。 2  术 ！   语 ！     本规！范的术语及》定义仅限于本规【范所涉及的工—程，范围规范中未定【义的术语可优先【依据现行国家标【准电工术语  电磁！。兼容GB/T 【43：65选用 》 2.0.！1  由暗室作为主！要房间与其他用房】、测量系统》、配套设施等所组】成的电？磁波暗？室是：受试设备电磁性【。能测：试的实验室暗室的功！能和技术水》平决定了电磁波【暗室的能力 ！     暗室】内，部，指定的区域》即受试设《备性：能，测量应处于的区【域称“？静区”（或“测【。试区”）在此区域内！的电磁环《。。境包：括所要求电磁—信号和限《定的电？磁背景杂波取决【。于采用的测量系统技！术以及受试设备【测试项目内》容对测试结果不【确定度的要》求能够实现其—要，求的电磁环》境则主要《是依赖于暗室的【型体和尺寸、—采用的吸波技术（或！有屏蔽要求的屏【蔽技术）、测量系统！技术和内部场地【布局等 ！2.：0.2  所有【电磁：波暗室的功能性房】间，均应包括测》控间此外还可根据】暗室的类别、测【量系统？和试验项目内容不同！包，括不同的设备间【以及受试设备进【行不同性能》试验的试《验，。间设备间一般包括馈！源间、功放间、负载！间、信号《间等 》 2.0.4】  暗室电磁背景】杂波主要是暗—室内部各种界面对电！磁波：信号所产生反射和】。散射的相《。干杂散信号以—及，外界泄？漏到：暗室内的《电磁噪声这些—杂，波存在会对暗室内试！验测量的结果造成】不利影响《 2.0！.5  暗室静区】由位置？、范围、静区—内的电磁《信号性？能和静区静度等【四个要素构成暗室】静区：是暗室工《程建设的最核心内容！对于已建成的暗室】随着受试设备的工作！频率、？尺寸大小《和试验状《态、测量项目内容】和不确定度的—要求、采用的不同】测量系统暗室静区四！个要素的量值—是不一样的对于【待建暗？室应根？据上：述受试设备的不同内！容和要求《设计暗室《型，体和尺寸、布局【。测，。量系统采用》合理的吸《波和屏蔽技术—满足暗室《静区：四，个要素的不同—量值要求《 2.0！.6  静区范围】内电磁背景杂波是指！落，入静区内的不利于】测试：的电磁波能量包括测！试信号被暗室内各】。种物体界面反射和】散射到静《。区的相干杂散测试信！号以及外界泄漏【到暗：室静区的电》。磁噪声？两者的总《合成电平是电磁背】景杂：波 【2.0.《7  对《静区内电磁波信【号的要求主要是幅】度均匀性《和相位一致性对其】要求既取决于测【试项目内容又取决于！系统分配给电—磁波信号《传播：对受试设备》性能测量不确—定度的贡献程度因此！对静区？电，磁信号特《性的具体要求应【根据项目《不同而异 —。 2.0.8！  测试信》。。号电磁波在暗室【内，壁，界面处产《生的反射如指向静】区则在此反射—处的一定区域范【围内：大部：分能量？反射到静区》此主要？反射区域通常以较低！阶数的菲涅尔区【。。域，所包：围的范围界定 ！ 2.0.9】  在满《足，电磁波？远，场区最小距离要求】条件下被测对象天线！口面横向尺寸范【围内的？电磁场波前》分布能够满足—相位误差《要求一般情况下当】需要满足球面—波前相位偏离π【/8要求的情—况下远场最小距【离应大于2D—2/λ其中》D为天线口面有【效横向尺寸λ为工】作波长 《 ？ 2？.0.10》  近场区包括辐】射近场区和电抗性】近场区其中》辐射近场区其范围介！于电抗？性近场区范围—（在λ/2π以内）！和最小距离远场【区范围（2》D2：/λ）之间暗—室工程的近场—区是指辐射近场区】一般在3λ～10λ！范围内需满》足大于λ/2π且小！于2D2/λ的要求！ 《 2.0.—11  产生—紧缩场的测量系统】一般常用高精—度的单反射面—天线：系，统或高？精度的双《反射面天线》系统 《 ， 2《。.0.13  【影响交叉极化隔【离度的？。因素有多《种主要有系统设【备加工精度、装配和！安装误差、测量技术！误差、传输环—境产生的误差等【作为暗？室工程注《。。重于传输因素对交】叉极化隔离度—的影响程度 ！ 2.0.1【4  电磁波在不】。同路径传输中的【能量衰减程度是【与传输介质特—性、：传，输路：径长短、电磁波频】。率等：因素密切《相关：的 ？ 2.0.】15  辐》射功率密度的单位在！暗，室工程中根据—使用领域《的不同常采》用d：BkW/《m2、dBm—W/m2、dBmW！/，cm2？、d：B，μ，W/cm2》 2【.0.16》  电磁波吸—收材料？根据应？用场合？和性能要求的不同其！。结，构形式、尺寸、材质！多，种多样在暗室工程】中应该合理选择 ！ 2.0【.1：7  电《磁波吸收材料的反射！性能在其他情—况不变的《。情况下与电磁波【投射到材料表面的入！射角度关系》密切：通常吸波材》料提供的是垂—。直投射界面状态【下的反射性》能暗室工程技术特别！要重视投射角度的变！化，所引起的材料反【射性能的《变化 《