2 《 术 语
【
?
2.?0.:1 电磁环—境 》electr—omagnet【ic: environm!ent
》
?
》存在于给《定场所?的电磁现象的—总和:
2.】0.2? 电磁功》率密度? ele》ctro《magnet—ic powe【r, den《sity
】
: 穿过与电磁!波的能量传播—方向垂直的面元的】功率除以该面元【的面积?
2【.0.3 等效辐!。射功率 equi!va:l,ent radia!tion powe!r
! , ,频率在10》00M?Hz以下等效辐【射功率等于发射【机标称功《率与对半《波天线而言》的天线增益(倍数)!的乘积频率在—1,0,00MHz以上等效!辐射功率等于—发射机标称》功率与对全》向,天线而言的天线增】益(倍数)》的乘积?
?
2.0.【4 公众》曝露: publ—ic e《xposur—e
?
— :公众所受的》全部电?场、磁场、电—磁场照?射不包括《职业:照射和医疗照射【
—2,.0.5 电【磁骚扰 《 , electro!。m,agnet》ic distur!ban?ce(E《MD)
—。
,
《 引起装》置、设备或系统性】能降低或《对生物与非生物产生!不,良,影响的?电磁现象
】。
2.0.6 】 电磁干扰 【。 electr】omag《netic —i,nt:erferen【ce(E《MI)
【
由【电磁骚扰引起的设】备、:传输通道或系统【性能下降《。。的电磁现《象
:
2.0.!7 电磁敏感度 ! ,elec《tromagne】。tic 《。sus?ceptib—ility》(EMS)
】
电】磁干扰?电平:的度:。量反映?电,磁对设?备,、,系统性能造成劣化的!程度
》
?2.0.8 — 电磁兼容性 【 elect—romagne【tic 《。。compatib】ility(—E,MC)
! 设》备或系统在其—。电磁环境《中,能,正常工作且不会对该!。环境中的其他物体构!成不能承受的电磁】骚扰的性能
!
2.0》.9 电磁辐射 ! (ele》ctro《magneti【c)radiati!。。on
【。
电—。场,和磁场?的交互变化产生电】磁波并?向空间发射或泄漏】的现象
—
2.》0.10 电涌保!护器: :su:rge pro【tec?ti:ve devi【ce:。(S:PD)
】
用—于限制瞬态》过电压和分泄电【涌,电流的器件至—少应:包含一个非线性电压!限制元?。件
【2.0.1》1 ?基波(分量) ! fundame】ntal(》componen】。t):
】。 一个《周期量?的傅里叶级数的一次!分量
—
2?.0.12 — 谐波(分量)【 , har《mo:nic(com【。ponen》t,。)
》
《 , 一:个,周期量的傅里叶级】数中:次数高于《1,的整数倍分量—
2.】0.1?3 间谐波 】 inter-】harm《onics
—。
,
,
《 : 频率为基波—。频率的非整数倍的】谐波
2!.0.1《4 谐波次数 】 harmonic! number【
! 谐波频率》与基波频率的整【数比
】2.0.15 】。谐波含?有率 harm】。onic ra【t,io:
】 交变量中含【。有的第n《次谐波?分量的有效值与基波!分量:。的有效值之》比
【2.0.16 】总谐波畸《变率 tot【al harm【onic dist!orti《on: r:atio(T—。HD:)
【 ,。。 指定》。谐波次数以下的各】。次谐波分量总有效】。值与基波《有效值之比
!
,
2.?0.17 高次】谐波加权畸变率 !par?tial w—eight》ing h》armonic d!i,st:ortion— fa?。。。ctor(PWHD!)
》
1【。4,次及以上高次谐波有!效,值与基波有》效值之比用谐波次数!n来加权《
2.】0.18 谐波源! ha《rmonic so!urce
【
【向电网注《入谐波电《流或在电网》中产生谐《。波电压的《电气设备
】
2.0》.,19 《短时谐?波 sh》ort-time !harm《onic
【
《 冲击持续的时!间不超过2s且【。两次:冲击:之间的间《隔时间不少于30】s的:电,流所含?。有的谐波及其引起的!谐波电压
】
2.0.—。20 波动谐波 ! f《luctu》at:ing harm】onic
》
— 介于准稳态谐!波(缓慢变》化的谐波)和—短,时谐波之间时大时】小、较快变化的【中间状态谐》波
—
2.0.2—1 电源》骚扰 —mai?ns-borne !disturb【ance
!
》经由供电《。电源线传输到—装置:上的电?磁骚扰
【
2?.0.22 骚扰!限值 lim【it of》 di?stu?r,banc《e,
! 对应于规定测量方!法的最?大许可电磁骚扰【电平
《
2》。.0.23》 , 干扰限值 【limi《t of in【terf《ere?nce
《
— ?。导致装置、设备或】。系统:性,能降:低的电?磁骚:扰的:最大允许值
【
《2.0?.24? , (骚扰源》的,)发射限《值 em【issi《on lim—。it(f《。rom 《a di《stur-》bing 》source)
】。
】 规定的电》磁骚:扰源的最大发射电】。平
?
