， 1《6  半导体材料】厂车间电力》设计 》 16【．0．2《  因通电》时间短其他》用电设备尚未投【入，运行此时电》源的负荷率》。很低完全可满足这】些短时用电的负荷所！以不：必再计算这类负荷的！用电及无功动率补偿！ 16】．0．？3  三氯氢硅合成！炉的工频感应线【圈有三种计算方【法，即变：压器：法、贝塞函》。数法：和实验曲线》法本规范推》荐，采用实验曲线—法该法是在某种特】。定条件下用实际的】感，应加热？器做实验得出的曲线！并以此？作为计算的基础【。该法计？。算，简洁误？差允：许便于应用 ！ 16．》0．4  》过去这类《电控：设计电力《和，仪表：专业由于配合不【当，常常出？现各搞？一套的不协》调局面为改变这种状！况使电控系》统的设？计，更加合理更》有利于？监控和管理避免不协！调现：象继续发生特制定】。。此条 》     在控！制室内设《有正压通风是—为防止SiHCI】3（或？SiCl4）气【体对电控设备的腐蚀！但吸风口应设在户】外或经简易过滤装置！保证控制室内—空气纯净《 —1，6．0？．5  多晶硅【的电气室《是一个专用》的电：气室为了方便维【护管理减少占地面】积并经多年实践证明！高、低压《设备同室《布置：完全可行本规—范加：以推荐如《电气设备为油浸式】冷却方式《。按，防火要求两》设备之间《应设防火隔墙并设】排油：设施 1！6．0．6》  为？减少电？能损耗？便于维护《管理多晶硅》氢还原炉电气—室通：。常与多晶硅氢—还原炉室上下毗邻为！了防：止三氯氢硅气—体和氢气《渗入电气室所—以在两室之》间严：禁开：设门窗及其》他孔洞电《。源线的？穿，越，处应：做，严密封堵《为安全起见与电气室！无关的管《道不应通过电气室否！则应：采取：。隔离设施 】 16．0．7 ！ 当：还原炉高压启动和还！原生产？时还原炉《内常有异《常现象发生需常去】电，气，。室观：察电：气设：备运行情况因此在还！原炉控？制室和电气》室之：间设：一个便？于联系的通道十【分必要 】 ，1，6．：。0．：。9  变压器中【性线过热是各半导】体，材料厂一《致反映的问题采【取了：加大中性线截面【的措施效果》较好Dy《n11型变压—器比Yyn0型变】压器对于限制三次】。谐波降低零序—阻抗提高单相短路】电流：和，保护装置的灵敏度】。具有明显的优越性 ！ 《 16．0》．10  在单晶】炉和区熔炉附—近设开关箱有利于单！晶炉、区熔炉的断电！检修：和调试确保安全 ！ 16．【。0．11  —单晶炉？、，区熔炉及《。物测室？的测试仪器对电压稳！定度要求较》高电压波动》直接影响单晶体的形！成和测试《精度因此《对这些设备最好由】单独的变压器供电 ！ ？ 16《．0：．，。12  装设电源滤！。波装置？是为了抑制区熔炉高！频装置？2MC～4》M，C高频电源沿供电线！路进行传《导干扰滤波》器的安装位置主【要考虑线路简洁就地！抑制所以一般是安】装在屏蔽室外墙的】电源进线《处滤波器的接地可借！助屏蔽室的》高频接地用镀—锌铜板制作接—地装置是根》据北京劳防》所提：供的实践资料—并征求？上，海电科所的》。意见确定的生—产厂反映效果良好高！频接地？的接地线长》度应避开λ/4【及，λ/4的奇数倍是为！了减少接地线可【。能出现？的干扰？当接地线长度为【高频设备工作波长】的1/4或1/4工！作波长？的奇数倍《时其阻抗为无穷大此！时它相当于一根【天线可接收或辐射干！扰信号故应》避开采用这》个长度设《计中接地线做得越短！越好 【 16．0．1【3  本条》规定是为了》防止电源《滤波器未加屏—蔽的配？电线路经高频耦合越！过滤波器对电源进】行干扰 】 16．0》．14  》。区，。。熔炉的槽路接地是】高频装置要求的每台！。设备单？独设接地装置—是为：了防止相互干扰 ！ 16．0】．15  本—条规：定是为了使设备冷】却水断水能及—时发现并加以—保，护防止断水运行烧坏！设备 《 ， 16．0．1！6  物测室—装设电源滤波器【是，为了由电源》线传入高《频，干扰信号做成—一点接？地的目的《是防止不同的大地电！位经：屏蔽网？进行：干扰 ？ 16．0！．17  防止【。经电力、照明—线路及荧光》。灯的镇？流器向室内》进行干扰 】 16．0—．18  这样做】是为：了减少泄漏以提高】屏蔽室的屏蔽—效能 ？ ，