸波材料高【。度的和 —  《 ， ， 4  锥顶角【可选取20》。°～22°》  【   5《  根？据本条第《1款～？第，4款设计《的锥形暗室测量距离！L1应满足本规范表！6.0.7的远【场条件 ！ ，  ： 6  6G—Hz及以上频段【。的，锥形暗室应符合自】由空间电波传播幅】度与相？位的均匀性要求 ！ ？ ，6.：0.：9  正多》边柱体暗室尺—寸应符合下》列规定 》  》   1  —内壁：。内切圆？。半径：R应按下式计算【 R【≥L1＋R2＋【R，3＋R4   【   （6.0【。.9-1） —    】 式中L1测—量距离按本规范【。表6.0.7计【。。算对于1-1、2-！1、3-2类—远场测量暗室—当天线口面》内电磁波《相位：。偏，差要求小于或等【于λ/8时》K值取2对于2-2！类暗室？K值可小《。于2； 【。        ！   R2》测量系统设》备与受？试设备？。沿半径方向的长【度之和； — ：  ？     》   ？ R3满足运—输、维护和辐射特】性需要在半径—方向的空间尺寸；】 》    《       【R4吸波材》料的总高《度 【    2 — 高度应按本规范式！（6.0.7—-3）计算 — 6.0.！10  雷》达截面紧缩场微波】暗室（？3-1类暗》室）尺寸应与—要，求的静区尺》寸、测量系统布【局、操作《维，护空间相协调—匹配 【 6.0.11 】 除本规范表4.0！。.1中？。1-2、1-3【、2-2、3—-1、3-》2、4-1类暗室】测量系统在高度方向！。布局另有要求外其】他暗室内部测量系统！应对称？布，局 — ，6.0.12  】暗室静区范》围尺寸应大于—受试设备试验—。状态：中所覆盖的区域【  ？