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?5.3 静—电敏感电气》或电子元件、组件和!设备
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5.3.》1 ?本条根据国际—电工委?员会标准电》气或电子《元件、组件和—设备:防静电技《术要求IEC 【61340-5【-1-2007【规定其防静电工作】区的防?护等级以静电安【全电压±10—0,V为界?限值分为两级
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《 : 当静电安全电【压小于或《等于±100V时】该防静电《工作区的地面电阻值!小于10《7Ω其适用场所如】下
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: 1 — 微电子器件制【造和测试场所—包括
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】 , 1) 【 ,芯,片的:氧,化、扩散、清洗、】刻蚀、薄膜、离子】注入、C《MP、光刻、检【测、设备《区,等工序?;
】 》 2) 》 芯:片封装的划片—、键:合、封装等》工,序;
》
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《。 —3) T》FT液晶制》造的阵列板》(薄膜、光刻、【。。刻蚀、剥离)、【成盒(涂《覆、摩擦、液—晶注入、切割—、磨:边,)、模块《、彩模?板(C/F)等工序!
》
》2 电子产品【生产过?程,中操作静电敏感【器件的?场所包括
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【 ?。 1)《 硬盘制造(H】DD)区;
【
》 — 2) 等离【子,电视(PDP—)核心区;》
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? — 3) —彩色显像《管表面处《理工序;
】
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!4): , ,高密磁带制造;
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— 》 5) 光导纤维!制造;?。
】 6)】 :光盘制造工序;
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【 ? 7) 磁头生!产的核心区》
! 当静电安全电【。。压大于±1》00V时该防静电工!作区的地面电阻值】小于109Ω其【适用场所如》下
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!。 1 静电敏感!精密电子仪器的【测试和维修场所;】
:
— 2》 :静电敏感电子器件】制造和测试》场,所,包括
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: — :1) 半导体【材料制?造的拉?单晶、磨、》抛、:外延等工序;
【
! 《2,。) STN液晶制!造;
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? :。 ?。 3)? , ,硬盘制造除制造区外!。的其:他区:;,。。
【 》 4)《 等离子电视【(PDP)的支持区!;
【。 ? , 5)— 锂电池制—造晾干?工艺和其他地区;
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【 , 6) — 彩色显像管制造】锥,石墨涂覆、》阴罩装?配,等工序;
】
— 7) 】印制版的《照,相、制版干膜工序】;
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, 【 8) 光导纤】维的预制棒、拉【丝工序;
—
— , 9)【 磁头《生产的?清洗区;
】
】 10) — 片式?。陶,瓷电容、片式电阻】等制:造丝印、流延工序】;
》
? 11!) 声表》面波器件制造;【光刻、显影、—镀膜、清洗、—划片、封帽工序【
! 3 除》上述范围以》外的:电子器件和整机的组!装,调试场?所;
《
》 , 4 》存,在外部电《磁干扰必须》。对环境中电子设【备,和设施提《供最:基本:防静:电保护的场所
】
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5?.3.2 》 本条对《计算机房《及各类通信、管制、!遥测:、,遥,控,、调度、指挥中心等!场所的地面选择作】出规:定这:些场所因使用环境】的,需要有大量的输入】输出信号电缆连【接因此?多采用活动地板
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《。
: , 电性《。能指标?比较:稳定的?活动地?板有水?磨石地?板、天然花》。岗岩:和由:基材、防静电—贴面板及《导通件组成的—复合活?动地:板等花岗《。岩属火成《岩,含有二氧化》硅等:成分是很好的防静】电面层材料编制组】。对我国东北》、西北、华》北、华东、华中、华!南十几?个省所产《的,。花岗岩和《。美国、意《大利等国进口—的花岗岩进行过大量!的调研和电性能测】试结果表明上述【各地、各种花样的】花岗岩的体》积电阻?率,都在109Ω·cm!以下这是材料—本身的固有》性能
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在设!计、施工防静—。电地面或活动地板时!可局部采用活动地】板而场所其余部分仍!采用防静电建筑地】面这样其地面面【层类型的《选择面更《大一些?如选择复合防静【电瓷板、防静电【树脂类活《动,地板等在进行—。产品:比,选时应先《进,行样品检测确—认符合?要求后再选》用
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— 不论》采,。用何种类型架空活】动地:板其结构、》强,度和电性《能等都应满足本规范!的要求
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5.《3,.,3 移动》式,地垫是临时性—防,静电地面适》用于临时构》。。建,的,防静电工作》区满足有防静电要】求的设?备维护?、检修的某些局部性!的防静电工作区移动!地垫:种类:较多常用《的是防静电塑胶【地垫:它一般由《底层(导电橡—胶)、中间层—(布料)、面—层,(防静电塑胶)【三层结构组成—此外还?有防静电《织品类、《防静:电非织造布类等材】。质做成的地垫—防静:电移动式地》垫使用时应》可靠接地
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