2 术】。 语》
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, , 本规范的术】语及定义仅限—于本规范所涉及的工!程范围规范中未定】义的术语可》。优先依据《现行:国家标准电》工术语 电磁【兼容GB/》T 4?。365?选用
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2.—0,.1 由暗室【作为主要房间与【其他用?房、测量系统、配】套设:施等所组成的电磁波!暗室:是受试设备电磁性能!测试:的实验室暗》室,的功能和《技术水平决定—了电磁?波,暗室的能力
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— 暗:室内部指定》的区域即《受试设备性能—测,量应:处于的区《域称:“静:区”(或“测试【区,”)在此区》域内的电《磁环境包括》所要求电磁》信号和限定的电磁背!景杂波取决》于采用的《测量系?统技术以及受试【设备:测试项目内》容对测试结果不【确定度的要求能【够实现其要求的电磁!环境:则主要是依》赖于暗?室的型体和尺寸、】采用的吸波技术(】或有屏?蔽要求的《屏蔽技术《)、测量《系,统技术和内部场地】布局:等
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2.0.—2 所《有电磁波暗室的功能!性房间均应》。包,。括测控间《此外还可根据暗室】。的类别、测》量系统和《试,验项目内容不同包括!不同的设备间以【。及受试?设备进行不同—性能试验的试验间】设备间一般包括【馈源间、功放间【、负载间、信号间】等
【2,.0.4《 暗?室电磁背《景杂波主要是暗【。。室内部?各种界面对电磁【波信号所产生反【。射和散射的相干杂】散信号以及外界泄】漏到暗室内的电磁】噪声这些杂波存【在会对暗《室内试验测》量的结果造成—不利影响
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2.0《.5 暗室静【区由位?置、范围、静区【内的电磁《信号性能和静—区静度?。等四个要《素构成暗室静区是暗!室工程建《设的最核心内容【对于已建成的暗【室随着受试设备【的工作频率、尺寸】大,小和试验状态、【测量项目内容和【不确:定度的?要求、采用的不【同测量系统暗—室静区四个要素的】量值是不一样的【对,于,待建暗室应根据上述!受试:设备的不同内—容和:要求设?。计,暗室型体《和尺:寸、布局《。测量系统采》用合理的吸波和屏蔽!技,术满足暗室静—区四个要素的不同量!值要求
!2.0.6 【静区:范围:。。。内电磁背景》杂波是指落入—静区内的不利于【测试的?电,磁波能量包括测【试信号被暗室内各】种物体界面反射和】散射到静区》的相干杂散测—试信号?以及外界泄漏到【暗,室静区的《电磁:噪声两者的总—合成电平《是电磁背景》杂波
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》2.0.《7, :对静区内电磁波信】号,的要求主要是—幅度均匀性和相【位一致性对其要【求,既取决于测》试项目内容又取决】。于系统分配给电磁】波信:号,传播对受试》设备性能测量—不确定度的贡—。献程度因此对静【区电磁?信号特性的》具体要求《应根据项目不同而】异
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2?.0.8 》 测试信号》电磁波在暗室—内,壁界面处产生的反】射如指向静区—则在此反射处的【一定区域范》围内大部分能—量反射到《静区此主《要反射区域通常以】较低:阶数的菲《涅尔区域所包围的范!围,界定
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2.0.9 】在满足?电磁波远场区最小距!离要求条件下被测对!象天线?口面横向尺寸—范围内的电磁场波前!分布能够满足相【位误差要求》一般情况下》当,需要满足球面波前】相位偏离π/—8要求?的情:况下远场最小距【离,应大:。于2D2/λ其中D!为天线口面有效【横向:尺寸:λ为:工作波长
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2.—。0.10 近【场区包括《辐射近场区》和电抗性近场区其】中辐:射近场区其范围介】于电抗性《。近场:区范围(《在λ/2π》以,。内):。。和,最小距?离远场区范围(【2D2/λ)之【。间暗室工程的—近场区是《指辐射?近场区一般在—。3λ~10λ范【围内需?满足大于λ》。/2π且小于—2D:2/λ的要求—
—2,.0.?。11 产生紧【缩场的测量系统一般!常用高精度的单反射!面天:线系统?。或高精?度的双反射》面,。天线系统
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2.0—.,。13 影响交叉】极化隔离度的因素】有多种主要有系统设!。备,。加工:精,度,。。、装配和《安,装误差、测量技术】误差:、传输环境》产生的?。误差等作为暗—。室工程?注重于传《输因素对交叉极化】隔离度的影》响程度
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2.0.—。14 电磁波【在不同路径》。。传输中的能量—衰减程?度是与传输介质特性!、传输路径长短【、电磁波《频率等因素密切【相关的
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2.0.1!5 ?辐射功率密度的单】位在暗室工程—中根据使用领域【的不同常采用dB】k,W/m2、dBm】W/m2、dBm】W/cm2》、d:BμW/cm—2
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2.0.1—。6, 电磁波吸—收材料?。根据应?用场合?和性能要求》的不同其结构形式、!尺寸、材质》多种多样在》。。暗室工?程,中应:。该合理选择
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2.0.【17 电磁波吸】收,材料的?反射:性能在其他情况【不变的情况下与【电磁波投射到材料表!面的入?射角度关系密切通】常吸波材料提供【的是垂直投》射界面状《态下的反射性能暗室!工程技术《特别要?重视投射角度—的变:化所:引起的?材料反射《性能的?变化:
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