附录C  ！发光二极《管生产？的典型工艺流程 】 【C，.2.1  采【用金：属有机化学气相沉】积设备在衬底(如】Al2？O3、GaAs)上！做外延层(GaN】AlGaInP【)和相应的掺—杂层如p-G—aN层、n-Ga】N层、p-Al【xGayIn1-x！-yP？层、n-Alx【。GayIn1—。-x-yP》层等按照特定程【序生长出《符合设计要求的外延！层(GaNGaA】s、AlxGa【。yIn1《-x-yP)— ， 《 C.2《.2  管芯(芯】片)生产工艺流程】包括光刻、刻—蚀、减薄、划—片、绷片《、扩片、测》试、分拣等工艺【。  【   光刻通过【一系列？生产步骤在晶圆【表面部？。分区域？形成设计所需—。的薄膜保护》层以便后续工序【进行选择性蚀刻光刻！工艺主要包含匀【胶、：烘干：。、曝光、显影四【个阶段 】    《。 ①匀胶在清洗后】的外延片上涂覆一】层均匀？的光刻胶 【 ： ，    ②烘干【在一定条件下烘烤除！去，光刻胶？中的溶剂增强黏附】性；：释放光？刻胶膜内的应—力；：防止光刻胶玷污设】备 ？   —  ③曝光》在掩模版的遮蔽【下对光刻《胶进行？选择性曝《。光使光？刻胶发生化》学反应整个晶面【的光刻胶薄膜—由起交联反应—部分与未起交—联反应部分组成 】 》。    ④显—影采：用特定化学溶剂去】除起交联《反应部分光》刻胶或去《除，未起：交联反？应部分光刻》胶在晶圆表面部【分区域形成设—计所需的薄》膜保护层 — ，     刻蚀！刻蚀技？术分为干法刻—蚀，和湿：法刻蚀；刻蚀—的目的是将光—刻后暴露《的保护层《去除：使下面？的基质层暴露出【来 《 ，  ？   ①《干法刻蚀《利用低？压放：电产生的等离—子体中？的离子或《游离基(《处于激发态的分【子，、原子及《各种原子基》。团等)与材料发生】化学反应或通过【轰击等物《理作用选择性腐蚀】基材的过程刻蚀气氛！通常含有F》、Cl等离子—体或：。碳等离子体因此【刻蚀气？体通常？。使用CF4、Cl】2、BC《l，3这：一类的气体 【   — ，。。 ②：湿法刻？蚀通过？化学反应的方法对基！材腐蚀的过程根【据不同的工》艺要求而选择不同的！刻蚀剂最常用的是】以氢氟酸、盐酸、硫！酸、硝酸等和纯水】配，成的刻蚀液》刻蚀完成后》要用酸、碱和—纯水反复冲洗以保】证刻痕的清》洁 【    减薄、划片！、绷片、《扩，片对于氮《化镓(或砷化镓【)的衬底先将已制作！好管芯的一面用石】蜡粘合在陶瓷—盖上保护起》来在减薄机上用不同！粒度：大小的金刚》砂对衬底《进行减薄将减薄【后晶片？。粘在带黏性的薄【膜上用激光》。划片机划出》或用金刚石锯片机切！割出每一个单独的】。管芯：将，划片后的晶片在绷】片机上绷紧》用适：当的力量《和刀：具击打划痕以使基】片在划？痕处裂开最后—。在扩片机上将黏【附衬底的薄膜—伸张使管芯与管芯】之间分离一定—间距并黏《附在薄膜《上 《 ？ ，   测试、—分拣在分拣机上【根据：不同的测《。试数据按照一定【的分类规则》对管芯进行分类 】 ， C.2【.3  管芯(芯片！)封装生产工艺【。流程包？括装片、金线键合】、固化？、切筋 ！   ？ 装片将发》光，二极管？芯，片安装在相应的支】架位置上 ！    《。 金线键合键—合，的，。目的是将电极—。引到发光二极—管芯片上完成—产品内外《引线的连接》作用  ！   ？固化对芯片》进行包封《以产生器件的光学】和防护？特性 【     切—筋由于发光二极【管在：生产中是连在—一起的？采用切筋工艺切断发！光二极？管支架的连》。筋 ？