4》.5  《。半，导体材料制备 】 》 4.5.1—  硅、《锗材料制备废气【治理应符合下列要求！ 《     1  ！氯化氢？合成：和三：。。氯，氢硅合成《、提纯过程产—生的含氯化氢—的废气应《设置淋洗塔净—。化   ！  2  原料储罐！进、出料过程产生的！含，氯硅烷的废气应【设置淋洗塔》净化 《 ？     》。3  三《氯氢硅还原尾气【。宜采用干法回收技术！。回收氢气、》氯化氢、氯硅烷并】应返回？相应：的工艺系统 ！  ？ ，  4  硅—芯、硅片、锗锭腐蚀！过程：产生的含氟化氢、】氮氧化物的废—。气应设置碱液淋洗塔！净化 【  ：。   5  硅粉】。仓，、锗精矿仓产生的】粉尘应设置高—效布袋除《尘系统回收 【 ，   》 ， 6 ？ 氧：化锗制备过程产生】的尾气中含》有氯化氢、氯气应设！置，碱，液淋洗装置净化 】   【  ：7 ： 单晶硅、单—晶锗酸洗过程—产生的含氟化氢【、氮：氧化物的废气应设置！碱液淋洗装置净化】 4.】5.2  合成砷化！镓工序？必须设置《事故排放的含砷废】气处理设施 【