。 6  工艺！设计： 》 6.0.【1  电磁》波，暗室的工艺区划【。应满足暗室体型【尺寸、暗室与—功能：性房间之《间的相对位置要求】。 ： ： 6.0》.2 ？。 暗室应与测控间、！设备间、试验间【等相邻 》。 6.0.】3  暗《室，开门位置不宜在【主反射区《 ？ 6《.0.4《  暗室布局宜【自建筑的《底层开始 ！ 6.？0.：5  暗室》体，型宜选？择内壁对电磁—波，反，射路径既少又弱、试！验操作安全可靠、】结构简单的体型 】 》6.0.6 — 暗室？内有两套或》。以上功能《测试系统时其—体型和尺寸除应满】足各：测试：系统的？测量：技术要求外还应【满足：系统间？相互耦？合的隔？离要求 【 6？.0：.7  长》方体暗室尺寸应符合！下列规定 ！     1—  内壁长度L应按！下式计算 【 L《≥L1＋L2＋L3！＋L4 《       （】6.0.7-—1） — ，。     式中L1！测量距离《（m）按《表6.0.7计算】； ：。   【        L！2暗：室内测量系统设【。。备和受试设备在测】试中沿暗室测量纵轴！方向所占据的最大尺！寸之和？（m）； 【  《     》    L3—为满足？运输、维护》及电磁辐射性能【要求沿测量纵—轴方向增加的—长度；？    ！      — L4？暗室两？端墙壁吸波材—料沿测量纵轴方【。向的高度和（—m）： 表6】.0.7  L1】计算  《 《 ？ 《    2》  内壁宽度W【应，按下式计算 — W＝W】1＋W2＋W3 】    《。 ， ，  ：。（6.0.》7-2） — 《    式中W【内壁宽度（m）不】宜小：于0.87L1； ！。 ，  》        】 ，W1：暗室内测量系统设备！和，受试设备在测—试，中沿暗室《宽度：方向所占据的最大尺！寸（：m）：； 【       【   W2》满足运输、维护和辐！射特性需要沿暗【室宽度方向》的空间尺《寸（m）； — ： ：   ？       【 W3暗室》两侧墙壁吸波材料高！度的总和（m） 】 ，     3！  ：内壁高度H》应按下？式计算？。并应满足辐射特性要！。求 《 H＝H1＋H！2＋H3  —       （】6.0.7-3）】 —    式中H内】壁高：度（m）对于1【-1、？2-1、2-2、3！-2类暗室不—宜，小于0.87L1；！ 》   ？     》   H《1测：量系统设备》或受试设备的最【大高度（m》）； 《 ，      】     H2设备！上部安装空》。间尺寸（《m）； ！         ！ H3暗室顶—部吸波材料高度（】m） 《 《6.0.8  锥】体暗室尺寸设计应符！合下列规定 —   【  1  暗—室静区尺《寸，不应小于待测天线尺！寸 ：。 ，。。    【 ，2  暗室长方【体部分宽度和高度】应相等不应小于暗】室静区尺《寸的3？倍  】   3《  暗室《。长方体部分长度不】应，小于暗室宽度和【主墙吸波材料高度】的和 【   ？  4？  锥顶角可选取】20°～22—° 《    — 5  《根据本条第1款～】第4款设计的—锥形暗室测量—距，离L1应满》足本规范表6—.0：.，7的远场条件—    ！ 6  6》GHz？及以：上，。频段的锥形暗室应】符合自由《空，间电波传播幅—度与相？位的均匀《性要求 》 6.0.9！  正多《边柱体暗室尺—寸应符？合，下列规定 】     1【  内？壁内切？圆半径R应》。按下式计算 【 R≥L1＋！R，2，＋R：3＋R4   【  ： （：6.：0.9-《1）  ！   式中L—1测量距《离按本规范表—6.0.7》计算对？于1-1《、2-1《、3-2类》远场测量暗室当天】线口面？内电磁波相位偏差要！求小：于或等于λ/8【时，K值取2《对于：2-2类《暗室K？值可小于《2； ？ 》         ！ R2？测量系统《设备：与受试设备沿半径方！向的长度之和—；， ？ ？ ，  ： ，      R3满！足运输、维护和辐】射特：性需要在半径—方向的空间》尺寸； 》 ：       】    R4吸波】材料的总高度 【  —   2  高【度应按本规范—式（6？。.0.7-3）计】算 》 6.0.10】  雷达截面紧缩】场微波暗室（3【-，1类暗？室）尺寸应与—。要，求的静？区尺寸？、测量系统布局【、操作？维，护空间相《协，调匹配 【。 6.0.1【1 ： ，除本规范表》4.0.1中1-】2、1-3、2-】2、：3-1、《3-2、4-—1类：暗室测量系统—在高度方向布局【另有要求外其—他暗室内部》测量系统应对—称布：局 【6.0.1》2 ： 暗室静《。区范围尺寸应—大于：受，试设备试验》状态：中，所覆盖的《区域  》