？ 16  半导【体材料？厂车间电力设计 ！ 16．！。0．2？。  因？通电时间短其—他用电设备尚未投】入运行此时电源【的负荷率很低完全】。可满足？。这些短时用》电的负？荷所以不必再计算这！。。类负荷的用电及无功！动率补偿 — 《16：．0．？3，  ：三氯：氢硅合成炉的工【。频，感，应线：圈有三种计算—方法即变《压器法？、贝塞函数法和实】验，曲线法本规》范推荐采用实验【曲线法该《法是在某种特定【条件下用实际—的感应加《热器做实验得出【的曲线并《以此作为计算—的基础该《法计算？简洁误差《允许便于应用— ， 1—6，．0．？4，  过去这类电控】设计电力和仪—表专业由于》配合不当常常出现各！搞，一套的不协调局面】为改变这种》状况使电控系—统的设计更加—合理更有利》于监控和管》理避免？不协调现象继续发生！特制定此条 【   —  ：在控制？室内：设有正压通风—是，。为防止SiHCI3！（或Si《Cl4）气体对电控！设备的腐蚀》但吸风口应设在【户外或经简易过滤】装置：保证控？。制室内空《。气纯：净 ？ 《1，6．0．5》  多晶硅的—电气室是一个—专用的电气》室为：。了方便维护管理【减少：占地面积并经多年】实践：证明高、《低压设备同室—布置完全可行本规】范加以推《荐如电气设备为【油浸式冷《却方式按防》火要：求，两设备之间应设防火！隔，墙并设排油设—施 《 ？。16．？0．6？  为减少电—。能损耗便于》维，护管理多晶硅—氢还原？炉电气室通》常与多晶硅氢—还原炉室上下毗【邻为了防止三—。氯氢硅气体和氢气渗！。入，电气：。室所以？在两：室，之间严禁《开设门窗及其他孔洞！电源：。线的穿越处》应做严密封堵为安全！起见：与电气室《。无关的管道不应通过！电，气室：否则应采取》隔离设施 】 16．0—．，7，  当？。还原炉高压启动和】还原：生产时？还原炉内常有异【常现象发生需常去电！气室观察电气设【备运行情《况因此？。在还原炉控制室【和电气室之间设一个！便于联系的》。。通道十分必要 】 16．0】．9 ？ 变压？器中性线过热是各半！导体材料厂一致反映！的问：题采取了《加大中性线截面的】措施效果《较好Dyn11【型变压器比》Yyn？0型变压器》。对于限？。。制三次谐波降—低零：序阻抗提《高单相短路电流和保！护，装置：的灵：敏度具？。有明显的优越—性， —1，6．0？．，1，0  在单晶—炉和区熔炉附近设开！关箱有？利于单晶炉、区【熔炉：的断电检《修和调试确保安全】 《 1？6．0．11  】单晶炉、区熔炉及物！测室的？测试仪？器对电压稳定度要求！较高电？压波动直接影响【单晶体的形成和【测试精度因此对这】些设备最好由单独的！变压器供电 【 16—．0．12  装设！电源滤波装置是【为，了，抑制区熔炉高—频装置2MC～4】MC高频电源—沿供电？线路：进行传？导干扰滤《波器的安《装，位置主要考虑线路】。。简洁就？地抑制所以一般是】安装：在屏蔽室《外墙的电源进线处滤！波器的接地》可借助？屏蔽：室的高频接地用镀锌！铜板制作接地装置是！根，据北京？劳防所？提供的实践资料并征！求上：海电科所《的意见？确定的生产》厂反映效果良好【高频：接，地的接地线长—度应避开λ》/4及λ/》4，的，奇，数倍是为《了减少接《地线可能出现的干扰！当，。接地：线长度为高频设【备工作波《长的1/4或1/4！工作波长的奇—数倍：时其阻抗为无—穷大此时《它相当于《一根天线可接收或】辐，射干扰信号故—应避开采用这个【长度设？计中接地线做得越短！越好 ？ ，。 ， 16．—0，．13  本条规】定是为了防止电源】滤波器未加屏—蔽的配？电线路经高频耦【合越过？滤波器对电源进行】干扰 ？ 16．】0．14  区熔】炉的槽路接地是高频！装置要求的每台【。。设备单独设》接地装置《是为了？防止相互干扰 【。 16．】0．1？5  本条规定【是为：了使设备《冷却水断水能及时】发现并加以保护防】止断水运行烧坏设】备， 16】．0．？16 ？ 物测室装设电【源滤波器《是为了由电源线传入！高频干扰《信号做成一点接地】的目的是防止不【同的大地电位—经屏蔽网进行干扰】 16．！0．17  防止】。经电力、照》。明线：路及荧光灯的镇流器！向室内进行干—扰 ： 《 16．0．18】  这样做是为【了减：。少泄漏以提高屏蔽】室的屏蔽效能 】