16 【 半导体材料厂【车间电力《。设计 ？ 》 16．》0．1  本章适】用，于半导体硅、锗【和化合物材料生产】厂的多晶、单晶【及片加？工，。生产车间电力设计】 《 16．0．【。2  ？三氯氢硅合成—。炉和多晶硅》氢，。还原炉的高压启【动设：备仅在启动时短【时工作可不参与负荷！计算和无功》功率补偿计算 【 ， 16．0】．3 ？。 三氯氢硅合—。成炉工？频感应？线圈的计算宜—采用实验曲线—法计算方法见—本规范附录G 】 16．0】．4  三氯—氢硅合成、》精馏提？纯、四氯化硅—氢化、氢还原及尾】气回收装置等控制】系统的电力》设计应？与，仪表专业统》一考虑？使控制检测装置【协，调一：。致电控及仪》表监测？设备应集中安装【在同一控制室内控】制室应正压通—。风 【16．0．5  多！晶硅氢还原炉的高压！启，动设备或《硅芯预热装置常压】供，电设备？和切换？开关可集中安装【在同一电气室内当采！用，充油式供电设—备时其防火》要求应符《合本规范《第3．8节的—有关规定 ！。 16．0．6  ！多晶硅氢《。还原炉？。电气：室应与多《晶硅氢还原炉室【相毗：邻两室之间严禁开】设门窗？及其他孔洞电源线穿！越墙和楼板的地方】应进：行严密封堵与电气】室无关的管道严禁通！过电气室必须—通过时？应采取隔离》措施 《。 《。16．0．7 【 多晶硅氢还原炉】的控制？室与电气室之—间应设置便》于联系的通道— 》。 16．0．—8  多晶硅氢还】原炉用硅芯生产时】在控制室、电气【室和多晶硅氢—还原炉室均应—设置声光信号—电气室应装设有电气！联锁的安全门门上】应设标志灯高压启动！。前应有报警信号并】自动锁门《高压启动后自动解除！ 16】．，0．9  当单晶】和多晶车间的主要】用电设备为单—相负荷时供电变压】。器，的中性线截》。面应与相《线截面？相同：供电变压《器的接线组别—应采用Dyn—11 1！。6．0．10 【 每台单晶炉和【区熔炉附近均应【设，开关箱箱内应设向主！回路和控制》回路：供电：。的刀开关《及一定数量的—检修插座《 16．！0．11  —单晶炉、区》熔炉及物理测试仪】。表应：由同一台变压器【供电；物测室—。的供电电源尚应【。采取稳压《措施： 1【6．：0．：12  《高，频区：熔，炉和外延生长炉均应！装设电源滤波器并应！。符合下列规定 【 ：     【1，  滤？波器应安装》在屏蔽？室外墙上便于接线】的地方 —  《。 ，  2  滤波器】外壳接地和屏蔽【室接地应《共用一套《接地装？置  】  ：。。 3  接地装【置应：采用镀锌铜板制作】其面：积宜：。为1m2～2m【2厚度宜为5mm ！ ：  《   4《  镀锌铜板应立埋！于地下上端》距地面不应小于2】m 》 ： ，   5《。  接地线的—长度严禁小于1/4！工作波长《或1/4工作波长的！奇数：倍 — 16．《0．13《。  未装设屏—蔽设施的区熔室内】由滤：波器至用电设备【的线路应进行屏蔽 ！。 16．0！。．14  每台区】熔炉均应设置一个独！。立的槽路接》地装置该装》置应设置在区熔炉的！地下距槽《。路最近的地》方，接地：装置的形式和要求应！符合本规范第16】．0：．1：2条第3《款、：第4款？的，规定 ？ ： 16》．0．15》  氢还原炉、单】晶炉、区熔》炉和外延炉当冷【却水断？水时应？切，断电源并应有信【。号显示 》 16．0．！16  物》测室的？电源：进线处应《装设电源滤》。波器；电源滤波器外！壳与屏蔽室接地应共！用一套接地装置并一！点接地接地装置【的形式和要》求，应符合本规》范第：16．0《．12条第3—款、第4款的规定】 》 16．0》．17  物测室的！电力和照明电—源均应从滤波器【后引接？物测室？的，。照明光源宜采用白】炽灯 —。 16．0．1】8  穿越屏蔽【室，的电力、照明—线路在屏蔽室内均应！采取：屏蔽措施线路的保】护管或波导管在穿越！。处均应与屏蔽网【（板：），做环路？连续：焊接 】。16．0．1—9  单晶车间、区！熔室、物测》室及片加工生产的】电力设计除应符【合本章？规定：外尚应符《合现行国家标—准洁净？厂房设计规范GB】。 50073的有】关规：定 ？