《16  半导体【材料厂车间电力设计！ ， ， ： 1》。6．0．《2  因通电时间】短其他用电》设备尚未投入运【行，此时电源的》负荷率很《低完全可满足—这些短时《用电的？负荷：所以不必《再计算这类负荷的用！电及无功动》率补偿 《 1—6．：0．3？  三氯氢硅—合成：炉的工频感应线圈】有三种计算方法即】变压器法《、贝：塞函数法和》实验曲线法本规范推！荐采用？。。实验曲线法该—法，。是在某种特定条【件下用实际的感【应加热器做实验得出！的曲线并以此作为计！算的基础该法计算】简洁误差允许—。便于应用 》 ， 1》6．0．4 — 过去这类电控设计！电，力和：仪表专业由于配【合不当常常出现各】搞一套？的不：协调局面为改变这种！状况使电控系统的】设计更加合理—更有：利，于监控和管理—避免不协《调现：象继：续发：生，特制定此《条 》     在【控，制室：内设有正压通风【是为：防止SiHC—I3（或《SiCl4）气【体对电控设备—的腐蚀？。但，吸风口？应设：在户外或经》。简易过？滤装：置保证控制》室内空气纯净— 16】．0．5  多【晶硅的？电气室？是一个专用》的电气室为了—方便：维护管理减》少占地面积并—经多年实《践证明高、低压【设备同？室布置完全可—。行本规范加以推荐】如电气设备为油【浸式冷却方式按防火！要求两设备》之间应设《防火：隔墙并设排油设施】 《 ：16．0．》6  为减少—电，能损耗便于维护【管理多晶《硅氢还原炉电气室】通，常与多晶硅氢还原】。炉室上下毗邻—为了防止三氯氢硅】气体和氢气渗—。入电气室所以在两】室之间严禁开设门】窗及：其他孔洞电》源线的？穿越处应做严密封堵！为，安，全起见与电》气室无关的管—道不应通《过电气？室否则？应采取隔离设施【 ， 16．】0．7  当还【原炉：高压启动和还原生】产时还原《炉内常有《异常现象发生需【常去电气室观察【电气设？备运行情况因此在】还原炉控制室和电】气室之间设一—个便于联系》的通道十分必—要 【16．0．9—  变压器中性线】过热是？各半导体材料厂一】致反映的问题采取了！加，大中性？线截面的措施效果较！好Dyn11型变压！器比Yyn0型变】压器：对，于限制三次谐波降低！零序阻抗提高单相短！路电流和保护—装置的灵《敏，度，。具有明显的优越性 ！ ： 1《6．0．10  在！单，晶炉和区熔》。炉，附近设开关箱有利】于单晶炉、区熔【炉的断电《检修和？调试确保安全— 《 16．0．1】1  单晶炉、区熔！炉及物测室的—测试仪器对电压稳定！度要求较《高电压波动直接【影响单晶体的形成和！测试精度因》此对这些设备最好】由单独？的变压器供电 ！ ， ：16．0．12 】 装设电源滤波装】置是为了抑制—区熔炉高《频装置2MC～【4MC高《频电源沿《供电线路进行—传导干扰《滤波：器的安装位置主要】考虑：线路简？洁就地抑制所以一般！。是安装在《屏，蔽室外墙《的电源进线》处滤波器的接—地可借助屏蔽—室，的高频接地用镀锌铜！。板制作接地》装置是根据北—京劳防？。所提供的《实践资料《。。并征求上海电科所的！意见：确定：的生产？厂，反映效？果良好高频接地【的接地线长度应避开！λ，/4及λ/4的奇】数倍是？为了减少接地线【可能出现的干扰【当接地线长度为【高，频设备工作波长的】1/4或1/4工作！。波长的奇数倍—时其阻抗为无穷大此！时它相当《于一根天线》可接收或辐射—干扰信号故应—避开采用这个长度】设计中接地线—做得越短越好 ！。。 1《6．：。0，．13  本条规】定是：。为了防止电源—滤波器未加屏蔽【的配电？线路经高频耦合越】过滤波器对电源【进行干扰 — 1》6．0．14  】区熔炉的槽路接地】是，高频：装置要求的每台设】备单独设接》地装置是为》。了防止？相互干扰 】 ， 16．0》．15 《 本条规定是—为了使设备》冷却水断《水能及时《发现并加《以保护防止断—水运行烧坏设备 】 1—6．0．1》6  ？物测室装设》电源滤波器是为了】由电源线《。传入：高频：干扰信号做成一【点接地的目的是【防，止不同的大地电【。位经屏蔽网进行干】扰 1】6．0．17—  防？。止经电力、》照明线路及》荧光灯的《镇流器向室内进行干！扰 ： 16．0！．1：8  这样做是【为了减少《泄，漏以：提高屏蔽室的屏蔽】效能 《