5.—3 静电敏感电气！或，电子元件《、组件和设备
！
《
5.3《.1： ， 本条根据国际【电工委员会》标准电气或电—子元件？、组：件和设备防静电【技术要求I》。EC：。 61？340-5-1【-20？07规定其防静电工！作区的防护》等级以静《电安全电《压±100V为界】限值分为两级
】
《 ， 当静电安全！电压小于或等—于±100》V时该？防静电工作区的【地面电阻值小于10！7Ω：其适用场所》如下
—
1 ！微电子器件制—造和测试场》。所，包括
？
【 1) ！ 芯：片的氧？化、扩散、清洗【、刻蚀、《薄膜、离子注入、C！MP：、光刻、《检测、设备区等工序！；
？。
—。 》 2) 芯—片封装的划》片、键合、封装等】工序；
！ 【 3) TFT液！晶，制造的阵列板（薄膜！、光刻、刻》蚀、剥离）、成【盒（：涂覆、摩擦》、液晶注入》。、切割、磨边—）、：模块：、彩模板(C/【F)：等工序
—
》 2 电—子产品生产》过程中操作静—电敏感器件的场【。所包括？。
《
《 1) ！ 硬盘制造(—HDD)《区，；
？
，
— ， ？ 2)？ 等离子》。电视(PDP—)核心区；》
《
！ 3)？ ：彩色显像管表面处】理工序；
【。
：
？ 《。 4) 高密磁！带制造；
！
， ： 5【) 光导纤—维，制造；
《
，
】 6》。) 光《盘制造工序；
【
《
》 ， 7《) 磁头生产的核！。心区
《
当！。静，电安全电压大于【±100V时—该，防静：电工作区的地面【电阻值？小于109Ω—其适用？。。场所如？下
：
》 1 】 静电敏感》精密电子仪器—的测试和《维修场所；》
》
【2 静电敏感电子！器件制造和测试场所！包括
】 《 《1，) 半导体材料】制造的拉单晶、磨】、抛、外《延等工？序；
》。
】。 2《。) ST》N液晶制造；
！
【 3) 【 ，硬盘：制造除制造区外的其！他区；
《
《
，。 ？ 4) 】 等：离子电视(》PDP)的支持区；！
？
：
： 5】) 锂电池制造】晾干工艺和其—他地区；
】
》 》6) 彩色显【像管制造锥石墨涂覆！、阴罩装配等工【序；
》
：
？ 《 7？) 印制》版，的照相、制》版干膜工序；
【
】 》8) 光导—纤维的预制棒、拉丝！工序；
《
！ ： ， 9) 》。磁，头生产的清洗区【；
》
— 10—) 片式陶瓷【电容、片式》电阻：等制造丝印、流延】工，序；：
，
？
： ， 1】1)： 声表面波器【件制造；光》刻、显影、镀膜、清！洗、：划，。片，、封帽工序》
【 3 —除上述范围以外的】电子器？件和整机的组装【调试场所；》
？。
【4 存在外部电】磁干扰必须对环境中！电子设备和设施提供！最基本防静》电保护的场所
【
5.【3.2 本条【对计：算机：房及各类《通信、管制》、遥测、遥控—、，调度、？指挥中心等场所的】地面选择作出—规定这些场所因【使用环境《的需要有大量—的输入输出》信号电缆连接因【此多采用活动地板
！
【 电？。性能指标比较稳定】的，活动地板有水—磨石地板、天然花岗！岩，和由基材、》防静电贴面板及导】通，件组成的复合—活动地板《等，花岗岩属火成岩含】有二氧化硅等—。成分是很好的防【静，。电面层材料编制组对！我国东北、》西北、华北、—华东、华中、华南十！几个省所产》的花：。岗岩和美国、意【大利等国进口的花岗！岩，进行过大量的调【研和电性《能测试结果表明上述！各地、各种花样的】花岗：岩的体积电》阻率都在《109Ω·cm以】下这是材料本—。身的固？有，性能
！ 在设计、【施工防静《电地面或活》动地板时可局部采】用活动地板而—场所其余部分仍【采，用防静电《建筑地面这样其地】面面层？类型的选择面更【。大，一些如选择复合【防，静电瓷？板、防静电树脂类】活动地板等在—进，行，产品比选《时，应先进行样品检【测确认符合要—求后再选用
—
】 不：论，采，用，何，种类型架空活—动地板其结构、强】度和电性能等—都应满足本规范的要！求
《。
？5.3.《。3 移动式地垫】是临时性防静—电地面适用于临时】。构建：的防静电工作区【满，足有防静电要求的】设备维？护、检修的》某些局部性的防【静电工作《区，移动地垫种类较多常！用的是防静》电塑胶地垫》它一般由底层（【导电橡胶）、中间】层（：布料）、面层（【防静电塑《。胶）三？层结构组成此外【还有：。防静：电织品类《、防静电非织造布】类等材质做成—的地垫？防静电移动》式，地，垫使用？时应可靠接地
【
，
