， 5《.5  半导体材料！制备 《 —5.5.1  本】条对：硅、锗材料》制备的生产废水【处理作出要》求   ！  1  》采用改？良西门子工艺生产多！晶，。。硅的生产排水包【括废气？淋，洗水：、硅芯和硅片腐【蚀产生？的污酸及净化酸【雾产生的《酸性废水以及—硅，芯、硅片清洗水【等，。生产排水主要—含氯离子、氟离子】可，采，用石灰中和处理使】污染物？达标或处《理后回？用于氯化氢合成【、，三氯氢硅合》成、：三，。氯，氢硅：提纯工序产》生的：废，气淋洗？。或硅芯、硅》片腐蚀产《生的酸？雾净化 【  ？ ，  ：。。2  硅片加工【过程产生《含碳化？硅、有机溶质的【浆料应回收其中的】碳，化硅 《 ： ，     3 【 锗精矿加盐—酸氯化产出的—。粗，四氯化锗蒸》。馏、复蒸、精—馏生：产精四氯化》锗，过，程产生的废水含氯】离子呈酸性》四氯化锗水解产出】二氧化锗的同时产生！。的水解？母液也呈酸性生【产过程含《盐酸的废气》用水：吸收：的淋：洗液同样呈酸性【均应采用《中，和法处理 】  ？ ，  4  单晶硅、！单晶锗酸洗产生的】含氟化？氢，、氮氧化《物的废气通常采【用碱液？淋洗吸收处》理淋：洗液无论呈酸性【还是呈碱性都应【中和处理 【     5】  六价铬毒—性大因此本款为强制！性条文必须严格控】制为了检测单晶硅】、单晶锗产品的晶】体有无缺陷》等质量问题需要【将晶体放在含铬溶】液中浸泡因而产【生含铬废液铬—(总铬及六价铬【)是第一类》污染物必须》单独收集《、还原？处理至？总铬浓度低于1【.5mg《／，L、：六，价铬浓度低于—0.：5mg／L后再送】全厂污水处理—站，进，一步净化处理— 》。。 5.5.2—  制备化合物【半导体？材料砷化镓》的原料？高纯砷的提纯过程】产生含砷废》水合：成后的？砷化镓用王水—清洗后？废弃：的王：水中含砷砷》化镓合成时》砷挥发物冷凝在石英！管壁上？用王水清洗石英管壁！的，废液也含砷》废水：(液)含砷》浓度较高《时应首先考虑—在酸性条件下以硫化！砷的形式回收—砷；含砷浓度较低时！应，首先将三价砷转【变为五价《砷，再进：一步净化处理因【为三价状态》。的砷(As3+)】毒，性20倍于五价状】。态的砷(《A，s5：+) 《