《16：。  半导体材料厂车！间电力？设计 》 ， 16—．0．？。1  本章》适用于半导》。体硅、锗和》化合物材《料生：产厂的多晶、单【晶及片加工生产车间！电力设计 【 ， ， 16．0．—2  三氯氢硅合成！炉和多晶硅氢—还原炉的高压启动设！备仅在启动时短时工！作可不参与负荷计算！和无功功率补—偿计算 】 16．《0．3  三—氯，。氢硅合成炉工—频感应线圈的计算】宜采用实《验曲线？法计算方法见本【。规范附录G — ： ：。 16．0．4 】 三氯氢硅合成、精！馏提纯、《四，氯化硅？氢化、氢还原及【尾气回收装置—等控制系统的电力设！计应与仪《表专业？统一考虑使》控制检测装置协【调一致电控及仪表】监测设？备应集？中安装在同一控制室！内控制？室应正压通》风 》 16．0．【5  多晶硅氢还】原炉的高《压启动设《备或硅芯《预热装？置常压供电设—。备和切换开关可集】。中安装在同一电气室！。内当采用充油式供】电设备时其防火要求！应符合本规》。范第3．8节的【有关规定 》 16．】0．6  多—晶硅氢还原炉电气】室应：与多晶硅氢》还原：炉室相毗邻两室【之间严禁开》设门窗及其他孔洞】。电，源线穿越墙和楼板的！地方应进行严密封】堵与电气室无—关，的管道严禁通过【电气室必《须，通过时应《采取隔离措》施 16！．0．7  多【晶硅氢还原炉—的控制室与电气【室之间应设置便【于联系的通道 】 1》6．：0．8  多—晶硅氢还原炉用硅】芯生：产时在？控制室、电气—室和多？晶硅氢还《原炉室均应设置声】光信号电气室—应装设有电》气联锁？的，安全门门上应—设标志灯高压启动前！应有报警信》号并自动锁门—高压启动后自动解】除 1】6．：0．：9  当单晶和多晶！车，间的主要用》电设备为《单相负荷时》供，电变压器的中—性，。线，截面应与《相线截面相同—供电变压器的接【线组别应《采用Dyn11 ！。 16．0】．10  每台单】晶炉和？区熔炉附《近均：应设：开，关箱箱内应设向主】回路和控制回路【供电的？刀开关及一定数量】。的，检修插座 ！ 16．0．11】  单晶炉、区熔炉！及物理测试仪—表应：由同一？台变压器《供电：；物测室的供电【电源尚应采取稳【压措施 《 16【．0．？12  高频区熔】炉和外延生》。长炉均应装设电【源滤波器《并应：符合下列规定 ！   》  1  滤波器】。应安装在屏》蔽室外墙上便于接】线的地方 ！     2 【。 滤波器外壳—接地和屏蔽室—接地：应共用？一套接地装》置   ！。  ：3  接地》装置应采用镀锌铜板！制作其面《。积宜为1《m2～2m2厚【。。度宜为5mm 】   —  4  镀锌铜】板应立埋《于地下上端》距地面不应小于【。2m 】    5》。  接地线的—长，度严禁小于1/【4工作？波长或1/4工作】波长：的奇数倍 — 《16．0．1—3，  未装设》屏，蔽设：施的区？熔室内由滤波器【至用：电设备的线》路应进行屏蔽 【。 ， 1》6．0．14 【 每台区熔炉均【。应设置一个独立【的，槽，路接地？装置该装《置应设置在区熔炉】的地下距槽路—最近的？地方接地装置的【形式和要《求应符？合本规范第16．0！．12条《第3：款，、，第4款的《规定 1！6，．0．15  氢还！原炉、单晶》炉、区熔炉和外【延炉当冷《却水断水《时应切断电源—并应：有信：号显：示 1】6．0．《16  物》测室的电源进线处】应装设？电源滤波器；电【源滤波器外》壳与屏蔽室接—地，应共用？。一套接地装置并【一点接地《接，地装置？的形式和要求应【。符合本规范第16】．0．12条第3】款、第？4款的规定 — 16．0！．17  物—测室的电力》和照明电源均—应从滤波器后引接】物测室的照》。明光源宜采用白【炽灯 — 16．0—．，18  穿越—屏蔽室？的电力、照》明线路？在屏蔽室内均应采取！屏蔽措施《线路的保护》管或波导管在穿【越处均应与屏—蔽网（板《）做环路连续焊接 ！ ， 16．0．！19 ？ 单晶车《间、区？熔室、？物测室及片加—工生产？的电力设计除应符】合本章规《定外尚应符合现行】国家标准洁净—厂房设计规范GB ！50073的有【。关，规定 《