5.—。。5 ： 半导体材》料制备 【 5.5【.1  本条对硅】、锗材料《制备的？生产废水《处，理作出要求 】  《   1  —采用：改良西门子工—。艺生产多晶硅—的生产排水包括废气！淋洗：水、硅芯和硅片腐】蚀，产生的污酸及净化】酸，雾，产，生的酸性废水以及硅！。芯、硅片清洗水等生！产排水主要含—氯离：子、氟离子可采用】石，灰中：和处理使污染物达】标或处？理，后回：用于氯化氢》合成、三氯氢硅【。合成、三氯氢硅提】纯工序产《。生的废气淋洗或硅】芯、硅片《腐，蚀，产生的酸雾净化【  【   2  硅片加！工过程产生含碳化硅！、有：机溶质的浆》料应回收其中的碳】化硅  ！ ，。  3？  锗精矿》加盐酸氯化产出【的粗四氯化锗蒸馏】、复蒸、精》馏生产精四氯—化，锗过：程产生的废水含【氯，离子呈酸性四氯【化锗水解产出二氧化！锗的同时产》生的水解母液也【呈，酸，性，。生产过程含盐酸【的废气用水吸收的】淋洗液？同样呈酸性均应【采用中和法处理 ！     】4  ？单，晶硅、单晶锗—酸洗产？生的含氟化》氢、氮氧化》物的废气《通常采用碱液淋洗吸！收，。处理淋洗液无论呈酸！性还是呈碱性都应中！和处理 ！  ：  5？  六价铬毒性【大因此本款为强制性！条文必须严》格控制为了检测【。单晶硅？、单晶锗产品的晶】体有：无，缺陷等质量问题需】。要将晶？体放在含铬溶液中】浸泡：因而产？生含铬废液铬—(总铬及六》价铬)是第一—类污染物必须单独收！集、还原《处理至？总铬浓度低于1.5！mg／L、六价【铬浓度低于0—.，5mg／L后再【送全厂污水处理【站进一步净化处【理 《 5.5.2】  ：制，备化合物半导体材料！砷化镓的原料—高纯砷的提纯过程产！生含砷废水合成后的！砷化镓用王水清【。洗后废弃的王水中含！砷砷化镓《合成时砷挥》发物冷凝在石英管壁！上用王水清》洗石英管壁》的废液也《含砷：废水(液)》含砷浓度较高—时应首先考虑在酸】性条件下《以硫化砷《的形：。式回收砷；含砷【浓度较低时应首先将！三价砷转变为五【价，砷再进一步净化处理！因为三价状》态的：砷(As3》。+)毒性20倍于】五价状？态的砷(A》s5+) —