附录C【  发光二极管生产！的典型工艺流程【 ： 《 C？.2.1  采用】金属有机《化学气相沉积设【备，在衬底(《如Al2《O3：、G：aAs)上》做外延层《(GaNAl—GaI？nP)？和相：应的掺杂《层如p-Ga—N层、n《-GaN层、p-A！lxGay》。In1-《x-y？P层、n-AlxG！。ayIn《1-x-yP—层等按照特》定，程序生？长出符？合设计要求的外延层！(GaNGa—As：、Alx《GayIn1-【x-：y，P) 《 C.2.】2  ？管，芯(芯片)生产工】艺流程包括光刻、刻！蚀、减薄、划片【、绷片、扩片、测】试、分拣等工艺【    ！ 光：刻通过一系列生【。产步骤在《晶圆表面部分区域】形成设计所需的【薄膜保护《层以便后续工序进行！选择性蚀刻》光刻工艺主》要包含匀胶、烘【干、曝光、显影【四个阶段 】     ①匀胶！在，清洗后的外延片上涂！覆一：层均匀的《光刻胶 ！。    ②烘干在】一定条件下》烘，烤除去光刻》胶中的溶剂增强黏附！。性；：释放光刻胶膜内的】应力；防止光—刻胶玷？污，设，备 —     ③—曝光在？掩模版？的遮：蔽下对光刻胶进行】选，择性曝光使光刻胶发！生化学反应整个晶】面的光刻胶》薄膜：由起交联反应部【分与未起《交联反应部分组【成   ！  ④显《。影采用特定化学溶剂！去除起交联反—应部分？光刻胶或去除未起交！联反应部分光—。刻胶在晶圆表面【部分区域形成—设计所需的》薄膜保护《层 【    《刻蚀刻蚀技》术分：为，干法刻？蚀和湿法刻》。蚀，；刻蚀的目》的是将光刻后暴【露的保护层去—除使下？面的：基质层暴露出来 ！ ： ：  ：  ①干《法，刻蚀：。利用低压放电产【生的等离子体中【的离子或游离—基(处于激发态【的分子、原子及各】种原：。子基团等)》与材料发生化—学反应或通过轰【击等物理作用选【择性腐蚀《基材的过《程刻蚀气《氛通常？含有：F，、Cl？等离子体或碳等离子！体因此刻蚀气—体通常使用CF4】、Cl2、BCl】3这一？类的：气体 ？。     ！②湿法刻《蚀通过化学反应的】方法对基《材，腐蚀的？过，程根据不同的—工艺要求而选择【不同的刻蚀剂最【常用的是以氢—氟酸、盐《酸、硫酸、》硝酸：。等和纯水配成—的刻蚀液刻蚀完成后！要用酸、碱和纯水反！复冲洗以保证刻痕的！清洁  ！   减薄、划片】、绷片、扩》片对于氮化镓(或砷！化镓)的衬底先将已！制，。作好：管芯的一面》用石：蜡粘合在陶瓷盖上】保护起来《在减薄？机上用？不同粒度大小的【金刚砂？对衬底进行》减薄将减薄后晶【片粘：在带黏性的》薄膜上？用激：光划片机划出或【用金刚石锯片机【切割出每一》个单独的管芯—将划片后的晶片【在绷片机上绷紧【用适当的力量和【刀具击打划痕—以，使基片在划痕处裂开！最后在？扩片机？上将黏？附衬：底的薄？膜伸张使管》芯与管芯之间分离】一定：。间，距并黏附在薄—膜上 《     】测试：、分：。拣在分拣机上根据】不同的测试数据按】照一定的《分类规则对管芯进】行分类 — C《.2.3  —管芯(芯片)封【。装生产工艺流程【包括装？片、金？线键合、《固化、？切筋 》     装片！。将发光二极管芯片安！装，。在相应的支架位置上！ 》     金线键合！。键合的目的是将电极！引到发光二极管芯片！上完成产《品，内外引线的》连接作？用   ！  固？化对芯？片进行包封以产【生器件的光学和防护！特性 】 ，   ？切筋：由于发光二极管在生！产中是连在一起【的采用切筋工—艺，切断发光二极—管，支架的连《筋 ？