《4.5  》半导体材《料制备？ ： 》 4.5.1  硅！、锗材料制》备废气治理应—符，合下列要求 ！   《 ， 1  《氯化氢合成和三氯氢！硅合成、《。提纯过程产生—的含氯化氢的—废，气应设置淋》洗塔净化 【  《 ，  2  》。原，料，储罐进、出料过程】产生的含氯硅烷的废！气应设置淋》洗塔净化 》 《 ，。    3  三氯！氢硅还原尾气宜【采，用干法回收》技术回收氢气、氯化！氢、：氯硅烷并应返回相】应的工艺系统— 》。     4 【 硅芯、硅片—、锗锭腐蚀过程产生！的含氟化氢、—氮氧：化物的废《气应：设置碱液淋洗—塔净化 —     5】  硅粉仓、—。锗精矿？仓产生的粉尘应设】置高：效布袋？除尘系统回收 【  —   6  氧【化锗制备过》程产生？。。的尾气？中含有氯化氢、氯气！应设置碱液淋—洗装置净化 】 ，     7【  单晶硅、单晶】锗酸洗过程产生【。的含氟化氢、氮氧化！。物的废气应设置【碱液淋洗《装置：净化 《 4.—5.2 《 合：成砷化镓工序必须】设置事故排放的【含砷：废气处？理设施 》