6.—2  ？防雷区？和防雷击电磁脉冲】 】6.2？.，1，。 ， 防雷？区的划分应符合下】列规定 ！    《1  ？。本，区内的各物体都可能！遭到直接雷击—。。并导走全《部雷电流以及本区内！的雷击电磁》场强：度没有衰《减时应划《。分为LPZ0—A区： ， ，   — ， 2  本区—内的各物体》不可能遭到大于所】选滚球半径对应的雷！。电流：直接：雷击以？及本区内的雷击电】磁场强度仍》没有：衰减时应划分为LP！Z0：。B区 《     】3  本区内的各物！体不可？能遭到直接》。雷击：且由：于在界面《处的分流流经各导】体的电涌电》流比L？PZ0B区内的更】小，以及本区内》的雷击电磁场强【。度，可能：衰减衰减程度取决】于屏蔽措施时应【划分为LPZ1【区 ： ，     4！  需？要进一步减小流入】的电涌电流和雷【击电磁场强度—时增设？的后：续防：雷，区应划分《为LPZ2》···n后续防雷】区 ？ 6.2【.2  安装—磁场屏蔽后》续防雷区、安装协调！配合好的《多，组电涌保护器宜按需！要保护的《设备的数量、—类型和？。耐压水平及其所要】。求的磁场环》境，选择（图6.2【.2） 《 ： — （a）—采用大空间屏蔽【和协调配《合，好的：电涌保护《器保护 》。   —  ：注设：备得到良《好的防导入电—涌的保护U2—大大小于《U0：和I2大大》小于I0以及—H2大大小于H0防！辐射磁？场的保护 — ： 【 （：b）采用LPZ1的！大空间屏蔽和进【户处安装电涌保护器！的保护 》     】。注设备得到》防导入电涌的保【护，U1小于U0和I】1小：于I0以及》H1：小于H0《防辐射？磁场的保《护 】 ， ： ， （c）《采用内部线路屏蔽和！在进入L《P，Z1处安装电—涌保：护器的保护 —。 》    注设备得到！。防线路？导入电涌的保护U2！小，于，U0和I《2小于I0》。以及：H2小于H》0防辐射磁场的【保护 》 ？ （【d）仅采《用协调配合好的电】涌保护器保护 ！。 ？    注》设备得到防》线路导入电》。涌的保护U》2大大小于U0和】。I2大？大小于I0但不需】要防H0辐射磁场的！保护 》 6《.2.3《  ：在两：个防雷区的界面上】宜将所有通过界面】的金属物做》。等电：位连接当线路能承】受所发生的电涌电】压时电涌保护器【可安装在被保护设】备处而线路的—金属保护《层或屏蔽层宜首先于！界面处做一次—等电位连接 —  —   注LPZ【0A：与LPZ0》B区之间无实物【界面 《