16  半！导，体材料厂车间电力设！。计 】。。 16．0．1 】 本章适用》于半导体硅》、锗和？化合物材《料生产厂的》多晶、？单晶及片《加，工生产车间》电，力设计 【 1？6．0．2 — 三氯氢硅合成炉和！多晶硅氢还》原炉的？高压启动设》备仅在启动时短时】。工作可不参与负【荷计：算和无功《功，率补偿计算》 ： ，。 16．0．】3  三氯氢—。硅合成炉工频感应线！圈的计算宜采用实】验，曲，线法计算方法见本规！范附录G 【 ？16．0．4—  三氯氢》硅，合，。成、精馏《。提纯、？四氯：化硅氢化、》。氢还原及尾》气回收装置等—控制系统《。的电力设计应与仪表！专业统？一考虑使控制—。检测装置《协调一致电控及仪】表，监测设？备应集？中安装在同一—控制室内《控制室应正》压，通风 1！6．：0．5 《 多晶硅氢还原炉的！高压启动设备或硅】芯预热装置常压供电！设备和切换开关可集！中安：装在同一电气室内当！采用充油式供—电设：备时其防火要求应符！合，本，。规范第3．8—。节的：。有关规定 》 16．】0．6  多晶硅】氢还原炉电气室【应与多晶硅》氢还原炉室相毗邻】两室：之间严禁《开设门窗及》其他：孔洞电源线穿越【墙和楼板《的地方应进行—严密封堵与电气室】无关的管道严禁通】过电气室《。。。必须通过时应采【取隔离措施 — 》16．0．7  】。多晶硅氢还原炉【的控制？室，与电气？室之间应设置便【于，联系的通道 【 ？ 16？．0．？8  多晶硅氢还原！炉用硅？。芯生产时《在控制室、电气室和！。多晶硅氢还》原炉室均应》设置声光《信号电气室应装设有！电，气，联锁的安全》。门门上？应设标志灯高—压启动前应有报警信！号并自动锁》门高压启动后自动解！除 》 1？6．0．9  当单！。晶和多晶车间的主】。要，用电设备为单相【负荷时供电变压器的！中性线截面应与【相线截？面相同供《电变压器《的，接线：组别应采用Dyn1！1 》 1？6．0．1》0，。  ：每，台，单晶炉和区熔炉附】近均应设开关箱箱】内应设向主》回路和控制回路供】。电的刀开关及一定数！。量，的，检修插座《 16】．0．11  单晶！。炉、：区熔：炉及物理《测试仪表应由同【一台：变压器供电》；物测室的供电【。电源尚应采》取稳压措施 【 16．0．！12 ？ ，高频区熔炉和外【延生长？炉均应？装设电源《滤波器并应符合下列！规定： ：     】1 ： 滤波器应安装在屏！蔽室外墙《上便于？接线的地方 【     2！  滤波器外壳【接地：和屏：。蔽室接？地应：共用一套接地装置】 ：。 ，  《   3  接【地装置应采用—镀锌铜？板，制作：其，面积宜为1m—2～2m《2厚度宜为5mm】 ：    【 4  镀锌铜【板应立埋于地下【上端距地《面不应小于》2m 【 ，    5  接地！线的长？度严禁小于1/4工！作波长？或1/4工》作波长的奇》。数倍 】16：．0．13  【未装设屏蔽设—。施的：区熔室内《由滤：波器：至用电设备的线路应！进行：屏蔽 — 16．0．1】4  每台区熔【炉均应设置一个独立！的槽路接地装置该】装置应设置在区熔】炉的地下距槽路最】近的地方接地装置的！形式和要求应符【合本规范第16．0！．12条《第3款、《第4款的规》定 【16．0．》15  氢还原【炉、单？晶炉、区熔炉和【外延：。炉当：。冷却水？断水：。时应切？断电源并应有信号显！示 《 16》．0．16  【物测室的《电源进线处》应装设电源滤波器】；电：源滤波器外壳与屏蔽！室接地应共用一套】接地装置《。并一点接《。地接地装《置的形式和》要求应符合本规范】。第16．《0．12条第3【款，、第4款的规定 】 》16．0．》1，7  物测》室的电力和照明电源！均应从滤波器后引接！物测室的照明光源宜！采用白炽灯》 》 16．《0．18  穿越屏！蔽室的电《力、照明线路在屏蔽！室内均应《采取屏蔽《。措施线路的》保护管或波导管在】穿越处均应与—屏蔽：网（板）做环路连】续焊接 — ： 16？．0：．，19  单》晶车间、区熔—室、：物测：室及片加工生产的】电力设？计除：。应符合本章规定外尚！应符合现行国家标准！洁净厂房设》计规范GB 500！73的有关》规定 《