。 ： 附录C》。  发光二极管生】产的典型工艺—流程： ， C.！2.1  采用金属！有机化学气相—沉积设备在衬底(如！Al2O3》、G：aAs)《上做外延《层(GaNAlGa！InP？)和相应的掺杂层】如p-GaN层【、n：。-GaN层》、p：-，AlxG《ayIn1-x-】yP：层、n-Alx【。GayIn1-x】-，yP层等按照—特定程？。序生长出符合设【计要：。求的外延层(—G，aNGaAs—、A：lx：。GayIn1—-，x-yP) — C.【2.：2 ： 管芯(芯片—。)生产？工艺：流，。程包括光刻、—刻蚀、？减薄、划片、绷片、！扩片、？测试、分拣等工【。艺 ？     】。光刻通过一》系列生？产，步，骤在晶圆表面部【分，区域形成设计所需】的薄膜保护层—以便后续工序进【。行选择性蚀刻光刻工！艺主要包含匀胶、】烘干、曝《光、显影四》个阶段 ！    ①匀胶在】清，。洗后的外《延片上？涂覆一层均匀的光】刻胶 【   ？ ， ②烘干在一定条件！。下烘烤除去光刻胶中！的，溶剂增？强黏附？性；释放光刻—胶膜内的应力；防止！光刻胶？。玷，污设备 【   《  ③曝光》在掩模版的》遮，蔽下对光刻胶进行】选择性？曝光使光刻胶—发，生，化学：反应：整个晶面的光刻【胶薄膜由起交联反应！部分与未《起交联反应部—分组成 ！    ④显影采】用特定化《学，溶剂去除起交联【反应部分光刻胶或去！除未起交联反应部分！光刻：胶在晶圆表面—部分：区域形成设计—所需的？薄膜保护《层 ？。 《    《刻蚀刻蚀《技术：分为干法《刻蚀和湿法》刻蚀；刻《蚀的目？的是将光刻》后暴露的保》护，层去：。除使下面的基质【层暴露出来 】 ， ：    ①干法刻】蚀利用低压放—电产生的等离—。子体中的离子或游离！基(处于激发态的】分子、？原子及各种原子【基团等)《与材料？发生化学反应或通过！轰击等物理作用选】择性：。腐蚀：基材的过程刻蚀【气，氛通常含有F、【Cl等离子体或【碳等：离子体因此刻—蚀气体通常使用CF！。4、Cl《2、BC《l3这一类的气体 ！  —   ②湿法—刻蚀通过化学反【应的方法对基材腐蚀！的过程根《据不同的工艺要【求，而选择不《同的刻蚀《剂最常用的是以【氢氟酸、盐酸、【硫酸、硝酸等和纯水！配成的刻《蚀液刻蚀完》成，后要用酸《、碱和纯水反复冲洗！以保：证刻痕的清》洁 》 ：    减》薄、划片、绷片、扩！片对于氮《化镓(或砷化镓)】的衬底先将已制作好！管，芯的一面用石蜡粘合！在陶瓷盖上》保护起来在减薄机】上用不同粒度—大，小的金刚砂》。对衬：底进行减薄将—。减薄后晶片》粘在带黏性的薄膜】上，用激光划片机划【出或用金刚石锯片】机切割出每》一个单独的》。管，芯将：划，片，后的：。晶片在绷片机上【绷紧用适当的力量和！刀具击打划痕以使基！片在划痕处裂—开，最后在扩片机上【将黏附？。衬底的薄膜》伸张使管芯与—管，芯之间分离一定间】距并黏附在》。薄膜上 》 《    《测试、？分拣在分《拣机上根《据不同的《测试数据《按照一定《的分类规则对管芯】进行分类《 C.2！.3  《管芯(？芯片)封装生产【工艺流程包括—装片、金线键合、固！化、切筋 】 ：    装片将发】光二极管芯片安装】在相：应的支架位置—上 《。     金线！键合键合的目—的是将电《极引：到发光二极》管芯片上完》成产品内外引线的连！。接作用 《 》    固化—对芯片进行包封以】产生器件的光学【和防护特性 —   【  切筋由于—发光二？极管在生《产，中，是连：在一起？的采用切筋工艺切断！发光二？极管支架的连筋 】 ，