5.—3 静电敏感电】气或电子元件、组】件和设备
【
》5.3.1》 本条根据国际电！工委员会标》准电气或电子元件】、组件和设备防静电！技术要？求IEC 6—1340-5-1】-，2，00：7规定其防静—电工作？区的防护等级以【。。静电安全电》压±10《0V为界限值—分，为，两级
《
— 当静电安全电！压，小于或等《于±100》V时该防静电—。工作区的《地面电阻值小于【。。107？Ω其适？用场所如下
—
【 1 》微电子？器件制造《和测试场所包括
】
】 《 ，1)： 芯片《的，。氧化、扩散、清洗、！刻蚀、薄膜、—。离子注？入、：CMP、光刻—、检测、《设，备区：等工序；
》
【 《 2) 芯【。片封装的划片、【键合、封装等工【序；
《
：
》。 《 3)？ T？。F，T，液晶：制造：的阵列板（薄膜、光！刻、刻蚀《、剥离）、成—盒（涂覆、摩—擦、液？晶注入、《切割、磨边）、【模块、彩《模板(？C/F)《等工序
【
？ 2 电子产！品生：产过程？中，操作静电敏感器件】的场所包括
】
— 1)【。 硬盘制造—(HDD)区；【。
】。 —2) 等》离子：。电，。视(PD《P，)，核心区；
【
】。 ， 3？) ？彩色显？像管表？。面处理工《序；：。
：。
，
，
？ 》 4)《 ， 高：密磁带制造；
【
— 5】) ： 光导纤维制造；】
，
，
？
： 【6) 光盘制造工！序；
【。
》 ： 7) 磁头】生产的核心区
【
？
《 当静电安—全电压？大于±100V【时该防静电》工作区的地面—。电阻值小《于109《。Ω其适用场所如下】
】 《1 静电敏感精密！电子仪器的测试和维！修场所；
】。
： ： 2 静】电敏感电《子，器件：制造和测试场所包括！
【 — 1：) ： ，半导体材《料制造的拉单晶、磨！、抛、？外延等工序》；
：。
》 2！) STN液晶制！。造，；
：
《
—。 3《) 硬《盘制：造除制造区外的其他！区；
】 ： 《。 4) 》 等离子电视(PD！P)的支持区；
】
：
？ ？ 5) ！锂电池制造晾干工艺！和其他？地区；
【
：。 ， 》 ：6)： 彩色显像管制造！锥石墨涂《覆、阴罩装配等工序！；，
，。
》。 《 ： 7) 》 印制？版的照相《、制：版干膜工《序；
！ 8)！ 光导纤维的预制！棒、拉丝工序；【
— ？ 9)【 ， 磁头生产》的清洗区；
！
，
【 10)》 ， 片式陶瓷电—容、片式电阻等制】造丝印、流延工序；！
，。。
？
： ？ 11)】 声表面》波器件？制造；光刻、显【影、镀膜、清洗【、，划片、封帽工序
】
— 3 》 ，除上：述范围？。以外：的电子器件和整【机的组装调试—场所；
】
： ？4 存《在，。外部：。电磁干扰必须对环境！中电子设备和设施】提供最？基本防静电保—护的：场所
？
：
，
5.3.—2 本条对—。计算：机房：及各类通信、—管制、遥测、遥控、！调度、指挥中心等场！所的地面选择—作出规？定这些场所因—使用环境的需—要有：大量的输入输出信】号电缆连接因—此多采用活动—地，板
《
，
电性】。能指标比较稳定的】活动：地板有水磨石地板】、天然？花岗岩？和由基材、防静电】贴面板及导通件组成！的复合活动地板【等花：岗岩属火《成，岩含有二氧化硅等】成，分是很好的防—静电面层《材，料编制组对》我国东？北、：西北：、华北？、华东、华中、【华南十几个省所产】的花岗？岩和美国、》意大利等国进口【的，花岗：岩进行过大量的【调研和电《性能测试结果表【明上：述各地、《。各种花样的花岗岩】的体积？电阻：率都在109Ω·c！m以下这是材料本身！的固有性能
】
在设！计、：施工防静《电地面或活动地板】时可局部采》用活动地板而场所】其，余部：分，仍采用防《静电建筑地面—这，样其地面面层类型的！选择面更大》一些如选择复合【防，静电瓷？板、防静《电树脂类活动地【板等在进行》产品比选时应先【进行样品检测确【。认符合要求后再选】用
【 不论采用何！种类型架《。空活动地板其结【。构、强度和电性能等！都应满足本规—范的要？求
《
：
，5.：3.3 移动式地！垫是临时性防静电】地面适用于临时【构建的防静电—工作区满足有防静电！。要求：的设备维护、检【修的某些局》部性：的防静电工作区移】动地垫？种类较多常用的【是防静电塑胶地垫它！一般由底层（导电】橡，胶）、中《间，层（：布，料）、面层（—防，静电塑胶）三—层结构组《。成此外还《。有防静电织》。品类、防静电非【织造布类等》材质：做成的地垫防—静电移动式地垫使】用时应可《靠接地
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