:
2.《0.25 干扰】抑制 in】terfer—ence supp!ressi》on:
【 削弱或—消,除电磁干扰的措【施
》
2.0.26】 电磁屏》。蔽 ele—。ctromagne!tic? scree—n
】 用导电—或导磁材料减少【电磁场向指》定区域穿透的屏【蔽
《
:
2.?0.:2,7 传导》骚扰 ? conduct】ed ?disturb【ance
》
!通过导体传递能量】的电磁骚扰
—
》2,.0:.28 辐射【骚扰 ? radiate】。d disturb!ance《
【 以电磁波的形!式通:过空间传播能量的电!磁骚扰
—
2.0.【29 《供电系统阻抗 【。 s:upply sy】stem《 i:mpedance
!
》 从》公共耦合点看—进去的供《电系统的阻抗—
》
2.0.30【 供电连》接阻抗 se【r,vi:ce conne】ctio《n imp》edance
】
《 从公共【耦合点到计量点【用户侧之间》的连接阻抗
【
2》.0:.31 公共连】接点 po—int of— ,common c】oupling(P!CC)
《
— 电力系统中一!个,以上:用户:的连接处
【
,
2.0.3【2 电《压波动? v?oltage— f:lu:c,tuatio—n
】 ?电压均方根值一系】列的变动或连续的】改变
—
2.0》.,33 短路容量 ! sh》ort?-c:ircuit 【。power
【
》 根据系—统标称电压和公共】连,。接点:。阻抗计算的三—相,短路功率值也称短】路功率
—
2.0—.3:4 ?设备:。额定:。视在功率 —rated app!arent p【ower
】。。
根【据,设备部分额定线【电流:有效值Ieq—u和额定相电压U】p或额定《线电压U《1计算的功率值【
—2.0.35 】短路功率比 — short】-,c,ircuit r】ation》
:
,。
:
系统短路!容量:与设备容量的比值】
【 对于》。单,。。相设备 Rsce=!Ssc/(3—Sequ)
—
【 对?于相间设备 Rsc!e=Ss《c/(2Sequ】)
! :对于三?相设:备 Rsce=Ss!c/Seq》u
》
2.0》.,3,6 电抗率 ! reactan】ce r《atio
》
—。 电抗器的感】抗与串联电容器的】容抗之比
】
2.0.37 ! 对称控制》。 sym【me:tric《al con—trol(si【n,gle phase!),
【 , 由设《计成在交流电压【或电:流的正负半周按相同!方式工作的装—置所进行的控制
!
2.0.3!8 无源滤波【器 : ,pass《ive filte!r
:
:
》 利用《。电感、电容和—电阻的组合设计构】成的滤波电》路,又称LC滤》波器
?
2.0.!39 《有,源滤波器 【 ac?tive pow】er ?filte》r(APF)
!
? 含有电【压源或电《流源等有源部件【的滤:波器
【
2.0《.40 谐波滤】除率 harm】o,nic fi—lte?ring r—atio
】
装置接!入后:。已被:滤,除的第?n次谐?波电:。流的方均根值与装】置接入?前的第?n次谐波《电流的方《均根:值之比
—
2.0.4】1 总谐波滤除】率 tot—al h《armon》ic fi》ltering 】ratio
】
:
: : 装置接入后已被滤!除的各次谐波电【。流的方均根值与装】置接入前各次谐波电!流的方?均根值之比》
,
》2.:0.42 》 (:有,源滤波器)响—应,时间 —respo》nse? time
】
? 有源滤波器!处于稳态工作—情,况下:在其规定工作范【围内从突然投—入,负载谐?波(或无《功)电流《开始:。至总谐波滤除率达】到,技术指?标要求的时》。。间
《。
2.0.4】3 ?电压暂降(电压【骤降电压《凹陷:) v—olta《ge dip
】
?
供电系统!中某:点的工频电》压均方?根值突然下降至额定!值的:10:%~90%》并在随后的10【。ms:~,1m:in的短暂持续【。。期后恢复正》常的现?。象
:
2—.0.44 — 静电放电》 elect!rostati【c di《schar》ge(ESD)
!
【 具有不同静电电位!的,物体:直接接?触或静电场感应引起!的静电电荷》转,移包括电晕放电【、火花放电、—刷形放电和沿面放电!四种类型
】。
2.0.45 ! 防:静电环境 env!i,ronment 】of an》ti-ele—ctrost—ati?c disch【ar:ge
《
》 防止各类【静电:危害的给定环境【
》
2.0.》46 静》电电位 — in?ner ele【ctrostat】ic potent!。ial
】
? :给定区域环境内任】一物体?对大地以及任意二】点之间在《任,何,时间之内的静—电电位?
》
2.0.47【 静电放电接地 ! electro】-static d!is:cha?r,ge earth】ing
】
给定【的,防静:电场所?为,。防止静电《放电:而配置的电气连【接,系统内被《。连,。接到:大地的专《用点的接地
【。
2.0.4!8 静电屏蔽 】 s:tat?i,c shield】in:g
【 用来—衰减静电场、—减少静电场效应【。、抑制?由静电放电形—。成的:骚,扰,传播和静电场感应的!措施
》
,
2.0.4【9 功能接地 !functiona!l ea《rthi《ng
! 系统》、装置或设备—中为非电击防护需要!的接地
》
《2.0.《50 ? 表:。面电阻 》 s?。urf?a,ce ?resi《stance
【
《
物—体表面放置的两电】极间所加直流电压】。除以流过两电极间】的稳态电流
】
,
2.《0.:51 表面电阻】率, surfac】e r?esistivit!y
—
材料表面!层的直流电场强【度,与材料表面电流【线,密度:之比
《