？ 16  》半导体？材料厂车间》电力设计《 ， 》 ， 16．《0．：2  ？因通电时间短其【他用电设备》尚未：投入运行此时—电源的负《荷率很低完全—可满足这些短时用】。电的：负荷：所以不必再计算这类！负荷的用电及无【功动率补偿 】 16．0【．3  三氯氢硅合！成炉：的工：频感应线圈有—三种：计算方法即变压【器法：、贝塞函数法和实】验曲线法本规范【推荐采用实验—曲线法该法是在某种！特定条？件下：用实际的感应加热器！做实：。验得出的曲线—并以此作为计算的基！。。础该：。法计算简洁》误差允许《便于应用 】 1？6．0．4  过】去这类电控设—计，电力和仪表专业由】于配合不《当常常出现各搞【一套的不协》调局面为改变这【种状况使《电控系统的设计更】加合理？更有利于监》控，和管理避免》。不协调现象继续发生！特制定此条 】    — 在控制室内—设，有正压？通风是为防止Si】HCI3（或S【i，Cl4）气体—。对电控设备的腐【蚀但吸风口应设【在户外或经》简易过滤装置保证控！制室内空气纯—净 1】6．0．5  【多晶硅的电气室是一！个专用的电气室为了！方便维护管理—减少占地面积—并经多年实践证明】高，、低：压设备同室布置【完全可行本》规范加以推》荐如电气《设备为油浸式冷【。却方式按防火要【求两设备之》间应设防火隔墙并设！排油：设，施 16！．0．6  为【减少电能损耗便【于维护管理多晶硅氢！还原炉电气室通常与！多晶硅氢还原炉室】上下毗邻为了防止三！氯氢：硅气体？。和氢气渗入电气室】所以：在两室之间》严禁：开设门窗及》其他孔洞电源线【的穿：越处应做严》密封堵为《安全：。起见与电《气室无关《的管道？不应通过电气室否】则应采？取隔离？设施 ？ 》16．？0．：7  当还原炉高】压启：动和还原生产时【还原炉内常有异【。常现象发生需常去电！气室观察电气设备运！行情况因此在还原炉！控制室和电气室之】间设一个便于联【系的通道十》分必要 】 1：6．0．9  变压！器中：性线过热是各半导体！材，料厂：一致：反映的问《题采取了加大中性线！截面的措施》。效，果较好Dy》n11？型变压器《比，Yyn0型》变压器对于》限制三次谐》波降低零序阻抗【。提高单相短路电流】和保护装置的灵敏度！。具有明显的优越【性 《 16》．0．10  在】单晶炉？和区熔炉附近—设开关箱有利—于单晶炉、》区熔炉的《断电检修和调—试确：保安全？ —16．？0，．，11：  单晶炉、区熔】炉及：物测室？的，测试仪器对》电压：稳定度要求较—高电压波动》直接影响单晶体【的形成？和测试？精，度因此对这些设备】最好由单独的变【压器供？电 16！．，0．：12  装设电【源滤波装置是为【了抑制区《熔，炉高频？装置2MC～4MC！高频电源沿》供电线路进行—传导干扰滤波器的】。。安装位置主》要考：虑线路？简洁就地《抑制所以《一，般是安装在》屏蔽室外墙的—电源进线处滤波器】的，接地：可借助屏蔽室的高】频接：地用镀锌铜》板制：作接：地装置是《根据北京劳防—所提供的实践资料】并征求上海电科所】的意见确《定的生产《厂，反映效果《良好高频《接地的接地线长【度应避开λ/4【及λ/4的奇数倍是！为了减？少接地线可能—出现的干扰当接地线！长度为？高频设备工作—波长的1/》4，或，1/4工作波长的奇！数倍时其阻抗为【无穷大？此时它相当》于一根天线可接收】或辐：射干：。扰信号故《应避开采用这个长】度设：计中接地线》做，得越短越好 — ， 16．0．！13  本条规定是！为了：防止电源滤波—器，。未加屏蔽的配电线路！经高频耦合越过滤波！器对电源进行干【扰 《 16．—0．1？4 ： 区：熔炉的槽路接地是】高频：装置要求的每台【设备单独《。设接地？装置是为了防止【相互干？扰 ？。 ， ，。 16．0．15！  本条规》定是为了使》设，备冷却水断水能【及时发现并加以【保护防止断》水运行烧坏设备 ！ ？ 16？．0．16  物】。测，。室装设电源滤波【器是为了由》电，源线：传入高频干扰信号做！。成一点接地的目【的是防止不》同的大地电位—经屏蔽网《进，行，干扰 ？ 《 16．0．—17  防止—经，电力、照明》线路及荧光灯的镇流！器向室内进行干扰 ！ 16．0！．18？ ， 这：样做是为了减少泄】漏以提高屏》蔽室的屏蔽效—能 ？