， 16》  半导体材料厂】车间电力设计 ！ ？ 16．0．【1  本章适—用于半导体硅—、，锗和化合物材料生】产厂的多晶、单晶】及片加工生产车间】电力设计 》 16【．0：．2  三氯氢硅合！成炉和多晶硅氢【还原炉的高压启动设！备仅在启动时短【时工作可《不参与负荷》计算：和无功功率补偿【计算 1！6．0．3 — 三氯氢硅合成【炉工频？感应线？圈的计？算宜采用实验—曲线法计算方法见】本规范附录G ！ 16．0【．4  《三氯氢？硅合成、精馏—提纯、四氯化硅【氢，化、氢还原及尾气】回收：装置等控制系统的】电力设计应与仪表】专业统？一，。考虑使控制检测装置！协调一致电控及【仪，表监测设备应集中】安，装在同一《。。控制：室内控制室应—正压通风 ！ 16．0．5【  多晶硅氢还原】炉的：高压启动设》备或硅芯《预热装？置常：压供电设《备和切换开关可集中！安装在同一电气室】内，。当采用？充油式供电》设备：时其防火要》求，应符合本规》范第3．8》节的有关规定 【 16．】0．6  多—晶硅氢还原炉电气室！应与多晶硅氢还【原炉室相毗邻两室之！间严：禁开设门《窗及：其他：孔洞电源线穿越【墙和楼板的地方应进！行严密封《堵与电气室无关【的管道严《禁通过电气室必须】通过时应采取隔离】措施 】16：．0．7  多【晶硅氢还原》炉的控制室》与电气室之间应设置！便于：联，系的通道 【 16．0【．8  多晶硅【氢还原？炉用硅芯生产时在】控制室、电气室和多！晶硅氢还原炉室均应！设置声光《信号电气室应装【设有电气联锁的安全！。门，门上应设标志灯高压！启动前应《有报警信号并—自，动锁门高压启动后自！。动解：除， 16．！0．9  当—单晶：和多晶车间的主要用！电设备为单相负【荷时供电《变压器的中性线【截面应与相线截面】相同供电变压器【。的，接线组别应采用Dy！n11？ 1【。6．：0．10 》。 每台？单晶炉？和区熔炉附近均应】设开关箱《箱内应设向主回【路和控制回路供电】的刀开关《及一定数量的—检修插座 】 1？6．0．11—  单晶炉》、区熔炉及》物理测试《仪表应由同一台【。变压：器，供电；物《测室的供电电源尚】应采取稳压措—施 《 ：。 16．0．1【2  高频区—熔炉和外延生长炉】均，应装设电源滤波【器，并应符合《下列规定《 —    1  滤】波器应安装在屏【蔽室外墙上便于接线！的地方？ 《     2  ！滤波器外《壳接地和屏》。蔽室接地应》共用一？套接：地，装置 《   —  ：3  ？接地装置应》采用镀锌铜板制作】其面积宜为1m【2～2m2厚—度宜为5《mm 】。    4  【镀锌铜板应立埋【。于地下上端距地面不！应小于？2m 】    5  【接地线的长度严禁】小，于1/4工作波长或！1/4工作波长【的奇数倍 【 16．0【．13  未装【设屏蔽设施的区【熔，。室内由？滤波器至用》电设备的线路应进行！屏蔽 】16．0．14 】 每台区熔炉—均，应，设置一个独立的槽】路接地装《置该装置应》设置在区熔》炉的地下距槽路【。最近的？地方接地装置的形式！和要求应符合本规】范第16．》0．12条第3【款、第4款的规定】 《 ：1，6．0．15  】氢还原炉《、，单晶：炉、区熔炉和外【延炉当冷却水断水时！应切断电《源并应有信》号显示 】 16．0．—16  物测室【的电源？进线处应装设电源滤！波器；电源滤波器】外壳：与屏蔽室接地应共用！一，套接地装置并一点接！地接地装置的形式】和要求应《符合本？规，范第：16．0《．12条第3款、第！4款的？规定 】16．0．17  ！物，。测室的？电力和照明》电，源均应？。从滤波器《后引接物测室的【照明光？源宜采？用白：炽灯 《 16．0．！18  穿越屏【蔽室的电力、照明线！。路在屏蔽室内—均应采取《。屏蔽措施线路—的保护管或波—导管在穿越处—均应与屏蔽网（板】）做环路连续—焊接 【 16．0．19】  单晶车间、【区，熔室、物测室—及片加？工生产的《电，力设计除《应符合？本章规定外尚应符】合现行？国，家标：准洁净厂房设—计规范GB 5【0073的有关【规定： ：