《6.2  防雷区】和防雷击电磁—脉冲 ！。 6.2.1  防！雷区的划分应符合下！列，规，定 》 ：    1  本】区内的各物》体都：可能遭到《直接雷？击并导？走全部雷电流—以及本区内的—雷击电磁场》强度没有衰减时【应，划分为LPZ0A区！   】 ， 2：  本区内》的，各，物，体，不可能遭到大于【所选滚球《。半径对应的雷—。电流直接雷击以及】本，区内的雷《击电磁场强度仍【没有衰减时》应，划分为？LPZ0B区 】     3！。  本区内的—各物体不可能遭到】直接雷击《且由：于在界面《处，的分流？流经各导体》的，电涌电？流比LPZ0B区内！的更小以及本区【内的雷击电磁场强】度可能衰减衰减程】度取决？于屏蔽措施时应划】。。分为L？PZ1区《 《   《  4  需—要进一？步减小流《入，的电：涌电流和雷击电磁场！强度时增设的后续防！雷区应划分为—LPZ2···【。n后续防雷区 ！。 6.2—.2  安装—磁场屏蔽后续—防雷区、安装协调】配合好的多组—。电涌保护《器宜按需要保护的】设备的数量、类型和！耐压：水，平，及其所？要求的磁场》环境选？择（图6.2.【2，） ？ 《 《 （a）采—用，大空：间，屏蔽和协调配合好】的电涌？保护器保护 】  《   注设备—得到良好的》防导入电涌》的保护U2大大小】于U0和I2大【大小于I0以及【H，2大大小于H0【防，辐，射磁场的《保护 ？。 — 》（b）？采，用LP？Z1的大空间屏蔽】和进户处安装—电涌保护器》的，保护 《 《    注》设备得到《防导入电《涌的保护《U1小于《U0和I1》。小于I？0，以及H1小于H0防！辐射：磁场的保《护 【 ？ ？（c）采用》内部线路《屏蔽和在进入—LPZ1处安—装电涌保护器的保护！   】 ， 注设备《。得到防线路导—入电涌的保护U2】。小于U0《和I2小《于I：0以及H2小于H0！防辐射磁《。。场的保？护 ： ？ 【 （：d）仅采用协—调，配，合好：。的电涌？。保护器保护 —    】。 注：设备：得到防线路导入电涌！的保护U2》大大小于U》0和I2大》大小于I《。0但不需《要防H0辐射磁场】的保护 》 6》.2.3  —在两个防雷区的界】面上宜将所有通过界！。面的金属物做等【电位连接《当线路能承受—。。所，发生的电涌电—压时电？。涌保护器可安装【在被保护设备处【而线路的金属保护层！或屏蔽层《宜首先于界面—处做一次等》电位：连，接 《 ，     注LP！。Z0A与LPZ0】B区之间《无实物界《面 ？