？。。 6：.2  防雷—区和：防雷击电磁脉冲 】 — 6.2.1 【 防雷？区的：划分应符合下—列规：定， ： ？     1  本！区，内的：。各物体都可能遭到直！接雷击并《导走全部雷电流以】及本区内的雷击电磁！场强度没有衰减时应！划分为LPZ0A】区 ： ， ？     2  本！区内的各物体不【可能：遭到大于所选滚球半！径对应的雷电—流直接雷击以及本区！内的：雷击电磁场强度仍没！有衰减时应划分为L！PZ0B区 —   【 ， 3  《本区内的各物—体不可能遭到直接】雷击：且由于在界面—处的分流流》经各导体的电涌电流！比，LP：Z0B区内的—更小以及本区内的雷！击电：磁场强度可》能衰减衰减程度【取决于屏蔽措施时】应，划，分为：LPZ1区 】。    — 4：  需要进一步【减小流入的》。电涌电流和雷击【电磁场强度》时增：。设的后续《防雷区应划分为LP！Z2··《·n后续《防雷区 ！6.2.2》  安装磁场屏蔽】。后续防雷区、—安装：协调配？合好：的多组电涌保护器宜！。按需：要保护的设备的数】。量、类？型和耐压水平及其所！。。要求的磁场环境选】择（图6.2.【2） 】 （【a）采用《大，空间屏蔽和协调配】合好：的电：涌保护器保护 ！     注设！备得到良好的防【导，入电涌的保护U2】大大小于U0和【I2大大《小于I0以及H【2大大小于H—0防：。辐，射磁场的保》。护 《 【 （b）采用【L，PZ1的《大空间屏蔽和进【户处安装电涌保护器！的保护？ — ，。   注设备—得到：防导入电涌的—保护U1小于U【0和I1《小于I？。0以及H1小于H】0防辐？射磁：场的保？护 《 】 （：c）采用内》部线路？屏蔽：和在进入LPZ【1处安装电涌—。保护器的保护 ！ ？    注设备【得到防？。线路导入电涌的【。保护U？2小于U《0和：I2小于I0—以及：H2小于H0—防，辐射：磁场的保护》 】。 ， （d）仅采用！。协调：配，合好的电涌保护【器，保护 ？    】 注设备得到防线路！导入电涌的保护U2！大大小？于U0和I2大【大小于I0但—。不，需，要防H？0辐射磁场》的保：护 【6.2.3  【在两个？防雷区的界面—上宜将？所，有通过界面的—金，属物做等电位连接】当线路能承受所【发生的电涌电压时电！。涌保护器可》安装：在被保护设》备处而线路的金【属保护层或屏蔽层宜！首先于界面处—做，一次等电位连接 ！ ：     —注LPZ0A与L】。PZ0B《。区之间无实》物界面 》