16  半！导体：材料厂车间电力设计！ 》 ： 1：6，．0．2 》 因：通电时间《短其他用《电设备尚未投入运】行此时电源的负荷】率很低完《全可满足这些短时】用电的负荷所以【不必再计算这—类负：。荷的用电及》无，功动率补《偿 》 1？6．：0．3  》三氯氢硅合成炉的】工频感应线圈有【三种：计算方法即变压器法！。、贝：塞函数法和实验曲】线法本规范推—荐采用实《验曲线法该法是在某！种特定条件下用【实，际的感？应加热器做实验【得，出的曲线并以此作】为计算的《基础该法《计算简洁误差—允许便于《应用 【 1：6．0？．4  过去这【类电控设计电力【和，仪表专业由》。于配合不当常—常出现各搞》一套的不协调—局面为改变这—种状：况使电控系统的【设计更？加合理？更有利？于监：控和管？理，。避，。免不协调现象继续】。发生特制《定此条 】  ：   ？在控：制室内设有正压通风！是，为防止SiH—CI3（或Si【Cl4）气体对电】控设备的腐蚀—但吸风口《应设在户外》或经：简易过滤装置保证】控制室内空气纯【净 1】。6．0．5  多晶！硅的电？气，室是一个专用的电】气室为了方便—维护管理《减少占地面积并【经多年实《践，。证明高、低》压设备同《室布置完全》可，行本规范《加以推荐如电—气设：备为油？浸式：冷却方式按防—火要求？两设备之间》应设防火《隔墙并设排油设施 ！ 》16．0．6  为！减少电能损耗便【于维护管理多晶硅氢！还原炉电气室通常】。与多晶硅氢》还原炉？室，。上，下毗邻为了》防止三氯氢硅气体和！氢气渗入电气—室，所以在两室之间严】禁开设门窗及—其他孔洞电源线【的穿越处应做严密】封，堵，为安：全起：见与电气《。室无关的管道不应】。通过电气室》否则应采取》隔，离设施 — ？16．0．7  】当，还原炉？高压启动和还—原生产时还原—炉内常有异常现象】发生需常去电—气，室观察电《气，设备：运行情况《。因此在还原炉控制室！和电气室之间—设一个便于》联，系的通道《十分必要 ！ 16．0．—9  变压器—中性线？过热是各半导体【材料：厂一致反映的问【题采：取了加大中性线截】面的措施效果较好D！。。yn11型变压器】。比Yyn《0型变压器对于【限制三次谐波—降低零序阻抗提【高单相？短路电流和》保，护装置的灵敏度具】有，明显的优越性 【 1—6．0．10  在！单晶炉和区熔炉附近！设开关箱有利于【单晶炉？、，区，熔炉的断《电检修？和，调，。试确保安全 【 1》6．0？。．11  单晶炉、！区熔炉？及物测室的测试仪器！对电压稳定度—要，求较高电《压波动？直接：。影响单？晶体：的形成和测试精度】因此：对这些设备最—好由：单，独的变压《器供电 ！16．0．1—2  装设电源滤】波装置？是为了抑制区熔炉高！频装置2MC～4】MC高频电源沿【供电线路进行传【导干扰滤波》器的安装位置—主要考虑线路简【洁就地抑制所以一】般是安？。装，在屏蔽？室外墙？的电源进线》处滤波器的接地【可借助屏蔽室的高】频接地用《镀锌铜板制作—接地：装置是根据北—京劳防所提供—的实践资料并征【。求上海电科所的意】见确：定的：生产厂反映效—果良好高频接地的】。接地线长度》应避开λ/4及【λ/4的奇数倍是】为了减少接》地线可能出现的【。干扰当接《地，线长度为高频设备】工作波长的》1/4或1/4【工作波长的奇—数倍时其《阻抗为无穷大—此时：它，相当于一《根天线可接收或辐】射，干扰信号《故应：。避开采？用这个？长度：设计中接地线—做得：越短越好 】 16．0．13！  本条《规定：是为了防止电源滤波！器未加屏蔽的配电】线路经高频耦合越】过滤波器对电源进】行干：扰 ： 16．】0．14  —区熔炉的槽》路接地？是高频装置要求【的每台设备》。单独设接地》装置是为了防止相互！干扰：。 1【6．0．15 【 本条规定是为了】使设备？冷却水断水》能及时发《现并加以保护防【止断水运《行烧坏设《备 《 ？1，6．0．16 【 物测室装设—电源：滤波器是《为了由？电源线传入高频【干扰信号做成一【点接地的目》的是防止不同的大】。地电位经屏蔽网进】行干扰 — ： 16．0．—1，7  防止》经电力、照》明线：路及荧光灯的镇流】器向：室内进？行，。干，扰 — 16．0．18】  这样《做是为了《。减少泄？漏以提高屏蔽室【的屏蔽效能 【