《。4.5  半—导体材料制备— 4！.5.1  硅、锗！。材料制备废气治理】应，符合下列《要求： ， 《     1 【 ，氯化氢合成》和三氯？氢硅合成、提纯【。过程产生《的含氯化氢》的废气应设置淋【。洗塔：净化 — ：    2》  原料《储罐：进、出？料过程产生的含氯】硅烷的废《气应设？置淋洗塔净化— ， 》    3》  三？氯氢：硅还原尾气宜采用】干，法回收技《术回收氢气、氯【化氢、氯硅烷并【应返回？相应的工艺系统【。    ！ 4：  硅芯、硅片、锗！锭，腐蚀过？程产：生的含氟化》氢、氮氧《化物的废气应设【置碱液淋洗塔净化 ！ ？。     —5  硅《粉仓、锗精》矿仓产生的粉—尘应设置高效布袋】除尘系统回收—  【   6  氧化】锗制备过程产生【的尾气中含》有氯化氢、氯—。。气应设置碱》液，淋洗：。。装置净？化  】   7  单晶】硅、：单晶锗酸洗》过程：产生：的含：氟化氢、《氮氧：化物的废气应设【置，碱液淋洗《装置净化 》 ， ？ 4.5.2—  合成《砷化镓工序》必须设置事故排放】的含砷废气处理设施！。 ：