5.3 】 静电？敏感电气或电子元】件，、组：件和设备 —。 ，。 ： 5《.3.1  —本，条根据国际》电工委员《会，。标准电气《或电子元件、组件】和设备防静电—。技术要？求IEC 613】40-5-1—-20？07规定其防静电工！作区的防护等—级以静电安全电【压±100V—为界限？值分为两级 】 ，      当静！电，安全电压小于或等于！±1：00V时该防静电】工作区的地面—电阻值小《于107Ω其适用】场所如下《 《     —1  微《电，子器件制造和测【试场所包括 】    —     1)  ！芯片的氧化、扩散、！清洗、刻蚀、薄膜】、离子注入、—。C，MP：、光刻、《检测、设备》区，等工序； 【 ？。  ：    《  2)  —芯片封？装的：划片、键合、—封装等工序； ！   》  ：  ：  3)《。  TFT液晶制造！的阵：列板（薄膜、—光刻、刻蚀、剥【离）、成《盒（涂覆、》摩擦、液晶》。。注入、切割、磨边】）、模块、彩—模板(C/》F，。)等工序 【     2 ！ 电子产《品生产过程中操【作静电敏感器—件的场所包括 】。     】 ，   1)  硬盘！制造(HDD)区；！。   】 ，     2)  ！。等离子电视(—PDP)核心—区； 《   — ，     3)  ！彩色显像管表—面处理工序； 【。 》  ：  ：    4)  高！密磁带制《造； 】 ，  ： ，    5)  光！。。导纤维制造》； —     》    6)  光！盘，制，造工序； —    【   ？  7)  磁【头生产的《核，心区  ！ ，。 ， 当静电安》全电压大于±100！V时该防静电工作】区的：地面电阻值小于【109Ω其适—。用场所如下 —    】   1  静电】敏感精密电子仪【器，的测试和维修场【所； 】      —2 ： 静电敏感电子器】件制造和测试场所包！括，。   】      1【)  半导体材料制！造的拉单晶、磨【、抛、外延等工序；！    ！     2)【  STN液晶制】造； 】 ，。  ：     3)【。  硬盘制造—除制：。造区外的其他区【； ？      ！   4)》  等离子电视(P！D，P)的？支持区？； 》        ！ 5) 《 ，锂，电池：。。。制造：晾干工艺和其他地】区；  ！。  ：     6)【  彩色显像管制】造锥：石墨涂覆、阴罩装】配等工序； —    】    《 7)？  印制版的照【相，、制版干《膜，工，序； 》 ：     》    8)  】光导纤维的》预制棒、拉丝—工序； 《 《         ！9) ？ 磁头生产的清【洗区； —       ！  10)  片式！陶瓷：电容、片式电阻【等制造丝印、流延】工序； 】  ：。     》  11) —。 声：表，面波器件《制造；光刻》、显影、镀膜、清洗！、，划片：、封：帽工序 【。 ，    《 3  除上述【范围以外的》电子器？件和：整机的？组装调试场所—； 【    4  【存在外部电》磁干扰必须》对，环境中电子设备【和设施提供最基本】防，静电保护的场—所 5.！3.2？ ， ，本条对计算机—房及各类通信、管制！、，遥测：、遥控、调度、【指，挥，中心等场《所的地？面选择作出规定【。。这些场所因使—用环境的需要有大】量的输入输》出信号电《缆连：接因此多《采用活动地板—   】  电性《能指标比较稳定【的活动地板有水磨】石地板、天》然花岗岩和由基【材、防静电贴面板及！导通件组成的复【合活动地板等花【岗岩属火成岩含有】二氧化硅《等成分？是很好的防静电面层！材料编制组》对我国东北、西北】、华北、《华东、华《中、华南十几—个省：所产的花岗岩—和，美国：、，意大利等《。国进口的《花岗岩进行》过大量的调》研和电性能测试结果！表明：上述各地、各—种花样的《花岗岩的体》积电阻率都在—10：9Ω·cm以下【这是材料本身的固有！性，能 —    《 在设计、施工【防静电？地面或活《动地板时可局—部采用活动地板而场！所其余？部，分仍采用《防静电建筑地面【这样其？地，面面层类型的选择】面更大一些如选择复！合防静电瓷板、【防静电树脂》类活动地板等—在进：行产品？比选时应先进行样】。品检：测确认符《合要求后再选用 】 《 ，。    不论采用】何种：类型：架，空活动地板》其结：。构、强度和电性能】等都应满足本规范】的要求 【 5.3.3【  移动式》地垫是临《时性防静电地—面适用？。于临时构建的防静】电工作区满》。足有防静电要求的】设备维护、》检修的某些局部【性，的防静电工》作区移动地》垫种类较多》常用的？是防静电塑胶—地垫：它一般？由底层（导》电橡胶）、中间层（！布料）、《面层（防静电塑胶）！三层结构《组成此外还有防静】电织：品类、防静》电非织造布类等【材质做成的地垫防】静电移动式地垫使】用，时应可靠接地 】