《1，。6，  半导体材—料厂车间电力—设计 》 16．】0．1  本章适用！于半导体硅、锗和化！合物：材料生产厂的多【晶、：单晶及片加》工生产车《间电力设计 — ，。 ， 16．—0．2  》三氯氢硅合成—炉和多？晶硅氢还原炉的【。高，压启动？。。设备仅？。在启动时短时工作】可不参与《。负荷计算和无功功】率，。补偿计算 ！ 16．0》．3  三氯氢【硅合成炉工》。频感应线圈的计【。算宜采用实验曲线法！计算方法见》本规范附录G 【 16【．0．4《  三氯氢硅合成】、精馏提《纯、四？氯化硅氢《化、氢还原及尾气回！收装置等控制系统】的电力设计应与【仪表专业统一考虑】使控制？检，测装置协《调一致？电控及仪《表监测设备应集中】安装在同一》控制室内控制室应正！压通风 《 ？ ， 16．0．—5 ： 多晶硅氢》还原：炉的高压启》动设备或《。硅芯预热《装置常压供电设备和！切换：开关可集中安装【在同一电气》室内当采《用充油式供电—设备时其防火—要，求应符合本规范第3！．8节的有关规【定 ？ 《16：。．0．？6  多晶硅氢【还原炉电气室应与】。多晶硅？氢，还原：炉，室，相毗邻两室》之，间严禁开设》。门窗：及其他？孔洞：电源线穿越墙和楼】板的地方应进行严密！封堵与电气室无关的！管道严？禁通过电气室必须】通过时应采取—隔离措施 》 》。16．0．7 【 多晶硅氢还原炉】的控制室与电—气室之间应设—置便：。于联系的通道 ！ 16．0．】8  多晶硅—氢还原炉用硅芯生产！时在控制室、电气】室和多？晶硅氢还《。原炉室均应设置声光！信，号电气室应装设【有，电，气联锁？的安全门门上应设】标志灯高压启—动前应？有报警信号并自动】锁门高压启动后【自动解除 】 1？6．0．《9  当单晶和多晶！车间：的主要用电设备【为，单相负？。荷时供电变压—器的中？性线截面应与—相线截面相》同供电变压器的接线！组别应采用》Dy：n11 【 16《．0：．10 《 每台单晶炉和区】熔炉附近《均应设开关箱箱内应！。设，。向主回路《和控制？回路：供电：。的刀开关《及一定数量的检【修插座 】 16？．0．11 — 单晶炉《、区熔炉及物理测试！仪表应？由同：一台变压器供—。电；物测《室的供电《电源尚应采》取稳压措施》 ： ， 16．—0，。．1：。2  ？高频区熔炉和外延】生长炉均《应装设电《源滤波器《并应符合下列规【定， ：     】。1  滤波器应【安装在屏蔽室—外墙上便于接线的地！方  】   2  滤【波器外壳接地—和屏蔽室接地应共用！一套接地装置 【    】。。 3  接地装置】应采用镀锌铜板制】。作其面积《宜为1m《2～2m2厚—度宜为5mm 】 ？     4 【 ，镀，锌铜板应立埋于地】下上端？距地面？不应小于2m ！     5】 ， 接地线的长度严禁！小，于，1/4工作波长或1！/4工作波长的奇】数倍 1！6．0．13—  未装设屏蔽设】施的区熔室内—由滤波器至用—电设备的《线路应进行》屏蔽 【 16？．0：．，。14  每》。台区熔炉《。。。均应设？置一个独立的槽路接！地，装置该装置应设置在！区熔炉的地》下距槽路最近的【地方接地装》置的形式和》要求应符合本规【范第16．0．【12条第3款、【第4款的规定 】 16—．0．15  氢】。。还原炉、单晶炉、】区熔炉？和外延炉当冷—却水断水时应切【。断电源？并应有信号显示【 16．！0．16  物测】室的电源进线处应装！设电源滤波器—；电源？滤波器外壳与屏蔽】室接地应共用一套接！地装置？并，一点接地接地装置的！形，式和要求应符合本】。规范第16．0【。。。。．，12条第3款、【第4款的规定 】 16．0．！17  物》测室的电力和—照明电？源均应从滤波器后引！接物测室《的，照，明光源？宜采：。用白炽灯 ！ 1：6，。．0．18 — ，穿越：屏蔽室的电力—、照明线路在屏【蔽室内均《应采取屏蔽措—施线路的保护管或】波导管在《。。穿越处？均应与屏蔽网（板】）做：环路连续焊》接 【16．0．19 】 单晶车间》、区熔室、物测室及！。片加工？生产的？电力设？计除应？符合本？章规定外尚应符合】现行：国家标准洁净厂【房设计规范GB【。 50073的有】关规定 》