？。 附：录，C  发光二极管生！产的典型工艺流程 ！ ： C.2.！1 ： 采用金属有机【。。化学气相沉积设备在！衬底(如《Al2O《3、GaAs)【上做外延层(—Ga：NAlGaIn【P)和相应的—掺杂层如p-Ga】N层、n《-G：aN：层、p-Alx【GayIn1-x-！yP层？、，n-：。Al：xGay《In1？-x-yP层等按】照特定程序生长出符！合，设计：要求的外延层—(GaN《GaA？。s、A？lxGay》I，n1-x-》yP) 】 C.2.2  】。。管芯(芯片)生产】工艺流程包括光【刻、刻蚀、》减薄、划片、绷片、！扩片、测《试、分拣《等工艺 】     光刻通】。过一系？。列生产步骤》。在晶圆表面部分【区，域形成设《计所需的薄》膜保护层以便—。后续工序《进行选？择性蚀刻光》刻工艺主要包含匀胶！、烘干、曝光、显】影四个阶《段 》    》 ①匀胶在清洗后】的，外延片上涂覆—一层均匀的光刻胶 ！ ， ？ ，    《②烘干？在一定条件下烘【烤除去光刻》胶中的溶剂增强黏】附性；释《。放光：刻，胶膜内？的应力？；防止光刻胶玷【。污设备 —  《   ③曝光—在掩模版的遮蔽下对！光，刻胶进行选择性【曝光使光刻胶—发生化学反应整【个晶面？的光刻胶薄膜由【起交联反应部分【与未起交联》反应部分组成 】     】。④显影采用特定【化学溶剂《去除起交《联反应部分光刻胶】或去：除未起交联反应部】分光：刻胶在晶圆表面部】分区域形成设计【。所需的薄膜保护【层 —   ？。  刻？蚀刻蚀技术分—为干法刻《蚀和湿法刻蚀—；刻蚀的目》的是将光刻后暴露】的保护？层去除使《下面的基质层—暴露出来 【 ？    ①干—法刻蚀利《用，低压放电产》。。生的等离子体中的离！子或游离基》(处于激发态的分子！、原子及各》种原子基团等)【与材料发生化学反】应或通过轰》击等物理作》用，选择性？腐蚀基材的过—程刻蚀气氛通常含有！F、Cl等离子体或！碳等离？子，体因：此刻蚀气体通—常使用CF4、Cl！2，、B：Cl3这一类的气】体 ？。    【 ②：湿法刻蚀通过化【学反应的方法对【基材腐蚀《的过程根据不—同的工艺《要，求而选？择不同的刻蚀—。剂最常用的是以氢】。氟酸、？盐酸、硫《酸、硝酸等》和纯水配成的刻蚀】液刻蚀完成后要用酸！、，碱和纯水《反复冲洗以》保证刻痕的清洁【 》     减薄【、划片？、绷：片、扩？片对于氮化镓(【或，砷化镓？)的衬底先将已【制，作好管芯的一—面用石蜡粘》合在：陶瓷盖？。上，。保护起来在减薄机】上用不同粒度—大小：的金刚？砂对：衬底进行减薄将减】薄后晶片粘》。在带黏性的薄膜上用！激光：划片机？划出或？用金刚？石锯片机切割出【每一个单独的管芯将！划片后的晶》。片在绷片机上—绷紧用适当的力量和！刀具击？打划：痕以：使基片在划痕—处裂开最后在扩片机！上将黏附衬底的薄膜！伸张使管芯与管芯】之间分离一定间距并！黏，附在薄膜上》 ，。 》    测试—、分拣在分拣机上】根据：不同的测试数据【按照：一定的？分类规？则对管芯进行分类 ！ C.【2，.3  《管芯(芯《片)封装生产工【。艺流程？包括装？片、金线键合、【。固化：、切筋 【。     装【片将发光二极管【芯片安装在》相应的支架位置上 ！ ？  ？   ？金线键合键合的目的！是将电极《引到发光二》极管芯片上完成【产品：内外引线的连接作】用 —     》固化对芯片》进，行包：封以产生器件—的光：。学和防护特》。性  】  ： ，切筋由于发光二极】管在生产中》是连在一起》的采用切《筋工艺切断》发光二极管支架的】连筋： ：