？ 16  半—。导体材料厂车间电】力，设计 《 1【6．0．《2  因通电—时间短其他用电设】备尚未投《入运行？此时电？。源的负？荷率很低完全可【满足这？些，短，时用电的负荷所以不！必再计算这类—负荷的用电及—无功动率补》偿 【16：。．0．3  三氯氢！硅合成炉《。的工频感应线圈有】三种计？算方法？即变压器法、贝【塞函数？法和实？验曲：线法本规范推荐采用！实验曲线《法该法是在某种特定！。条件下用实际的感】应加热？器做实验得》出的曲线并》以此作为计算—的基础？该法计算简洁误【差允许？便于应用 【 16》．0．4  —过去这类电控—设计：电力和仪表专业由于！配合不当常常出【现各搞一套的不【协，调局：面为改变这》。种状况使《电控：系统的设《计更加合理更有利】于监控和《管，理避免不协调—。现象继续发生特【制，定此条 【     在控制！室，。内，设有正？。。压，通风是为防止SiH！CI：3（或Si》Cl4）气体—对电控设《备，的腐蚀但吸风口【。应设在户外或经【简易过滤装》置保证控制》室，内空气纯净 — 16．】0．5  多晶硅】的电气室是一—个专用的电》气室为了方便维护】管理减少占地—面，积并经多《年实践证明高、【低压设备同室布【置完全可行本—规范加以推荐—如电气设备为油【浸式冷却方式按【防火要求《两设：备之间应设防火隔】墙并设？排油设施 — ， ， 16．》0．6  为减【少电能损耗便于维护！管理多晶硅氢—。还原炉电气室—通常与多晶硅氢【。还原炉室上下毗邻为！了防止三《氯，。氢，。硅气：体和氢气《渗入电气室》所以在两室》之间严禁《开设门窗及其他孔】洞电源线的穿—越处：应做严密封》堵为安全起见与电】。气室无关的管—道不应通《过电：气室否则应采取【隔离设施 】 ， 16．0．7 】。 当还原《炉高：压，启动和还原生—产时还原炉内常有异！常现象发生需常去】。电气室观《察电气？设备运行情况因此】在还：原炉控制室》和电气室之》间设一个便于—联系的通道十—分，必要 】16．？0．9  变压器】中性：线过：热是各半《导体材？料，。厂一致反映》的问题？采取：了加大中《性线截？。面的：措施：。效果较好Dy—n11型变压器【比，Yyn0型变压【器对于限制》三次谐波降低—零序阻？抗提高单《相短：路电流？和保护？装置的？灵敏度具有》。明显的优越性 【。 16．0！．10 《 在：单晶炉和区》熔炉附近设开关【。箱有利于单晶炉、】区熔炉的断电检修和！调试确保安全— 《 16《．0．11  【单晶炉、区熔炉及物！。测室的测试仪器【对电压稳定度要求较！高电压？波动直接影》响单晶体的形成和测！试精度因此对这些】。设，备最好由单独的【变压：器供电 】 16．0．12】 ，。 装设电源滤波装】置是为了抑制区【。熔炉高？频装置2M》C～4M《C高频电《源沿供电线》路进行传导干扰滤波！器的安装位置—主要：考虑线路简洁—就地抑制所以一般】是安：装，在，屏蔽：室外墙的电源—进线处滤《波器：的接地可借助—屏蔽室？的高频接地用镀锌铜！。。板制作接地装置是】。根据北京劳防所【提供的实践资料【。并征求上海电—科所的意见确定的生！产厂反映效果良好】高频接地的接地线】。长度应避开λ/4】及λ/？。4的：奇数倍是为》了减少接地线—可，能出现的干扰当接地！线长度为高频—设备：工作：波长的1/4或1/！4工作波长的奇【。数倍时其阻抗—为无穷大此时它相当！于一：根天线？可接收或辐射干扰信！号故应？避开采用这》个长度设计中接【。地线做？得越短越好 — 《 16．0．—13  本条规定】是为了防止电源滤】波器未加屏蔽的配电！线路经？高频耦合越过滤波】。器对：电源：进行干扰 【 ， 16《．0．14  区熔！炉的槽路接》地是高频《装置要？求的每？台设备单独设接【地装置是为了防【止相互干扰 】 ？16．0．15【 ， ，本条规定《是为了使设备—冷却水断水能及时】发现并加《以保护防《止，断水运？行烧坏设备 【 1》。。6．0？。．16  物测【室装设电源滤波器】是为了由《电源线传入高频干扰！信号做成《一点接地的目的【是防止不同的大地】电位经屏蔽网进行】干扰 】16．？0．1？7  防止经电力、！照，明线路及《荧光：灯的镇流器》向室内进行干扰 】。 16．】0．18  这【样做是为了减少【泄漏以提高》屏蔽室的屏蔽效【能 ？