5.5【  半导体材料制】备 ！5.5.1  本】。条对硅、锗》材料：制备的生产废水【处理作出要求—。 《 ，   ？  1？。  采用《改良西门《。子工艺生产多晶【硅的生产排水—包括废气淋洗—水、硅芯和硅片【腐蚀产生的污酸【及净化酸雾产生的】酸性废水以及—硅芯、？硅片清洗水等生产排！水主：要含氯离子、氟离子！可采用石灰中和处理！使污染物《达标或处理》后回用？。于氯化氢合成、三氯！氢，硅合成、三》氯氢硅？提纯工序产》生的废气淋洗或硅芯！、硅片腐蚀产—生的酸雾净化 【   【  2  硅片【加工：过，程产：。生含碳化硅、有【机溶质的浆料应【回收其中的碳化硅 ！ ？    》 3  锗》精矿加盐《酸氯化产出的粗四氯！化，锗，蒸，馏、复蒸、精馏【生产精四氯》。化锗过程产生的废】水含氯离子呈—酸性四氯化》锗水解产出二氧化】锗的同时产生的水】解母液？也呈酸？性生产过程含盐酸的！废气用水吸收的淋】洗，液同样呈酸》性均应采用中和法】处理  ！   4  单晶】。。硅、单晶锗》酸洗产生《。的含氟化氢、氮氧化！物的废气《通常：。。。采用碱液淋洗吸【收处理淋洗》液无论呈酸性还是呈！。碱性都应《中，和处理 】   ？  5  六—价铬毒性大因此本款！为，强，制性条？文必须？严格控制为了检测单！晶硅、单晶锗—产品的晶体有无缺】陷等质量问题需要】将晶体放在含铬【溶液中浸泡因而产】生含铬废液铬—(总铬及六价—铬)是第一》类污染物必须单独收！。集、还原处》理至总铬浓度—低于1.5m—g／L、六价—铬浓度低于》0.5mg／—L后再送全》厂污水处理》站进一步净化处理】 ， 5.【5.2？  制备化合物半】导体材料《砷化镓的原料高纯砷！的提纯过程产—生含砷废《水合成？后的砷化镓用王水清！洗后废弃的王水中含！砷砷化镓合成时砷】挥，发，物，冷凝：在石英管壁上—用王水？清洗：石英：管壁的？。。。废液也含砷废水(液！)含砷浓度较高时】应首先考《虑在：酸性条件下以硫【化，砷的：形式回收砷》；含砷浓度》较低时应首》先，将，三价砷？转变为五价砷再进一！步净化？处理因为三价状态】的砷：(A：s3+？)毒性20倍—于五价状态的砷(A！s，5+) 《 ，