6.2【  防雷区和防雷击！电磁脉冲 》 — 6.2.1  】防，雷区的划分应符合下！列规定？ 》     1  本！区内的各物》体都：可能遭到《直接雷击并导走全】部雷电流以及本区】内的雷击电磁场【。强度：没有衰？减时应划分》为，LPZ？0A区 【。  ？   2《  本区内》。的各物体《不可：能遭到大于所—选，滚球半？径对应的雷电流直接！雷击以及《本区内的雷》击电磁场强度仍【没有衰减时应划分】为LPZ0B区【    ！ 3  本区内的】各物体不可能遭【。到直接雷击且由【于在界面处的分流】流经各导体的电【涌电流比LPZ0】B区内的更小以及本！区内的雷击电磁场强！度可能衰减衰—减程度取决》于屏蔽措施时应划分！为，LPZ1《区   ！  4？  ：需要进一《步减小？流入的电《涌电流和雷》击电磁场强度时增设！的后续防雷区应划分！为L：PZ2？···n《后续防雷区 】 6《.2.2《  ：安装磁场屏蔽后续防！雷区：、安装协《调配合好《的多组电涌保护【器宜按？需要保？。护，的设备的数》量、类型和》耐压水平及》。其所要求的磁场【环境选择（图6【.2.2） 【 ！ （a）采用大空间！屏蔽和协调配合好的！。电涌保？护器：保护 》 ？   ？ 注设备得到良好】的防导入电涌的保】护U2大大小于【U0和I《2大大小《于I0以及H2大大！小于H？0防辐射磁》场的保护 — — ？ （b）《采用LPZ1的【大空间屏蔽和—进户处安装电—。涌保：护器的？保护 【     注设备】得到防导入电涌的保！护U1小于U0和】I1：小于I0《以及H1小》于H0防《辐射磁场的保护 】 》 ？ （c）采用内！部线路屏蔽和在【进入LPZ1—处，。安装电涌保护器的】保护 》   》  注设备》得到防线路导入【电涌的保护》U，。2小于？。U0和I《2小于？I0：以及H？2小于？。H，0防辐射磁场的保护！ 【 》（d）？仅采用协调配合好的！电涌保护器保—护 ？     】注设备得到防线路导！。入电涌的保护U2】大大：小于U0和I2【大大小于I0但不需！要防H0辐射—磁场的？保护 【 6.2.3 【 ，在两个防《雷区的界面上—宜将所有通过—界，面的金属物做—等电位连接当线路能！承受所发生》的，。电，涌电：压时电涌保》护器：可安：装在被保护设备处】而线路的金属保护】层或屏蔽层宜首先于！界面处做一次—等电位连接 —     ！注LPZ0A与LP！Z0：B区之间无实物【界面 《