16 【 半导体材料厂车间！电力设计 》 — 16．0．2  ！因通电时间短其【他用电设备尚未投】入运行此时》电源的负荷率—。很低完全可》。满足：这，些短时用电的负荷】所以不必再计算【这类负荷的用电及无！功动率补偿 —。 《 16．0．3 】 三氯氢硅合成【炉的工频感应线圈有！。三种计算方》法即变压器法—、贝塞函数法和【。实验曲？线法：本规：范，推，荐采用实验曲—线，法该法是在某—种特定条件下用【实际的感应加热器】做实验？得出的曲《线并以此《作为计算的基础【该法计算《简洁误差允许—便于应用 】 16．0．4 ！ 过去这类电控设】计电力和仪表—专，业由于配合不当常】常出现各《。搞一套？。的不协调局面为改】。变这种状况使电控系！统的设计《更，加合理？。更有利于监控和【管理：避免不？协调现象继续发生】特制定此《条  】   在控》。制室：。内，设有：正压通风是》。。为防：止S：i，HCI3（》或SiCl4）气】。体对电控设备的腐蚀！但吸风口《应设在户外或经【简易：过滤装置保证控【制，室内空气纯净 】 ， 16．—0．：5  多晶硅—。的电气室《是一个专用的—电气室为了》。方便维护管理减少】占地面积《并，经多：年实践证明高—、低压设备同室布】置完全可行本规范】加以推？荐如电气设备为【油浸式冷却方式【按防火要求两设备之！间应设防火隔墙【并设排油设施 【 1—6．：0．6  》为减少电能》损耗便于维护管理多！晶硅氢还原炉电气】室通常与多晶硅【氢还原炉室》上下毗邻为》了防止三氯氢—硅气体和氢气—渗入电气室所以【在两室之间严禁开】设门窗及其他—孔洞电源线的穿越】处应做严《密封：堵，为安全？起见与电气》室，无关的管《道不应通过电气【室否则应《采取隔离设》施 《。 16．—0．7 《 当还原炉》。高，。压启动？和还原生产时还原炉！内常有异常现象发生！需，常去电气室》观察电气《设备运行情况因此】在还原炉控制室【和电气室之》间设：一个便于联系的【通道十分《必要 》 16．0【．9：  变压器中性线过！热是各半导体材料厂！一致反映《的问题采取》了加大中性线—截面：的措施效果较—好D：yn11型》变，压器比Yyn0型变！压器对于《限制三次谐波降【低，零，。序阻抗提高单—相短路电《流和保护装置的【灵敏度具《有明显的优越—性 16！．0．？10  在单晶【炉和区熔炉附近【设开关箱《有利于单晶炉、【区熔炉的断电—检，。修和调试确保安全 ！ 16．0！．11  单晶【炉、区熔炉及物测】室的测试仪器—对电压稳定》。度要求较《高电压波动》直接影响单晶体【的形成和测试精【度因此对这些—设备最好《由单独的变压器供电！ 》 16．0．12 ！ ，装设电源滤波—装置是？为了：抑，。制区熔炉高频装置】2M：C～4MC》。高频电源沿供—电线路进行传导【干扰滤波器的安装】位置：主要考虑线》路简洁就地抑制所以！一，般是安装在》屏，。蔽室外墙的电源【进线处滤波器的接】地可借助《屏蔽室的高频—。接地：用镀锌铜板制作接地！装置是根据北京劳防！所提供的实践资【。料并征求《上海电？科，所的意见确定的【生产厂？。反映：效果良好高频接地的！接地线长度应避开】λ/4及λ/4的】奇，数倍是为《了减少？接地线可能出—现的干扰当接地线】长度：为高频设备》工作波？长，的1/4或1/4】工作波长的》奇数倍时其阻抗为无！穷大此时它相当【于一根天线》可接：收或：辐，射干扰信号故应【避，开采用这个长度设计！中，接地线做得越短越】好 》 16．》0．13 》 本条？规定是为了》防，止电源滤波器未加】屏蔽的配《电线路经高频—耦，合越过滤波器—对电源？进行干扰 ！ 1：6．0．1》4  区熔炉的槽】路接地是高频装【置要求的每台设【备单独设接地—装置是为了防—止相互干扰 】 16．0．】15  《本条规定是》为了使设备》冷却水断水能—及时发现《。并加以保护防止断水！运行烧坏设》备 【16．0．16  ！物测室装设电源【滤波：器是为了由电源线】传入高频干扰信号】。做成一点接》地的目的是防—止不同的《大地电位《经屏蔽网进行—干，扰 ？ ： 16《．0．17》  防止经电力、照！明线路及荧光灯【的镇：流器向室内进行干扰！ 《 ：16．0．》18  这样做是为！了减少泄漏以—。。提高屏蔽室的屏【蔽效能 》