， 6.2  】防雷区和防》雷，。击电磁脉《冲 】 6.2.1—  防雷区的划分应！符合下列规》定 《  《   ？。1 ： 本区内《的各物体都可能遭】到直接雷击并—导走全部雷电—流以及本区内的雷击！。电，磁场强度没有衰减】时应划分为》LPZ？0A区 ！    《2  本区》内的各物体不可【能遭到大《于所选滚球》半径对应的雷电【流直：接雷击以及》本区内的雷击电磁】场强度仍没有衰减】。时应划分《为LPZ0B区 】 》    3  本】区内：的各物？体不可能遭到直接】雷击且由于在界【面处的分流流—经各：导体：的电：涌电流比LPZ0】B区内的更》小以及本区内的雷】击电磁场强度可能】衰减衰减程度取【决于屏蔽措施时【应划分为LPZ1区！。。   】。。  4？  需要进一步减小！流入的电涌》。电流和雷击电—磁，场强度时增设的后】续防：雷区应划《分为L？PZ2·《··n后续防雷区】 ， ， 6.2.】2  安装磁场屏】蔽后续防雷区、安装！协调配合好的多【组电涌保护器—宜按需要保护的【设备：的数：量、类型和耐压水平！及其所要求的磁场】环境选择（图—6.2.2） 】 》 （a【）采用大空间屏蔽】和协调配合好的电】。涌保护器保护—  【   注设》备得到良好》的防导？入电涌的保护U2】大大小于U0和I】。2大大小于》I0以及《H2大大小于H0防！辐射磁场的保护 】 《。 （b！）采用LPZ1【的大空间屏蔽—和进户处安装电涌保！护，。器的：保，护 ？    【。 注设备得到防导入！电涌的保护U—1小于？U0和I1小于I】0以及H1小—。于H0防《辐射磁场的保—护 ？ 】。 （c）采—用内部线路》屏蔽和在进》。入，LPZ1处安装【。电涌：保护器？的保护 《 《     注设备】得到防线路导—入，电涌的保护U2小于！U0和I2小于I】0以及H2小于【H0防辐射磁场【的保护 【 《 ？ （d）仅采用【协调配合《好的电？涌，保护器保护》 ：     注！设备得到《防线路导入》电涌：。的保：护U2大大小于U0！。。和I2大《大，小于I0但不需要防！H0辐射磁》。。场的保护《 》 6.2.》3  在两个防雷】区的界面上宜—将所有通过界—面的金属物做等【电位：连接当线路能—承受所发生的电涌】电压时电涌》保护器可《安装在被保护设【备处而线路的金属保！护，层，或屏蔽层宜首先于】界面处做一》次等电位《连，接  】   注LPZ【0A：与LP？Z0B区之》间无实物界面 【。 ，