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16 半—。。导体材料厂车间【电力设计《
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16．0．！1 ？本，章，适用于半导》体硅、锗和化合物材！。料生：产厂的多《晶、单晶及片—加工生产《车间：电，力设计？
16．！0．2 三—氯，氢硅合成炉和多晶硅！氢还原炉的高压启】动设备仅在启—。动时短？时工：作可不参与负荷【计算和无功功率【补偿计算
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16．0．3 ！三氯氢硅合成炉工频！感应线圈的》计算宜采《用实：验曲线？法计算方法见本【规范附录《G
16！．0．4《。 三？氯氢硅合成》、精馏提《纯、四氯化》硅氢化、氢还原及尾！气回收装置等控【制系统的电》力设计应与仪表专】业统一？考虑使控制》检测装置协调一【致电：控及仪表监测设备应！集中安装在同一控制！。室内控制室应正压】通风
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16．《0．5 》多，晶硅氢？还原炉的《高压启动设备—或硅芯预热装置常压！供，电设备和切换—开关可集中安装在同！一电气室《。内当采用《充油式供电设—备时其？防火要求《应符合本规范—第3．8节的有【关规定？
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，16．0．6— 多晶硅氢—还原炉电气室应与多！晶硅氢？还原炉？室，相毗邻两室之—间严禁开设门—窗及其他孔》洞，电源线穿越》墙和楼板的地方应进！。行严密封《堵与电？气室无关的管—道严禁通过电气室必！须通过时应采取隔离！措施
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1《6．：0．7 多晶【硅，氢还原炉的控制【室与电气室之间应设！置便于联系的通道】
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16．0．【8 ： ，多晶硅氢还原炉【用硅芯生《产时在控制室—、电：气室和多晶硅氢还】原炉室均《应设置声《光，信号：电气室应装设有【电气联锁《。的安全门《门上：应设标志灯》高压启动《前应有报警》信号并自动锁门高压！启，。动后自动解除
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16．0．9 】 当单晶和多晶【车间的主要用电设备！为单相负荷时供电】变压器的中》性，线截面应《与相线截面》相同供电变压器【的接线组别应采用】Dyn？11
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16？．0．10 每】台单晶炉和》区熔炉附近均应设】开，关箱箱内应设向主】回路和控制回路【供电的刀开关及【一定数量的检修插座！
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16．0．1】1 ： 单晶炉《、区：熔炉及物《理测试仪表应—由同：一台变？压器供？电；物测室》的供电电源尚应采】取稳压？措施
1！6．0．12 】高频区？熔炉和外延生长【炉均应装设电—源滤波器并应符合下！列规定
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【。 1 滤波器应】安装在屏《蔽，室外墙上便于接【线的地？方
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】。 2 滤波—器，外壳接地和屏蔽【室接地应共用一【套接地装置》
【 3 接地装！置应采用镀锌铜板制！作其面？积宜为？1m：2，。～，2m2厚《度宜为5《mm
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— 4 镀锌铜板！应立埋于地下上端】。距，地面不应小于2m】
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《 ：。5 接地线的【长度严？禁小于1《。/4工？作波长？或1/？4工作波长的—奇数倍
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16—．0．1《3， 未？装设屏蔽设施的【区熔室？内由滤波器至—用电：设备的线路》。应进行屏蔽
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1—6．：0．14 每【台区熔？。炉均应设置一个独立！的槽路接地》装置：该装置？应设：置在：区熔炉的地下—距，槽路最近的地—方接地装置的形式】和要：求应符合本规范第】16．0．12条】第3款、第4款【的规定
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16．0．1】5 ： 氢还原炉、单【晶炉、区《熔炉和？外延炉当冷却水【断，水，时应切断电源并应有！信号：显示
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16【．0．16 【物测：室的电？。源进线？处应装？设，电，源滤波器；电源滤】波器外？壳，与屏蔽室接》地应：共，用一套接《地装置？并一点接《地接地装置的形【式和：要求：应符合本规范第16！．0：．12条《第3款、第》4款的规定》
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16．0》．17 物测【室，的，电力和？照明电源均应从滤波！器后引？接物测室《的照明光源宜采用】白炽灯
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16．0．1！8 穿越屏蔽室】的电力、照》明线路？在屏：蔽室内均应采取屏】蔽措施线路》的保护管《。或波：导管：在，穿越处？均应与屏蔽网（板】）做环路连续焊【接，
16．！。0．19 单【晶车间、《区熔室、物测室【及片加工生产的电】力设计除应》符合本章规定外【尚应符合现行国【家标准？。洁净厂房设计—。规范：G，B 50073的】有关：规定
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