《附录：C  发光》二极管生产的典型】工艺流程《 C！.2：.1  采》。用金属有《机化学气相沉积【。设备在衬底(—如Al2《O3：、GaAs)—。上做：外延层？(GaNAlGaI！nP：)，和相：应的掺杂层如p【-G：aN：层、n-Ga—N，层、：p-：AlxGayIn】1-x-《yP层、n-A【lxGayIn1】-x-y《P层等按照特定程序！。生长出符合设计要求！的，外延层？(GaNGaAs】、AlxGayI】n1-x-》y，P)： 》 C.2.2  】。管芯(芯《片)生产工艺—流程：。包括：光刻、刻《蚀、：减薄：、划片、绷片、扩片！、测试、分拣等【工艺 》 ，  ？ ，  光？刻通过一系列生产】步骤在晶圆》表面：部分：区域形成设计所需】。的薄膜？保护层以便后—续，。。工，序进行？选择性蚀刻光—刻，工艺主要包》含匀胶、烘干、【曝光、显《影四个阶段》 —    ①匀—。胶在清洗后的外延】片上：涂覆一？层均匀的光刻—胶，    ！ ②：烘干在？。一定条件下烘烤除去！光刻胶中的溶—剂增强黏附》性；释放光刻—胶膜内的应》力；防止光刻胶玷污！设备：    ！。 ，。。③曝光在掩模版的遮！蔽，下对光？刻胶进行选择性曝】光使光刻胶发—生化学反应整个晶】面的：光刻胶薄膜由起交】联反应部分与未【起交联反应部分组】成 》     —④显影采用特定化】学溶剂去除起交【。联反应部分光刻胶或！去除：未起交联反应部分】光刻胶？在晶圆？表面部分区域形成】。设，计所需的《薄膜保护层 【     刻！蚀刻蚀技术》分为干法刻》蚀和湿法《刻蚀；刻蚀》的目的是《将光刻后《暴露的保护层—去除使下面的基质层！暴露出来 】。     ①干法！刻蚀利用低压放【电产生的等》离，子体中的离子或游离！基(处于《激发态？的，分，子、原子及各种原】子基团等)与材料】发生化学反应或通】过轰击等物理作用】选择性？腐蚀基材的过程【刻，蚀气氛通常含有F】、Cl等离子—体或：碳等离子体因此刻蚀！。气体通常使用CF】。4、Cl2、—BCl？3这一类的气—体 《 ，  ？。。   ②湿法刻蚀通！过化学反应的方法】对基材腐蚀的过程根！据不同的工艺要求而！选择不同的》刻蚀剂？最常：用的是以《氢氟酸？、盐酸、硫酸、【硝酸等和纯水配成的！刻蚀液？刻蚀完成后要用酸、！碱，和纯水反复冲—洗以保证刻痕的【。清洁 】   ？ 减薄、划片—。、绷片、扩片—对于氮化镓(或砷】。化，镓)的衬底先—将已制作好管芯的】一面用石蜡粘合【在陶瓷？。盖，上保护起来在减【。薄机上用不同粒【度大小的金刚砂对】衬底进行减薄将减薄！后晶片粘在带黏性的！薄膜上？用激：光划片机划出或用】金刚石锯片》机，切割出每一个单独的！管芯：。将划片后的》晶，片在绷片机》上绷紧用适当—的力量和刀具击打划！痕以使？基片在？。划痕处裂《。开最：后在扩片机上将黏附！衬底的薄膜伸张使管！芯与管芯之间分【离一定间距并黏附】在薄膜上《 《。  ？   测试、—分拣：在分：拣，机上：根据不同的测—试数据按照一定【的分类规则对管【芯进行分类》 《。 C.2.3 】 管芯(芯片)【封装生产工艺—。流程包括装片—、金线键《合、：固，化、切？筋 【    装片将【发光二极管芯片【安装在相应的—支架位置上 【   —。。  金线键》合键合？的目的？是，。将电极引到》发光二极管芯—片上完成产品内外】引线：。的连接？作用  ！ ，  固化对芯—片进行包封以产生】器件的光学和—防护特？性， 《  ？   切筋由于发】光，二极管？在，生产：中是连在一起的【采用切筋工艺—切断发光二极管支】架的连筋《 ：