？ 附录C 》 发光二极管—生产的典型工—艺流：。程 ？。 C.2！.1  采用金属有！机化学气相》沉，积设备在衬底(【如Al2O3—、GaAs)上做】外延层(GaNAl！Ga：In：P，)和相应《的掺：杂层如p-GaN层！、n-G《aN层、p-Al】xGayIn1【-x-yP层—、n：-AlxGayIn！1-x-yP层【等按照特定程序生】长出符合设计要【求，的外延层《(GaN《GaAs、Al【x，Ga：y，In：。1-x-yP)【 C.2！.2  《管芯(芯片)生产】工艺流程包括光【刻、刻蚀、减薄【、划片、绷片、扩】片、测试《、分拣等工》艺 》     光【刻，通过一系列》生产步？骤在晶圆表面部分区！域形成设《。计所需的薄膜保【护层以便后续工序】进行选择性蚀—刻光刻工艺主要包】含匀胶、《烘干：。、曝：光、显？影四个阶段 【 ：     ①匀】胶在清洗后的外【延片上涂覆一层【均，。。匀的光刻胶 【 ？    《 ②烘干在》一，定条件下烘烤除去光！刻胶中的溶剂增强】黏附性；释放光【刻胶膜内《的应：。力；防止光》刻胶玷污设备—。 》   ？。  ③曝《光在掩？模版的遮蔽下—对光：刻胶进？行选择性曝光使【光刻胶发《生化学反应整—个晶面？。的光刻胶薄膜—由起交联反》应部分与未起交联】反应部分组成 】   — ， ④显影采》用特定化学》溶剂去除起交—联反应部分光刻胶或！去除未起交》联反应部分光—刻胶在晶圆表面部】分区域形成设计所】。需的薄膜保护层 ！。。   —  刻蚀刻蚀技【术分为干法刻—蚀和湿法刻蚀；【刻蚀的目的》是将光刻后暴—露的：保护层去除使下面】的基质？层暴露出来 【 《    ①》。干法刻蚀利用低压放！电产生的等离子【体中的离子或游离基！(，处于：激发态的分子—、原子？及各种？原子基团《等，)与材料发》生化学反应或通过】轰击等物《理作用选择》性腐蚀基材的过【程刻蚀气《氛通常含有F、C】l，等离子？体或碳等离子体【因此刻？。蚀气体通常使—用CF4《、Cl2、BCl3！这一类的气体 ！ ，    》 ②湿法刻蚀通过】化学反应的方法对】基材腐蚀的过程【根，。据不同的工艺要求】而选择不同》的刻蚀剂最常用的是！以氢氟酸、盐酸、硫！酸、硝酸等和—纯水配成的刻蚀液】刻蚀完？成后要用酸、—碱和纯水反复—冲洗：以保证刻痕的—清，洁  】 ，。  减薄《、划片、《绷片、扩片》对于氮化镓(—或，砷化镓)的衬底先】将已制作好管—芯的一面用石蜡粘】合，在陶瓷盖上》保护：起来：在减薄机《上用不同粒度大小】的金刚砂对》衬底进行减薄—将减薄？后晶片？粘在带黏性的薄膜】上用激光划》片机划出或用金刚石！锯片机切割出每一】个单独的《管，芯将划？。。片后的晶片在绷【片机上绷紧用适当】的力量和刀具击打划！痕以：。使基片在划痕处【裂，开，最后在？扩片：。。机，上，将黏附衬底的薄【膜伸张使管芯与管】芯之间分《离一定间《距并黏附在》薄膜上 ！    测试、分】。拣在分拣机上—根据不？同的测试数据按【。照一定的分》类，规则对管芯进—行分类 ！C.2？.3：。  管芯(芯片)】封装生产工艺流程包！。括，装片：、，金线键合《、固化？、切筋 — ：   ？  ：装片将？发光二极管芯—片安装在《相应：的支架位置上 ！。     【金线键合键合的【目，的是：将电极引到发光【二极：管芯片上完成—产品内外《。引线：的连接作用 ！   《  固化《对芯片进行包封以产！生器件的光学和防】护特性 ！   ？ 切：筋由于发光二—极管在生产中—是，连在：。一起的采用》切，筋工艺切断发光二】极管：。支架的连《筋 ？