5》.5  半导体材】料制备 》 ： ， 5《.5.1  本条】对硅、锗材料制备】的生产废《水处理作出要求 】 《    《 1：  采用改良西门子！。工艺生产多晶硅【的生产？排水包括废气淋【洗水、硅芯和硅片】腐蚀产生的污酸及净！化酸雾产生》的酸性废水以及硅】芯、：硅片：清洗水等生产—排水主要含氯离子、！氟离子可采用—石灰中？和处理使污染—物达标或《处，理后回？用于：氯，化，氢合成、三氯氢硅合！成、三氯《氢硅提纯《工，序产生的废气淋洗】或硅芯？、硅片腐蚀产生的酸！雾净化 ！    2 —。 硅片加工过程产生！含碳化硅、有—机溶质的浆料应【回收其中的》碳，化硅 —。     —3  锗精》矿加盐酸氯化产出的！粗四氯化锗蒸—馏、复蒸、》精馏生？产精四氯化》锗过：程产生的废水含【氯离子呈《酸，。性四氯化锗水—解，产出：。二氧化锗的同时产】。生的水？解母液也呈酸性生】产过程含盐》酸的废气用水吸收的！淋洗液同样》呈酸性均应采—用中和法处理 ！   》 ， 4  单晶硅【、单晶？锗酸洗产生的含氟】化氢、氮氧化物的】废气通常采》用碱液淋洗吸收处】。理淋洗液无论—呈酸性还是呈—碱，性都应中《和处理 《 ，     5！  六价铬毒性大因！此，本款为强制性条文必！须严格控制为了【检测单晶硅、单晶锗！。产品的晶体有无缺】陷等质量问题需【要将晶体放》在含铬溶液中浸泡】因而产生《含铬废液铬(总铬】及六价铬)是第【一类污染《物必须单独收集【。、还原？处理至总铬浓度【低于1.5mg／L！、，六价铬浓度低于【0.5mg／L后】再送全厂污水处理站！进一步净化》处理 》 ： 5.5.》2  制《备化合物半》导体材料砷化镓的】原料高纯《砷的提纯过程—产，生含砷废水合成后的！砷化镓用王》水清洗后废弃的【王水中含砷砷—化镓合成时砷挥发】。物冷凝在石》英管：。壁上用王水清洗【石英管壁的废液也含！砷废水(《液)含砷浓度较【。高时应首先》考虑在酸性条件下以！硫化砷的形式—回收砷；含砷浓度】较低时应首先将【三价砷转《变为五价砷再进一步！净，化，处，理因为？三，价状态的砷(A【s3+)《毒性20《倍，于五价状态的—砷(As《5+) 》