6.2【 防雷区和防雷击!电磁脉冲
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》6.2.1 防】雷区的划分应符【合下列规定
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—1 本区内的各】物体都?可能遭到直接—雷击并?导走全?部雷电流《以,。及本区内《的,雷击电磁场强度【没有:衰减时?应划分为L》PZ0A区》
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2 】本,区内的各物体不【可,能遭到大于所选【滚,。球半径对应的雷电流!直接雷?击以及本区内的雷击!电磁场强度仍没有】。。衰减:时应划分为L—PZ0B区
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—。3 ?本区内的各物体不可!能遭到直接雷击【且由于在《界面处的《分流流经各导体的】电,涌电流比L》PZ:0B区?内的更小以及—本区内的雷击电磁场!强度可?能衰减?衰减:程度取决于屏蔽措施!时应划分为LPZ1!区
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4 】 需:要进一步减小流入的!电涌电流和雷—击电:磁场强度时增—。设的后?续防雷区应划—。分为LPZ2···!n,后续防雷《区
6】.2.2 —安装:磁场:屏蔽后续防》雷区、安装协调配】合好的多《组电涌保护器—宜按需要保护的设备!的数量、类型和耐压!水,平及其所要求的磁场!环境选择(图—6.:2.2?)
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(a)采】。用大:。。空间屏?蔽,和协调配合好—的电涌保护器—保,护
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, 注设—。备得到良好的防导】入电涌的保护U2】大大小?于,U,0和I2大大—小,于I0以及》H2大大小于H0防!辐射磁场的保护
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(b)采用L【PZ1的大空—间屏蔽?和进户处安装—电涌保护器的保【护
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注】设备得到防导入电】涌的保护《U1小于U0和【I1:小,于I0以及》H1小于H0防辐】射磁场的保护—
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(c》)采用内部线路【屏蔽和在进入LP】Z1处安装》电涌保护器的保护】
【 注《。设备得到《防线路?导入:电涌的保护U2小于!U0和I2小—于,I,。0以及H《2小于H0防辐射磁!。场的保护
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】(d)?。仅采用协调配合好】的电涌保护器保【护,
《。。。
》 注设备得到防【线路导入电》涌的保护U2—大大小?于U:0和I2《大,大小于I0但不需】要防H0辐射磁场】的保护
!6.2.3》 在?两个防雷区的界面】。上宜将所有通过界面!的,金属物?做等电位连接—当,线路能承受所发【生的电涌电压—时电涌保护器可安】装在被保护设备处】而,线路:的金属保护层或【屏蔽层宜首先于界面!处做一次等电位连】接
【 ? 注L?PZ0A与LPZ0!B区之间《无实物界面
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