附录C【  发光《二极管生产的典【型工：艺流：程， ？ ： C.》2.1  》采用金属有》。机化学气相》沉，积设：备在衬底(如A【l2O3、》GaAs)上做外延！层，(G：a，。NAlGaInP】)和相？应的掺杂层如p-G！aN层、《n-GaN层、p】。-AlxGay【In1-x-yP层！。、n-Al》x，G，ayIn1-x-y！P层等按照》特定程序生》长出：符合：设计要？求的外延层(GaN！GaAs、AlxG！ayIn《1-x-yP) ！ C.2.】2  管芯》(芯片)生产工艺流！。程，。。包括光刻、》。刻蚀、减薄、—划片、绷片、扩片】、测试、分拣等【工艺 —   《  光？刻通过一系列生产】步骤在？晶圆：表面部分区》域形成设计所—需的薄膜保》护层以便后续工序进！行选择性蚀刻光刻工！艺主要？包含：匀胶、烘干、—曝光：、显：影四个阶段 【    【 ①匀？胶在：清洗后的外》延片上涂覆一层均匀！的光刻胶《 《   《  ②烘干在一【定条件下烘烤除去】光刻胶中的溶—剂增强黏附性；释】放光刻胶膜》内的应力；》防止光刻胶》玷污：设备：    ！。 ③曝光在掩模版的！遮蔽下对《。光刻胶进行选—择性曝？光使光刻胶发生【化学反？应整个晶面的光刻】胶薄膜由起》交联反应部》分与未起交联反应】部分组成 》    】 ④显影采用特定】化学溶剂去除起【交联：反应部？分光刻胶或去—除，未起交联反应—。部分光刻胶在晶圆表！面部分？区域形成设计—所需的？薄膜保护层 】     【刻蚀刻蚀技术分为干！法刻蚀和《湿法刻蚀《；，。刻蚀的目的是—将，光刻后？暴露的？保护层去除使下【面的基质层暴—露出来 】     ①干【法刻蚀利用》低压放电产》生的等离子体中的】离子或游离基(处】于激发态的分子、】原子及？各种原子基团等)】。与材料发生化学【反应：或，通过轰击等物—。理作：。用选择性腐蚀基材的！。过程刻？蚀气：氛通常含有》。F、Cl《等离子体《或，碳等离子《体因此刻蚀气体通】常使用CF4、C】l2、BCl—3这一类《的气体？ 《     —②湿法刻蚀通过化】学反应？的，方法对基《材，腐蚀的过《程根据不同的工艺】。。要求而选择不同【的，刻，蚀剂：最常用的是》以氢氟酸、盐酸、硫！酸、硝？酸，等和纯水《配成：的刻蚀液《刻蚀完？成后要？用酸、碱和纯水【反，复，冲洗以保证刻—痕的清洁《    ！ 减薄、《划，片、绷片、》扩片对于《氮化镓(或砷化镓】)的衬底先》将已制作好管芯【的一面用石蜡—粘，合在陶瓷盖》上保护起来在减薄】机上用不同粒—度大小的金》刚砂：对衬底进《行减薄？将减：薄后：晶片粘在带黏性的薄！膜上用激光划片机划！出或用金刚石锯片】机切割出每》一个单独的》。管，。芯将划？片后的晶《片在绷片机上—。绷紧用？适当的力量》和刀具击打划痕以使！基片在划痕处裂开】最后在扩片》机上将黏附衬底的薄！膜，伸张使管芯与管【芯之间？分离一定间距并【黏附在薄膜上 【 ？ ，     》测试、分拣》在分拣机上根—据不同的测试数据】按，照一定的分类规则】对管芯进《行分类 】 C.2.3  】管芯(芯片)—封装生产《。工艺流程包括装片、！金线键合、固—化、切筋 》 ：     【装片：将发：。光，二，极管芯？片安装在相应—的支架位置上—  【   金线》键，合键合的《目的是将电极引到发！光二：极管：芯片上完成》产品内？外引线的连接作用 ！ 《    《 ，固，化对芯片进行—包，封，以产生器《件的光学和防护特】性 《     切】筋由于发光二—极管：在生产中是连—在一起的《采用切筋工》艺切断发光》二极管支《架的连？。筋 ？