16 【 ，半导体材料厂车【间电：力设计 ！ 16．》0．1  本章适用！于半导？体硅、锗和化合物材！料生产厂的多晶、】单晶及片加工生【产车间电力设计【。 》 16？．0．2  三氯】氢硅合成炉和多【晶硅氢？还原炉的高》压启动设备仅在【启动：时短时工作》可不参与《。负荷计算和无功功率！补偿计算《 16】．0．3  三氯】。氢硅：合成炉？工，。频感应？线圈的计算宜采【用实验曲线法计【算方法见本规范附录！G 》 16《．0．4  三氯】氢硅合成、精馏提】纯、四氯化》硅氢化、氢还—原及尾？。气回收装置等控【制系统的电力设【计应与仪表专业【统一考虑使控制【检测装置协调—一致电控及仪—表监测设《备应集中安装—在同一控制室内控】制室应正压通—风 ： 1—6．0．5  【多晶：硅氢还原炉》的高压启动设备【或，硅芯：预热装置常压供【电设备和切》换开关可集》中安装在同一—电气室内当采—用充油式供电设备】时其防火要求—应符合本规范第3】．，8节的有关规定 】 1—6．0．6  多晶！硅氢还原炉电气【室应与多晶硅氢还】。。原，炉室相毗邻两室【。。之间严？禁开设门窗》及其他孔洞电源线】穿越墙和楼》板的：地方应进行严密【封堵与电《。气，室无：关的管道严禁通过电！气，室必须通过时—应采：取隔离措施 ！ 16．0．7】  多晶《硅，。氢还原炉的控制室与！电，气室之间应设置便】于联系的通》道 》 16．0．8 ！ 多晶硅氢还原炉用！硅芯生产时在控制】室、电？气室和多晶》硅氢还原炉室均【应，设置声光信号电【气室应装设有电【气，联锁的安全门门上】应，设标志灯高压—。启动前应《有报警信号并自动锁！门高压？启动后自动》解除 — 16．0．9 ！ 当单晶和多晶车】间的主要用》电设：备为单相《负荷时供电变压器】的中：性线截面应》。与相线截面相同【。供电变压器的接线组！别应采用D》。yn：11 》 ？16．0．10 】。 每台单晶》炉和区熔《炉，附，近均应设《开关箱箱内》应设向？主回路和控制回路】供电：的刀开？关及一定数量—。的检修插座 — 》1，6．0．1》1  单晶炉—、区熔炉《及物理测试仪—表应由？同一台变压》器供电？；物：测，。室的供电电源—尚应：采取稳？。压措施？ 》。。 1：。6．：0．12  高【频区熔炉和外延【生，长炉均应装设电【源，。滤波器并应符合下列！规，定 ？   —  1 《 滤波？器应安装《在屏蔽室《外墙上便于》。接线的地方 【  》   2 》 ，滤，波器外壳接地和屏蔽！室，接地应共用一套【接地：。装置 【     3  接！地装置应采用镀锌】铜板制作其面—。积宜为？1m2～2》m2厚度宜为5m】m 【    4  镀锌！铜板应？立埋于地下上端距】地面：不应小于《2m 《。    【 5  《接地：线的长度严禁小于】1/4工作波长或】1/4工作》波长的奇数倍 【 《 16？．0．13》  未装设屏蔽【设施的区熔室内由】。滤波器至用电设备】的线路应进》行屏蔽？ 《。 1？。6．0？．14  每台【区熔炉均应设—。置一个独立的槽【路接地装置》该装置应设置—在区熔炉的》地下距槽路最近【的地方接地装置的】形式：。和要求应符合本【规，范第：16．0．12【条第3款、》第4款的《规定： ， ， ？ 1：6．0．《15  氢还—原炉、单晶炉、【区熔炉和外延炉【当冷却水断水时应切！断电源并《。应有信？号，显，示 ？ 16．【。0．16  物【测，室，的电：源进线处应装设电源！滤，波器；电源滤波【器外壳与《屏蔽：室接地应共用—一，套接地装置并一点接！地接地装置》的形式和要求应符】合本规范第16【。．0．12条第3】款、：第4款的规定 】 16．0．！17  《物，测室的电《。力和照明电源均【应从滤波器后—引，接物测室的照—明光源宜《。采用白炽灯 ！ 1？6．0．《1，8  穿越屏蔽室的！电力、照《明线：路在屏蔽室内均应采！取屏：蔽措施线路的保护管！或波导管在穿—越处均应与屏蔽【网（：。板）做环路》连续焊接 】 16《．0．19》  ：单晶车？间、区？熔室、物测室及片加！工生产的《电力设计除应符【合本章规定》外尚应符合现—行国家标准洁净【。厂房设计规》范G：B 50073的有！。关规定 》