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2 术 ! 语
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》 本规?范的术语及定—义仅:限于本规范所涉及的!工程范围规范中未】定义的?术语可优先依据现】行国家标《准电工术语 【电磁兼容GB/T】 4365选用
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2—.,0.1? 由暗室》作为主要房》。间与:其他用房《、测:量系统、配套设施】等所组成的电磁波暗!室是受试设备电【磁性能测《试的实验《。室暗室的功能和技术!水平决定了电磁波】暗室的?能力
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: 暗室—内部指定《的区域即《受试设备性》能测:量应处于的区—域称:“静区”(或—“,测,试区”)在此区域内!的电磁环境》包括所要求电—磁信号和《限定:的电磁背景杂—波取决于采》用的测?量系统技术以及受】试设备测试项目内】容对测试结果不确定!度的要求《能够实现其》要求的电磁环境【则主要是《依赖于暗室的型体】和尺寸、采用的吸】波技术(《或有屏蔽要求的屏】蔽技术)《、测量系统技术和内!部,场,地布局等
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2.0.2【 所有电磁波暗】室的功?能性房间均应包括测!控间此外还可根据】暗室的类别》、测:。量系统和试验项目】内容不?。。同包:括不同?的设备间《以及受试设》备进行不同》性能试验的试验【间设:备,间一般包括馈源间】、功放间、负载【。间、信?号间等
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2.0.4 【 暗室电磁背景【杂波主要是暗室【内,部各种界面对电磁】波信号所《。产生:。反射和散射的相干】杂散信号以及—。外界泄漏到暗室内】。的电磁?噪声:这些杂波存》在会对暗室内试验】。测量的结果造成【不利影响
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2.0《。.5 《暗室静区由位—置、范?围、静?区内的电磁信号性能!和静区?。静度等四个要素构】成暗室静区是暗室工!。程,建设的最核心内【容对于已建》成的暗室随着受试设!。备的工作频率、尺寸!。大小和试验状态、】测量:项目内容和》不确定度的要求【、采用的《不同测量系统—暗室静区四个要【素的量值是不一样】的对于待建暗室应根!据上述?受试设备的不同内】容和要求设计暗室型!体和尺寸、》。布局测量《系统采?用合理的吸波和【屏蔽技术满足—暗,室,静区四个要素的【不同:量值要求
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2.0.】6 静区范围内】。电磁背景杂波是指】落入静区内的不利于!测试的电磁波—能量包括测试—信号被暗室内—各种物体界面反【射,和散射到静区的【相干杂散测试信号以!及外界泄漏到暗室静!区的电磁噪声两者的!总合:。。成电平是电》磁背景杂波》
2.0!.7 对静区内电!磁,波信号的要求主要】是幅度均《。匀性和相位一—致性对其《要求既取决于测试】项目:内容又取决于系统】分配给电磁波信【号传:播对受试设》备性能测量》不确定度的贡—献程度因此对静区】电磁信?号特性的具体要求】应根据项目不同而】异
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2.0.8【 , 测试信号电磁波】在暗室内壁界面处】。产生的反《射如指?向静区则《在此反射处的—一,定区域范围》内大:部分:能量反射到静—区此主要反射—。区域通常以较—低阶数的菲涅尔【区域:所,包围的范围界定
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2.0.9 】 在满?足电磁波远》场区最?小距离要《求条:件下被测《对象天线口面—横向:尺寸范围内的电【磁场:波前分布能够—满足:。相位误差要求一般情!况下当需要》满足球面波前相位偏!离,。π/8?要求的情况下—远场最小距离应【大,。于2D?2/λ其中D为天线!。口面有效横向尺【寸λ为工作波—。长
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2.0《.10? :近场区包《括辐:射近场区和电—。抗,性近场区其中辐射近!场区其范围介于电抗!性近场区范围(在λ!/2π以内)和最】小距离远场区范围(!2D2/λ》)之间暗《室工程的近场—。。区是指辐射近场区】一,。般在3λ《~10λ范围内【需,满,足大于λ/》。2π且小《于2:D2/λ的要—求
2.!0,.1:1, , 产生紧缩场的测】量系统一般常用【高精度的单》反射:面天:。线系统或高精度的双!反射面?天线系统
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2.0【.13?。 影响交叉极【化隔离度《的因素有《多种主要有系统【设备加工精度—、,装配和?。。安装误差、测—量,技术:误差、传输环境【产生的误差等—作为暗室工》程注重于传输因素】对交叉?极化隔离度的影响程!度
【2.0.1》4 电磁波在不】同路径传《输中的能量》衰减程度是与传输】介质特性、》传输路径长短、【电磁波频率》。。等,。因素密?切相关的
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2.《0.1?5 辐射功率密度!的单位在暗室工【程中根据使用领域的!不同常?。采用dBkW/m】2,、,dB:mW/m2、—dB:mW/cm》2、dBμW—/cm2
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2.【。0.16 电磁】波,吸收材?料根据应用场合和性!能要求的不》同,其结构形式、尺寸】、材质多种》多样在?暗室工程中应该合理!选择
】2.0.17— 电磁波吸收【材料的反《射性:能在:其他情况不》。变的情况《下与电磁波》投射到材料表面【的入射角度关—系密切通常吸波【材料:提供的?是,垂直投?射界:面状态下的反射性能!暗室工程技》。。术特:别要:重视投射角度的变化!所引起?。。的,材料反射性能的变】化
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