：。。 5.5 — 半导体材料—制备 ！ 5.5.1— ，。 本：条对硅、锗材料制备！的生产废水处理作出！要求 》     1】。。。  采用《改良西？门子工艺生产—。多晶硅？。的，生产排水包括废气淋！洗水、硅芯》和硅：片腐蚀产生的污酸及！净化酸雾《产生的酸性》废水以？及硅：芯、硅片《。清洗水？等生产排水主要含氯！离子、氟离子可采】用，石，。灰中和处理使污染】物达标？或处理后《回用于氯化氢合成、！三氯氢硅合成、【三氯氢硅提》纯工序产《生的废气淋洗或硅芯！、硅片？腐蚀产生《的酸雾净化 【 ，     2 ！ 硅片加《工过程？产生含碳化硅、有】。机溶质的浆料应回】收其中的碳化—硅， —    3  【锗精矿加盐酸—氯化产出《的粗四氯化锗蒸馏、！复蒸、精馏生产【精四氯化《锗过程产《生的废水《含，氯离：子呈酸性四氯化锗水！解产出？二氧化？锗的同时产生的【水解母液也呈酸【性生产过程含盐酸的！废，气用水？吸收的淋《。洗液同？样呈酸性均》应采用中和法处理 ！    】 4：  ：。单晶硅、单晶—锗酸洗产《生的含氟化氢、氮氧！化物的废气通常采用！碱液淋洗《吸收处理淋洗液无论！呈酸性还《。是呈碱性都应—中和处理 ！。。。     5  六！价铬毒性《大因：此本：款为强制性条文【必须严格控制为了】检测单晶硅、—单晶锗产品的—晶体有无缺陷—等质量问题需要将晶！体放在含铬溶液中】浸泡因而产》生含：。铬废液？铬(：总铬及六价铬—)是第一类污—染物必须单独收【集、还原《处理至总《铬浓度低于1.5】。m，g／：L、六价《铬浓度？低于0.5mg／】L后再送全厂—。污水处理站进一步净！化，处理： ？。 5.5.2 ！ 制：备化合物半导体【材，料砷化？镓的原料高》纯砷的？提纯过程产生含砷废！水合成后的》。砷化镓用《王水：清洗后废弃的王水】中，含砷砷化镓合成时】。砷挥发？物冷：凝在石英管壁—上用王水清洗—石，英管壁的《。。废液：也含砷废《水(液)含砷浓【度较高时应首先考虑！在酸性条件》。下以硫化砷的形【式回：收砷；含砷浓度较】。低时应？首先将三价砷转变为！五价砷再进一步净化！处理因为三》价状态？的砷(As3+)】。毒性20倍于五价】状态的砷《(，As5+) 【