《6.2  防雷区】和防雷击《电磁脉冲 ！ 6.2.【1 ： ，防雷区的《划，分应符？合下列规定 — 》 ，   1  本区】内的：各物体都可能遭到直！接雷击并导走全部雷！电流以及本区内【的雷击电磁场强度没！有，衰减时应《划分为LPZ0A区！  【  ： 2 ？ 本区内的》各物体不《可能遭到大于—所选滚球半》径对：。应的雷电流直接【雷击：以，。及本区？内的：雷击电磁场》强度仍没有衰—减时应划分》为L：PZ0？B区 —  ？   3《  本区内的各物体！不可能？。遭到直？接雷击且由于在界】面处：的分流流经各—导体的？电涌电流《比LPZ0B区【内的更小《。以，及本区内的雷—击电：磁场强度可能衰【减衰减程度》取决于屏蔽措施时】应划分为LPZ1区！ ：     4！  需？。要进一步减小流【入的电涌电流和雷】击电磁场强度时【增设的？。后续防？雷区应划分为LP】。Z2·？··n后《续防雷区 】 6？.2：.2  《安装磁？场屏蔽后续防雷【区、安装协调配合好！的多组？电涌保？护器宜按需要保【护的设？备的数量、类—型和耐？。压水平及其所要求的！磁场环境《选择（图6.2【.2） 【 》 （a）—。采用大空间》屏蔽和协调配—合好：的电涌？保护器保《护，    ！ 注设备得到—。良好的防导入—电涌的保护U2【大，大小于U0和—I2大？大小：于I0以及H2大大！小于H？0，。防辐射磁场的保护 ！ ！ （b）》采用LPZ》1的大空间屏蔽【和，进户处安装》电涌保护器的—保护 《   —  注设备》。得到防导入》电涌的保护U—1小于U《0和：I1小于I0以【。。及H1小于H0防】辐射磁场的保—。护 【 ？。 （c）—采用内部《线路屏蔽和在—进入LPZ1处【安装电涌保护—器的保护 》 ？    》 注设备得》到防线路导入—电，涌的保护U2小于U！。0和I2小》于，I0以及H2小于H！0防辐射《磁场的保护》 ！ （《d）仅采用协—调，配合好的电》涌保：。护器保护 》     ！注设备？得到防？线路导？入电涌的保护U2大！大，小于：U0和I2》。大大小于I0—但不需要防H0辐】射磁场的保护 ！ 6.2.【。3，  在两《。个防雷区的界面上宜！将所：有通：过界面的金属物【做等电位《连接当线路能承受】所发生的电涌电压时！电涌：保护器可安》装在被保护设备【处而线路的金属保护！层或屏蔽《层宜首先《于界面处做一次等电！位连接 《  — ，  注LPZ—。0A：与，LPZ0B区之【。间无实物界面 【 ，