《5.3？ 静电敏感—电气或？电子元件、组—件和设备
】
5.—3.1？ ：本条根？据国际电工》委员会标准电气或】。电子：元件、组件和设备防！静电技术要求IE】C 61340【-5-1-20【07：规定其防静电工【作区的防护等级以静！电安全？电压：。±，100V《为界限值分为—两，。级
】 当静电【安全电压小于—或等于±100V】时该防静电》工作区？的地面电阻值—小，于，107Ω其适用【场所如下
！
1 】微电子器件》制，造和测试场所包【括
—
： ？ 《1) 芯》片的氧化、扩散、】清洗、刻蚀、薄膜、！离子注入《、，CMP、光刻、【检测、设备》区，。等工序；
—
，
，
，
》 ： 2)《 芯片封》装的划片、键合、封！装等工序；
！
》 3) ！TFT？液晶制造的阵列【板（薄膜、》。光刻：、刻蚀、剥离）、成！盒（涂覆《、摩：擦、液晶注》入、切？割、磨边）、模块、！彩，模，板(C/F)—等工：序
】 ： 2 《。。电子：产品生产过》程中操作静》。电敏感器件》的场所包括
【
？
？ —1，) 硬盘制造【(H：DD)区；
】
》 ：。 ？ 2) 《 等离子电视(PD！P)核心区；
】。
】 3》) ？彩色：。。显像管表面处理工序！；
！ 》 4：) 高密》磁带制造；
】
《 — 5) 光导【纤，维制造；
》
《
《 》6，) 光盘》制造工序《；
》
【 ？7) 磁》头生产的《核心：区
《
当】静电安全电》压大：于±100V时该防！静电工？作区的地面电阻值小！于1：09Ω其适用场所】如下
》
【 1 《 静电？敏，感精密电子仪器的】测试：和维修？场所；？
！ 2《 静电敏感电子器！件制造和测试场所】。包括
《
：
！ 1)？ ， 半导体材料制【造的拉单《晶、磨、抛、—外延等工序》；
《
【 ， 2《。) STN—液晶制造；》
：
【 3) ！硬盘制造除制造【区外的其他区；
】
【 ， 4)【 等离《子电视(P》DP)？的支持？区；
！ 》 5) 锂电池！制造晾？干工艺和其他—地区；
【。
！ 6) 彩色显像！。管制造锥石墨涂覆】、阴罩装《配等工？序；
】 ， 7)！ 印制版的—照相、制版干膜工序！；
？
：
— 8) 】光导纤维的预—制棒、拉丝工—序；
！。 ， —9，) ： 磁头生产的清洗】区；
》
《 ， 1【0) 片式陶瓷电！容、片式电》阻等制造《丝印、流《延工序；
—
！ 11) 【 声表面波》器件：制造；光刻、显影、！镀膜、清洗》、划片、《封帽工序
！
3— ，。 除上述《范，围，以外的电子器—件，和整机的组装调试场！所；
？
？
》 4 存在—外部电磁《干扰必须对环境【中电子设备和设【施提：供最：基本防静电保护的场！所
：
，
：
5.《3.：2 本条》对计算机房及各【类通：信、管制、遥测、遥！控、：调度、指《挥中心等场所—的地面？选择作出规定—这，。些场所因使用环境的！需要：有大量？的输入输《出信号？电缆连接《因此多采用》。活，。动地板
！。 《。电性能指标比较稳】定的活动地板有水磨！石地板、天然—花岗岩和由》基材：、防静电贴面板及】导通件？组成的复合活动【地板等花岗岩属火】成岩含有二氧化硅等！成分是很《好的防静电面层材】料编制组对我国【东北、西北、华北、！华东、华《中、华南十几—个省所产的花岗岩和！美国、意大利等国】进口的花《岗岩进？行过大量的调研【和电性能测》试结果表明上述各】地、各种花样的花】岗岩的体积电—阻率都在109【Ω·cm以》下这：是材：料本：身的固有性》能
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在设计】、施工防静电地面】或活动地《板时可局《。部采用活动地板而】场所其余《部分仍？采用防静电建—筑，地面这样《其地面？面层类型的选择面更！大一些如选》择复合防静电—瓷板、防静电—树脂类活动》地板等在进》。行，产品比选时》应，先进：行样品？。检测确认符合要求】后再选用
！
《 不：论，采用何种类》型架空活动》地板其结《构、强度和电性【。能等都应满足本规】范的要求《。
—5，.3.3《 ， 移动式地垫是【临时性防静》电，地面适用于》临时构建的防静电】工，作，区满足有防静电要】求的设备维护、【检修的某些局—部，性的防静《电，工作区移动地—垫种类较多常—用，的是防静《电塑：胶地垫它一般由底层！。。（导电橡胶》）、中间层（—布料）、面层（防】静电塑胶）三层结构！组成：此外还有防》静电织品类、防【静，电非织造《布类等材质做成的地！垫防静电移动式地垫！使用时应可靠接【地
？
