附录—C， ， 发光二极》管，生产的典型工—艺流程 》 C【.2：.1  采》用金属有机化学【气相沉积设》备在衬底(如Al】2O3、《。G，aAs)《上做外？延层(G《aNA？lGaInP)和】相应的掺杂层—。如p-G《aN层、n》-G：aN层、p-Alx！Ga：yIn1-x—-，yP层、n》-，AlxGa》yIn？1-x-《y，P层等按照特定程序！生长出符《。合设计要求的外延层！。(Ga？NGaAs、—AlxGayIn】。1-x-《yP：。) ： C.2】.，2  管《芯(芯？片)生产工艺流【程包括光刻》。、，刻蚀、减薄、—划片、绷片、扩片、！测试、分拣等工艺 ！   【  光？刻，。。通过一系列》。生产步骤《。在晶圆表面部分区】域，形成设计所需的薄膜！保护：层以便后续》工序：进行选择性》蚀刻光刻工艺主要包！含匀：胶、烘干《、，曝光、显影四个阶段！   】  ①匀胶在清洗后！的外延片上涂覆【一层均匀的光刻胶 ！。    】 ②烘干在一定条】件下烘烤除去光刻】胶中的？。溶剂增？强黏附性；》释，放，光刻胶膜内的应【力，；防止光刻胶—玷污设备 【  《   ③《曝光在掩模版的【。遮蔽下？对光刻胶进行—选择：性，曝光使光刻胶发【生化学反《应整个晶面的光刻胶！。薄膜由起交联反应部！分与：未起交联反应部【分组成 ！    ④显影采用！特定化？学溶剂去《除，。起交联反应部分【光，刻胶或去除未—起交联反应部—分光刻胶在晶圆【表面部分区域形成】设计所需《的，薄膜保护《层 》   《  刻？蚀刻蚀技《术分为干法刻蚀和湿！法刻蚀；刻蚀的【目的：是将光刻后暴露的】保护层去除使—。下面的基质层暴【露出来 】 ，    《①干法刻蚀利用低】压放电？产，。生的等离子体中的】离，子或：游离基(《处于激发态的—分子、原《子及各种原子基【团等)与材料发【生化：学，反应或？通过轰击等》物理作用选择性【腐蚀基材的过程刻】。蚀气氛？通常含有F、Cl】等离子体或》碳等离子体因此【刻蚀气体通》常使用？。CF4、Cl2【、，BCl3这一类【的气体 《 《 ，    ②湿—法刻蚀通过化学【反应的方法对基【材腐蚀？的过程根据不—同的工艺要求而选】择不同的刻》蚀剂最常用的是以氢！氟，酸，、盐酸、硫酸、【硝酸等和纯水配成】的刻蚀液刻蚀—完，成后要用酸》。、碱和纯《。水反：复冲洗以保证刻痕】的清洁 【     减【薄、划片、》绷片、？扩片对于氮》化镓(或砷化—镓)的衬底先将【已制作好管芯的一】面用石蜡《粘，合在陶瓷盖上—保护：起来在减薄机上用不！同粒度大小的—金，刚砂对衬《底进行减《薄将减薄后晶片粘在！带黏性的薄膜上用激！光划片机划出或用金！刚石：。锯，片机切割出每一【个单独的管芯将【划片后的晶片在绷】片机上绷紧用适当】的，力量和刀具》击打划痕以使—基片在划痕处—裂开最后在扩—片，机上将黏附》衬底的？薄膜伸张使管芯与】管，芯之间？分离一定间距并黏】。。附在薄膜上 【  》。   测《试、分拣在》分拣机上根据不同的！测试数据按照一定的！。。分类规则对管—芯进行分《类， ： C.—2.3  管芯【(芯片)封装—生产工艺流程包括】装片、金线键—合、固化、切—筋 【    装片—将发光？二极管芯片安装【在相应的《支架位置上 ！ ，    《 金：线键：合键合？。的，目的是将电极引到】发光二极管芯片上完！成产品内《外引线的连》。接作：用，    ！ 固化对芯片进行包！封，以产生器件》。的光：学和防护特》性  】   切筋由于发】光二极管在生—产中：是连在？一起的采用切—筋，工艺切？断发光二《极管支架《的连筋 》