5》.5  半导体【。材料制备 ！ 5《.5.1  本【条对硅？、，锗材料？。制备的生产废—水处理作出要求【 《     1 】 采用改良西—门子工？艺生产多晶硅的生产！排水包括废》气淋洗水《。、硅芯？和，。硅片腐蚀产生的【污酸及净化酸雾产】生的酸？性废水以及硅芯、】硅片清洗水等—生产排水主要含氯离！子，、氟离子《可采用？石灰中和《。处理使污染》物达标或处理后【回用于氯化氢合成】、三氯氢《硅合成、三氯—氢硅提？纯工序产生的废气】淋洗或硅芯、硅片】腐蚀产生的酸雾【净化 】    2  硅片！加工过程产生含【碳化硅、有机溶【质的浆料应回收【其，中的碳化硅 】 ，     3【  锗精矿加盐酸】氯化产出《的粗四氯化锗蒸馏】、复蒸？、精馏生产精—四氯化？锗，过，程产生的废水含氯】离子呈酸性四氯【化锗：水，解产出二氧》化锗：的同时？产生的水《解母液？也呈酸性生产过程含！盐酸的废气》用水吸收的》淋洗液同样呈酸性均！。应采：用中和法《处理 ？ ：     【4，  单晶硅》、，单晶锗酸洗》产，。生的含氟化氢、【氮氧化物的》废气通常采用碱液淋！洗，吸，。收处理淋洗》液无论？呈酸性还是》呈碱性都《。应中和处理 — 》  ：  5  六—价铬毒？性大因？此本款为《强制：性条：文必须严格控—制为了检测单晶【硅、单晶锗产品【的，晶体有？无缺陷等质量问题需！要将晶？体放在含铬》。溶液中浸泡》因而产生含铬废【液铬：。(，总铬及六价铬)是】第一类污染物必【须单独收《集、：还，原处理至总铬浓度】。低于：1.5？mg／L、六—价铬：浓度低于0.5m】g／L后再送全厂】污水处理站进一步净！。化处理 【 ：5.5.2  【制备化？合物半导体材料砷】化镓的原《料高纯砷的提纯过程！产生含砷废水合【成后的砷化镓用王】水清洗后废弃的【王水：中含砷砷化镓合【。成时：砷挥发物冷凝在石英！管壁上用王水—清洗石英管壁的废】液也含砷废》水(液)《含砷浓度《较高时应首先考虑在！酸性条件下以硫化砷！。的形：式回收？砷；：含砷浓度《较低时应《首，先将三价砷转变为五！价砷再进一》步，净化处？理因为三《价状：态的砷？。(As3+)毒性2！0，倍于五价状态的【砷(As5+) ！