4.5 】 ，半导体材料制备【。 ： —4.5.1  【硅、锗材《料制备？废气治理应符合下列！要求  ！   1  氯化】氢合成和《三氯氢硅合成、提纯！。过程产生的含氯【化氢：的废气应设》置淋洗塔净化— ， ：    —。 ，2  原料》储罐进、出料过程产！生的含氯硅烷的废气！应设置淋《洗塔：净化 ？  —。 ，  3  三氯氢】硅还原尾《气宜：采，用干法回收技术回收！氢气、？氯化氢、氯硅—。烷，并应返回相应—的工艺系统 【    【 ，4  硅芯》、硅片、《锗锭腐蚀过程产生】。的含氟化氢、氮氧化！物的废气应》设置碱液淋洗塔净化！   】  5  》硅粉：仓，、锗精矿仓产—生的粉尘《应设置？高效布袋除尘系【统回：收 ：。 ：     6】  氧化锗制—备过程产生》的尾气中含》有氯化氢、氯气【应设置碱液淋—洗装：置，。净，化，。 ： ？    《 7 ？ 单晶硅《、单晶锗酸》洗过：程产生？的，含，氟化：氢、：氮氧：化，物的废气应》设置碱液《。淋洗装置净化 】 4.5【.2  合成砷化】镓工序必须设—置事故排《放的含砷废气处理】设施 《