： 5.《5  半导体材料制！备 ！5.5.1  本】条对硅、锗材—。料制备的生产—废水处理作出要求 ！   【  1  采—用改良西门子工艺生！。产多晶硅的生产排】水包括废气淋—洗，水、硅芯和硅片【腐，蚀，产生的污酸及净化】酸，雾产生的酸性—废水以及硅芯、硅片！清，洗水等生《产排水主要含氯离子！。、氟离？子可采用石》灰中：。和处理使污染—物，达标或？处理后？回用于氯化氢合成】、三氯？氢硅合成、》三氯氢硅《提纯工序产生的【废气：淋洗或硅芯、—。硅片：腐蚀产生的酸雾净】化   ！  2  硅片加工！过程产生《。含碳化硅、有—机溶：质的浆料应回—。。收其中？的碳化硅 》 《     3  】锗精矿加《盐酸氯化产出的粗四！氯化锗蒸馏》、复蒸、精馏—生，产精四氯化锗过【程产生的废水—含氯离子呈酸性四氯！化锗水解产出二【氧化锗的同时—产生的水《解母液也呈酸性【生产过程含盐酸的】废，气用水吸收的—淋洗液？同样呈酸性均—应采用中《和法处理 —    【 4 ？ 单晶硅《、单晶锗酸洗产生的！含氟化氢、氮—氧化物？的废气通常采用碱液！。淋洗吸收《处理淋洗液无—论，呈酸性还是呈碱性都！应中和处理 【 ？     》。5  六《价铬：毒性大因此本—款为强制性》条文：必须严格控制—为了检测单晶硅、单！晶锗：产品：的晶体有无缺陷等质！量问：题需要将晶体放【。在含铬溶液中浸泡因！而产生含铬废液【铬(总？铬及六价铬)是第一！类污染物必须单独收！集、还原处理至【总铬浓度《。。低于1.5mg／】L、：六，价铬浓度低于0【.，5m：g／L后再送—全厂污水处理—站进一步净化处【理 《 ： ，5.：。。5.2  制备化】合物半？。导体材料《砷，化镓的原料高—纯砷的提纯过程【。产，生含砷废水合成后的！砷化镓用王》水清洗后废弃的王水！中含砷砷化镓合【。成时砷挥发物冷【凝在石英管壁—。。上用王水《清洗石英《管壁的？废液也含《砷废水(液》)含砷浓《度较高时应首—先考虑在酸性—条件下以硫》化，砷的形式回收砷；】含砷浓度较》低时应首先将三价】砷转变为五价砷【再进一步净化—处理因？。为三价状态的—砷(As3+—。)毒性20倍于五】价状态？。的砷：(As5+) 】