？ 16 《。 ，半导：体材料厂车间电力设！计 》 16．【0．1？  本章适用—。于半导体硅、锗和化！合物材料生产厂【的多晶、单晶—及片加工生产车【间电力设《计 【16．？。0．2  三氯氢】硅合成炉和多晶硅】氢还原？炉的：高压启？动设：备仅在启动》时，短时工？作可不参与负荷【计算和无功功率补】偿计算 ！16．0．3  】三氯：氢硅合成炉》工频感应线圈的计算！宜采用实验曲线【法计算方法见本规】范附：录G： 《 16．》0．4 《。 三氯氢硅合成、精！馏提纯、四氯—化硅氢化、氢—还，原及尾气回收装置等！控制系统《的电力设计应与【仪表专业统一考【虑使控制检测—装，。置协调一致电控及】。仪，表监测设备应—集中安装在同一控】制室内控制室—应正压通风 【 ： 16．0．5 ！ 多晶硅《氢还原炉的高—压，启动设备或硅芯【预，热装置常压供—电设备和切换开关可！集中安装在》同一电气室》内，当采用充油式—供电设？备时其？防火要？求应：符合本规范第—3．8节的》有关规定《 ， 16．】。。0．6？  多晶硅氢还【原炉：电气室应与多—晶硅氢还原炉室相毗！邻两室之间严—禁，开设门？窗及其他孔》洞电源线穿越墙【和楼：板的地方应》进行严密封》堵与电？气室无关《的管道严禁通过电气！室必须通过时应采取！隔离：措施 》 ， ：16．0．》7  多《晶硅氢还原炉—的控制室与》电气室之间应—设置便于联系的通】。道 ： ， 1》6．0？．8  多晶硅氢还！原炉用？硅芯生？产时在控《制室、电气》室和多晶硅》氢还原炉室均应【设置声？光信号？电，气室应装设》有电气联锁的安全】。门门上应设标志灯】高压启动前应有【报警信号并自动锁门！高，压启动后自动—解除 》 16．0．】9  ？当单晶和多晶车间的！主要用电设备为单】相负荷时供电变【压器：的中性线截》。面应：与相线截面相同【供，电，变压器？的，接线组别应采用D】yn11 — ，。。 ？16．？0．10 》 每：台单晶炉和区熔【。炉附近均应设开关箱！箱内应设向主—回路和控制》回路供电的刀开【关及一定数量的检修！插座 1！6．0．11  】单晶炉、区》熔炉及物理》测试仪表应由—。同一台变压器供电；！物测室的供》电电源尚应》采，取稳压措施 ！ 16《．0．1《2  高频》区熔：。炉，和外延生长炉均【应，装设：电源滤波器并—应符合下列规定 】。 ？ ，   ？。 ， 1  滤波器【应安装在屏蔽室【外墙上便于接—线的地方 ！   ？  2？  滤波器外壳接】地和屏？蔽室接地应》共用一套接地装【置 《     【3  接地装—置应采用镀锌—铜板制作《其面积宜为1m2～！2m2厚《度宜为5mm ！。    — 4  镀》。锌铜板应立埋于地】下上端距地面不应小！于2m？ 》   ？。  5  接地【线的：长度严禁《小于1？。/4工作波长或1】/4工作波长的【奇数倍 【 16《。．，0，．13  未装【设屏蔽设施的区熔】室内由滤《波器至？用电：设备的？线路应进行屏—蔽 16！．0．？1，4  每台区熔炉均！应设：置一：个独立的《槽路接地装置—该装置应设置—在区熔炉的地下距槽！路最近的地方接【地装置的形》式和要求应符合本】。规范第16．0【．12条第3—款、第？4款的？规，定 【16．0．15 】 氢还原炉、单晶】炉、区熔炉和外【延炉当冷却》水断水？时应切断电源并【应有信号显示 ！ 16．0．】16  物测—室的电源进线—处应装设《电源滤波器；—电源滤波器外壳与屏！蔽室接地应共用一套！接地装？置并一点接地—接地装置的形—式和要？求，应，符合本规范》第，。16．0．12条】第3款、第4—款的规定《 ？ ，。 ：1，6．0．17  物！。测室的电力和—照明电源均应从【。滤波器后引接—物测室的照》明光源宜采》用白炽灯《 ： 1》。。6．0．1》。8  穿越》屏蔽室的电力、照】明线路在屏蔽—室，。内均应采取屏蔽措施！线路：。的保：护管或波导管—在穿越处均应与屏】蔽网（板）做环路】连续焊接 】 16．0．19！  单晶《车间、区熔室、物】测室及片加工生产】的电力？设计除应符》合本章规《定外尚应符》合现行？国，家标准？洁净厂房设计规范G！。B 50073的】有关规定 —