6.2.1  防雷区的划分应符合下列规定：

    1  本区内的各物体都可能遭到直接雷击并导走全部雷电流，以及本区内的雷击电磁场强度没有衰减时，应划分为LPZ0A区。

    2  本区内的各物体不可能遭到大于所选滚球半径对应的雷电流直接雷击，以及本区内的雷击电磁场强度仍没有衰减时，应划分为LPZ0B区。

    3  本区内的各物体不可能遭到直接雷击，且由于在界面处的分流，流经各导体的电涌电流比LPZ0B区内的更小，以及本区内的雷击电磁场强度可能衰减，衰减程度取决于屏蔽措施时，应划分为LPZ1区。

    4  需要进一步减小流入的电涌电流和雷击电磁场强度时，增设的后续防雷区应划分为LPZ2···n后续防雷区。

6.2.2  安装磁场屏蔽后续防雷区、安装协调配合好的多组电涌保护器，宜按需要保护的设备的数量、类型和耐压水平及其所要求的磁场环境选择（图6.2.2）。

（a）采用大空间屏蔽和协调配合好的电涌保护器保护

    注：设备得到良好的防导入电涌的保护，U2大大小于U0和I2大大小于I0，以及H2大大小于H0防辐射磁场的保护。

（b）采用LPZ1的大空间屏蔽和进户处安装电涌保护器的保护

    注：设备得到防导入电涌的保护，U1小于U0和I1小于I0，以及H1小于H0防辐射磁场的保护。

（c）采用内部线路屏蔽和在进入LPZ1处安装电涌保护器的保护

    注：设备得到防线路导入电涌的保护，U2小于U0和I2小于I0，以及H2小于H0防辐射磁场的保护。

（d）仅采用协调配合好的电涌保护器保护

    注：设备得到防线路导入电涌的保护，U2大大小于U0和I2大大小于I0，但不需要防H0辐射磁场的保护。

6.2.3  在两个防雷区的界面上宜将所有通过界面的金属物做等电位连接。当线路能承受所发生的电涌电压时，电涌保护器可安装在被保护设备处，而线路的金属保护层或屏蔽层宜首先于界面处做一次等电位连接。

    注：LPZ0A与LPZ0B区之间无实物界面。