5.5  ！半导体材料》制备 】。 5.《5.：1  本条对硅、锗！材料制备《的生产？废水处理作出—要求  ！   1 》 采用改良》西门子工艺生—。产多晶硅的生产排水！包括废气淋洗水、硅！芯，。和硅片腐蚀产生的】污酸及？净化：酸雾：产生：的酸性废水以及【硅芯、硅片清洗【水等生？产排水主要含—氯离子、氟》离子可采用石灰中和！处理使污《染，物达标或《。处理：后回用于氯化—氢合成、三氯氢【硅合成、三氯氢【。硅提纯工序产—生的废气《淋洗或硅芯、硅片腐！蚀产生的《。酸雾净化 》   【  2  硅片加工！过程产生含碳化硅】、有机溶质的—浆料应回收其中的碳！化，。硅 —     》。3  锗精矿加【盐酸：氯化产出的》粗四：氯化锗蒸馏、复【蒸、精馏生产精四】氯化锗？过程产生的废水含】氯离子呈《酸，性四氯化锗水解产】出，二氧化锗的》同时产？生的水解《母，液也：呈，酸性生产《过程含盐《酸的废气《用水吸收的淋洗【液，同样呈酸性均—。应采用中和法处【理 》。     —4  单晶硅、【单晶锗？酸洗产生《的含氟化氢、氮氧】化物的废气通常采用！碱液淋洗《吸收处理《淋洗：液无论呈《酸性：还是呈碱性都应【中，。。和处理 ！    5  【六价铬毒性大—因此本？款为强制性》条文：必须严格控制为【了检测单晶硅、单】晶锗产品的晶体有无！缺陷：等，质量问题需要—。。将晶体放在含铬溶】液中：浸泡因而产生含铬废！液铬(？总铬：及，六价铬)是第—一类污染物必须【单独收？集、还？原处理至总铬—浓度低于1.5m】g／L、六价铬浓度！低于0.5mg／L！后再送全厂污水处】理站进一步净化处】理 — 5：.5.？2  制备化—合物：半导体材料砷化镓的！原料高纯《砷的提纯《过程产生含砷废水合！成后的砷化镓用王】水清洗后废弃的王】水中含砷砷化镓合】成时砷？挥发：物冷凝在石英—管壁上？用王水清《洗石英？管壁的？废，液也含？砷废水？(液)含砷浓度较】高时应首先考虑在酸！性条件？下，以硫化砷《的形：式回收砷；含砷【浓度较低时应—首先：将三价砷转变为五】。价，砷再进一步》净化处理因为三价】状态的？砷(A？s3+)毒性20】倍于五价状态的砷(！As5+) 【