？ 6.2  防【雷区和防雷击电【磁脉冲？ 《 6.2.】。1  防雷》区的划分应符—合下列规《定 ？     】1  本区内的各】物体都可能遭到直接！雷击并导《走全部雷电流以及】本区内的雷击电磁】场强度没有衰减时应！划分为LPZ—0A区 《 《     2—  本区内的各【物体不可能遭—。到大于所《选滚球？半径对？。应的雷电《流直接？雷击以？及本：区内的雷击电磁【场强度仍没有衰减时！应划分为LPZ【0B：区 —     3—  本区内的各物体！不可能遭到直接雷】击且：由于：在界面处的分—流流经各导》体的：电涌电流比LPZ0！B区内的更小以及本！区内的雷击》电磁场强度可能衰】减衰减程度取决于】。屏蔽措？施时应划分为—LPZ1区 ！     —。4，  ：需要进一步减小流入！的电涌电《流和雷击电磁场【强度时增设》的后：续，防雷区应划分为LP！Z2···》n，后续防雷区 ！ 6.2.—2  安装磁—场，屏蔽后？续防雷区、安装【协调配合好》的，多组电涌《。。保护器宜按需要【保护的设《备的数量《、类型和耐压水【平及：其所要求的磁—场环：境选择（图6.2.！2） — 【 （：a）采用大空间【屏，蔽和协？调配合好的电—涌保护器保》护，  【。   注《设备得到良好—的防导入电涌—的保护U2大大小】。于U0和I2大大】小，于I0以及H2【大大小于H0防【辐射磁场的保—。护 【 ： （b）采用！。LPZ1的》大空间屏蔽》。和进户处安装电涌保！护器：的保护 —     注】。设备得到防导入电涌！的保护？U1小于U0—和I1小于I0以及！H1小于H》0防辐射磁场的【保护 — ， 《 ？（c）采《用内部线路》屏蔽和在《进，入LPZ1处—安装电？涌保护器的保护 】。    】 注设备得》到防：线路导入电》涌的保护U2小于U！。0和I2小于I【。0以及H2小于H】0，防辐射磁《场的：保护 》 ？ —（d）仅采》用协调配合好的【电涌保护《器保护？    ！ 注设备得到—防线路导入电涌的保！护，U2大大《小于U0和I—2大大小《于I0但不需要防】H0辐？射磁场的保》护 ？ 6.2.3！  在两个防—。雷区：的界面上宜将所【有通过？界面的金属物做【等电位？连接当线《路能承受所发—生，的电涌电《压时电涌保护器可】安装在被保》护设备处而线路【的，金属保护层或屏蔽】。层宜首先于界面处做！一次等电位连接 】 ？ ，     注LPZ！0A与LPZ0B区！之间无？实物界面 —