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5.3》 静电敏》感电气或电子元件】、组件和《设备
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《5.3.1》 本条根据国【际电工委员会标准电！气或电子元件—、组件？。和设备防静电技【术要：求IEC 》61340》-5-1-20【07：规定其防静电工作区！的防护等级以静【电安全电压±—1，00V为界限值【。分为两级
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，
《 ： 当静《。电安全电《压小于或等于±1】00V时该防—静，电工作？区的地面《电阻：。值小于10》7Ω其适用场所【如下
】 ？ 1： 微电子器—件，。制造和测试》场所包括《
，
【 1)】 芯片的氧化、】扩散：、清：洗、刻蚀、薄膜、】离子注入《、，CMP？、光刻、检测、设】。备区等工序；
！
？ ： 2) ！ 芯：片封装的划》片、键合《、封装等工序—；
】。 ： 3)【 TFT液晶【制，造的阵列板（薄膜、！光刻、？刻蚀、剥离）、成】。盒（涂覆、摩擦、液！晶注入、切》割、磨边）、—。。模块、彩模板(【C，/F)等工》序
》
？ ： 2 电子产品】生产过？程中操作静电敏感】器，件的场所《包括
【
》。 ？ 1) 《 硬盘制造》(HDD)》区；
！ 》。 2) 》 ，等，。离子电？视(PDP》)核心区；
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《
： 《 3) 彩色！显像：管表面处理》工序；
】
【 4) 高密磁！带，制造；？
！ 5)【 光导《纤维制造；
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《 ？ ： 6)《 光盘制》造工序？；
！ 7【) 磁《。头生：。产的核？心区
《。
【 当：静电：安全电？压大于±100V】时该防静电工作区的！地面电阻值小于1】09：Ω其适用场》所如下
》
【 1 》 静电敏《感精密电子》仪器的测试》和维：。修场所；
》
】 2 —静电敏感电子器件制！造和：测，试场所包括》
，
？
【 1)》 ：半导体？材料制造的拉单【晶、磨？、抛、外延》。等工序；
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【 》。2) STN【液晶制？造；
》
，
【 3) 硬盘！制造除制造区外的】其他区；
【
《 ， 4)】 等离子电视【(，PDP)的》支持区；《
【。 《。 5) 【锂电：池制造晾干》工，艺和其？他地区；
！
， 【 6)？。 彩？色显像管制造锥石墨！涂覆、阴罩装配等】工序；
—。
【 7》)， 印制版的照【相、制版《干膜：工序；
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？ 】8) 光导—纤维的预制棒—、拉丝工序》；，
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！ 9) 【。磁，头生产的清洗区【；
】 【10：)， ：片，式陶瓷电容、—片，式电阻等《制造丝印、流—。延，。。。工序；
【
】 11) — 声：表面波器件制造；光！刻、显影、镀膜【。、清洗、划片、封帽！工序
【
》3 除上述—范围以外《的电子器件和整机的！组装调试《场所；
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？ 4 存【。在外部电磁干扰必】须对环？境中电子设》备和设施《提供最基本防静电】保护的场所》
5.】。3.：2 本条对—计算机房及各类【通信、管《制、遥测、》遥控、调《度，、指挥中心》。。等场所的地面选【择作：出规定这些场所因使！用环境的需要有大】量的输入输出信【号电缆连接》因此多采用》活动地板
》
【 电性能指—标比较稳定的活【动地板有水磨石地板！、天然？花岗岩和由基材【、防静？电贴面板及导通件组！成的：复合活动地板—等，花岗岩属《火成岩含有二氧化】硅等成分是很—。好的防静电面层【材料编制组对我【国东：北、西北、华北、华！。东，、华中、华南十几个！省所产的花岗岩和】美国、意大利等国进！口的花？岗岩进？行过大量的》调研和电性》能，。测试结果表》。明上述各地、各种】花样：的花岗岩的体积电】阻率：都在1？09：Ω·c？。。m以下这是》材料：本身的固《有性能？
— ：。 ， 在：。设计、施《工防静电地》面或活动《地板时可《局部采用活动地【板而场所其余部【分仍采用防静电【建筑地面这》。样，其地面面层类型的】选择面更大一些如】选择：。复，合防静电瓷》板、防静电》树脂类活动地板等】在进行产品比选【时应先？进行样品《检测确认符合要求后！再选用
！ 不论采用何！种类型架空》活动地板其结构【、强度？和电性能等》都应满足本规范【。的要求
《
？
5.3.3 】 移动式地垫是临时！。性防静电地》面适用？于临时构建的防静】。电工作区《满足有防静》电要求的设备维【护、检？修的某些局部性的】防静：电工作区移动—。地垫种？类较：多，常用的是防静电【塑胶：地垫它一《般由底层（导电橡】胶）、中间层—（布料）、》面层（防静电—塑胶）三《层结构组成此外还】。有防静电《织品：类、防静电非织造】布类等材质做成的地！垫防静电移动—式地垫使用》。时应：可靠接地
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