5.—5 ?半导体材料制—备
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5:。.,。5.1?。 本条对硅、锗材!料制备的《生产废水处理—作,。出要:求
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: 1《 采用改》良西门子《工艺生?产多:晶硅的生产排水包】括废气淋洗》水、:。硅芯和硅片腐蚀产】生的污酸及》。净化:酸雾产生的酸性废】。水,以及硅芯、硅片清洗!水等生产排水—主要含氯离子、氟】离子:可采用石灰中和处】理使污染物达标或】处理:后,。回用:于氯:化氢合成、三氯氢】硅合成、三氯—氢硅提纯《工序产?生,的,废气淋洗或硅—芯、硅片腐蚀产生的!酸雾净化
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【 2:。 硅片加工过程】产生含?碳化硅、有机溶质的!浆料应回收其中的碳!化硅
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: 3 锗精】矿,加盐酸氯《化产出的《粗四:氯化锗?蒸馏、复《蒸、精馏《生产精四《氯化锗过程产—生的废?水含:氯离:。子呈酸性四》氯化锗水解产—出二氧化锗的—同时产生的水—解母液也《呈酸性生《产过程含盐酸的废气!用水吸收的淋—洗液同样呈酸性均】应采用中《和法处?理
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4—。 单晶硅、单晶】锗酸洗产生的含氟】化氢、氮氧化物的废!气通常采用碱液淋】洗吸收处理淋洗【液无论呈酸性还是】呈碱性都《应,中和处理《
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【 5 六价—铬毒:性大因?此本款?为强制性条》文必须严格控制为了!。检测:单晶硅、单晶—锗产:品的晶?体有无缺陷等质量】问题需要将晶体放在!含铬溶?液中:浸泡:因而产生含铬废液铬!。(总铬及六》价铬)是第一类【污染物必《须单独收集》、还原处理》至总铬浓度低—于1.5《mg/L、》六价铬浓《度低于0.5—mg/L《后再:送全厂污《水处理站《进一步净《化处理
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:5.5.《2 制《备,化合物半导体材料】砷化镓的原料—高纯砷的提纯—过程产生含砷废【水合:成后的砷化镓—用王水清洗》后废弃的王水中含砷!砷化镓合成时砷【挥发物冷《凝,在石英管壁上用王】水清洗石《英,管壁的废液也—含砷:废水(?液,)含砷浓度较—高时应首先考—虑在酸性条件下以】硫化砷的形式回收砷!;含砷浓度》较低时?应首先将三价砷转】变为五?价砷再进一步净【化处理因为三价状】态的砷(《As:。3+)毒性20倍】于五价状态的砷【(As5+)
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